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Datei:Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

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Beschreibung

Beschreibung
English: Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is a graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
Deutsch: Vergleich eines konventionellen Gate-Schichtstapel mit Siliziumdioxid als Dielektrikum mit dem eines in High-k+Metal-Gate-Technik (vereinfachte Darstellung) hergestellten Gate-Schichtstapels. Das Schema wurde in Anlehung einer Präsentation von G. E. Moore, Intel Inc., erstellt
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    • 2008-01-14T18:14:30Z Stannered 401x235 (8539 Bytes) {{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Sourc

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aktuell08:52, 20. Feb. 2010Vorschaubild der Version vom 08:52, 20. Feb. 2010401 × 235 (7 KB)wikimediacommons>Cepheidensvg fix

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