Diskussion:SLC-Speicherzelle
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Transistor vrs. Zelle
ich habe von ein bit pro Transistor auf ein pro Speicherzelle geändert da:
- die engl. WP von "cell" spricht
- nicht jeder Transistor auf dem Flash zum Speichern gut ist (Steuerlogik, Verstärker, Ladungspumpe etc)
- ein Transistor allein kein Speicherelement ist. Bei DRAM ist es Kondensator neben dem Transistor, bei SRAM sind es mehrere Transistoren pro bit.
-- 3x100gr 21:56, 17. Jul. 2008 (CEST)
Bezeichnung 'single-level cell' irreführend
satz gelöscht, weil die bezeichnung nicht irreführend ist. Es heißt ja "single level" - sprich ein Spannungslevel - und nicht "single state" o.ä. Zudem kann mit einem Bit genau eine Informationseinheit gespeichert werden, kleiner als 1 Bit würde eh nicht gehen. --85.180.68.36 10:54, 8. Dez. 2009 (CET)
Mist
Entschuldigung, aber der Artikel ist eine echter Scherz. Ein Satz ... (nicht signierter Beitrag von 93.199.230.101 (Diskussion) 20:38, 23. Aug. 2012 (CEST))
