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Datei:Self-aligned (spacer) double pattering (SaDP).svg

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Beschreibung

Beschreibung
English: Process flow for multiple patterning process: self-aligned (spacer) double pattering a) features after the photolithographic patterning, b) conformal Si3N4 deposition, c) Spacer production by anisotropic etching, d) removing the resist mask, e) anisotropic etching of the underlying layer (eg poly-Si), f) Final hard mask for the removal of the spacer material with denser lines
Deutsch: Prozessablauf für das Mehrfachstrukturierungs-Verfahren: self-aligned (spacer) double pattering a) Struktur nach der fotolithografischen Strukturierung; b) konforme Si3N4-Abscheidung; c) Spacer-Herstellung durch anisotopes Ätzen; d) Entfernung der Resistmaske; e) anisotropes Ätzen der darunterliegenden Schicht (z. B. Poly-Si); f) Fertige Hartmaske nach der Entfernung des Spacer-Materials
Datum
Quelle Eigenes Werk
Urheber Cepheiden

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aktuell15:47, 23. Nov. 2011Vorschaubild der Version vom 15:47, 23. Nov. 2011580 × 503 (20 KB)wikimediacommons>Cepheiden{{Information |Description ={{en|1=Process flow for multiple patterning process: self-aligned (spacer) double pattering a) features after the photolithographic patterning, b) conformal Si3N4 deposition, c) Spacer production by anisotropic etching, d) r

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