Samares Kar
Samares Kar (* 4. Januar 1942 in Kalkutta, Indien; † 13. Januar 2017[1]) war ein indischer Elektrotechnik-Ingenieur, Consultant, Hochschullehrer und Publizist mit Forschungsschwerpunkt ultradünne Gate-Dielektrika.
Leben
Samares Kar wuchs in Kalkutta, Westbengalen, Indien, auf und besuchte 1958–1962 das Indian Institute of Technology Kharagpur, Westbengalen, mit dem Abschluss
. An der Lehigh University in Bethlehem, Pennsylvania, Vereinigten Staaten von Amerika erhielt er 1967 seinen
[2], 1970 den
.[3] In Deutschland war Samares Kar 1963–1965 zunächst als Konstrukteur (
) bei der Firma Hamburger Transformatorenbau in Hamburg, dann als Projektingenieur bei Firma Continental Elektroindustrie in Rheydt tätig, 1971–1974 als wissenschaftlicher Mitarbeiter am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik in Freiburg. Anschließend ging Samares Kar an das Indian Institute of Technology in Kanpur, Uttar Pradesh, India: 1975–1979 Assistant Professor für Elektrotechnik und Materialwissenschaften, 1980–2004 Voll-Professur für Elektrotechnik und Materialwissenschaften, 2004–2006 Professor i. R. (
) und seit 2006 F & E Consultant (R&D consultant).
Zwischenzeitlich nahm er Lehraufträge als Gastprofessor an der Pennsylvania State University, State College (Pennsylvania) (1979) sowie an der Lehigh University, Bethlehem (1981) wahr.[4]
Samares Kars Mitgliedschaften/Mitarbeit bei Berufsverbänden und -organisationen: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), USA; The Electrochemical Society., USA; Techno India Group; Meghna(th)d Saha Institute of Technology. Seit 2002 ist er Hauptorganisator des International Symposium on High Dielectric Constant Materials.
Außerhalb seiner beruflichen Fachgebiete befasste sich Samares Kar mit Forschungen zu Themen wie: Indischer Monsun; Genetische Zusammensetzung Südasiens in Korrelation mit Intelligenz; Menschenmigration in vorgeschichtlichen Zeiten; Das Metropolitan Museum of Art; Der Louvre; Stätten alter Zivilisationen.[5]
Leistungen
Bereits seine Doktorarbeit von 1970 wird als zukunftsweisend bezeichnet.[6]
Samares Kars Forschungen auf dem Gebiet der Halbleitertechnik, insbesondere der ultradünnen Gate-Dielektrika, werden als bahnbrechend bewertet[7][8].
Publikationen
Fachliteratur:
- Samares Kar et al. (Hrsg.): Physics and Technology of High-K Gate Dielectrics (mehrere Bände). The Electrochemical Society, 2003–2008 (Hauptwerk).
Anderes:
- Samares Kar: The Millennia Long Migration into Bengal: Rich Genetic Material and Enormous Promise in the Face of Chaos, Corruption, and Criminalization. In: Spaces & Flows: An International Journal of Urban & Extra Urban Studies. Vol. 2 Issue 2, 2012, S. 129–143 (Volltext sowie Fachbiografie bei ResearchGate Network).
Weblinks
- Biografie bei prabook
- Foto, Publikationen, Forschung bei ResearchGate Netzwerk
- Kurzbiographie zum Buch High Permittivity Gate Dielectric Materials bei alibris
- „Neue Materialien für Transistoren“ bei Pro-Physik
Biografie bei prabook
Literatur-Übersichten:
- Publikationen bei der akademischen Literatursuchmaschine Google Scholar
- Publikationen bei Academia (Indian Institute of Technology, Kanpur)
- Publikationen bei ReseachGate Network
Einzelnachweise
- ↑ Nachruf bei Indian Institute of Technology, Kanpur
- ↑ Samares Kar: A critical study of the different methods of investigating semiconductor-insulator interface state properties. M.S Thesis, Lehigh University. 1968, OCLC 84846514.
- ↑ Samares Kar: Interface states and potential barriers in metal - (20 to 50 Å) SiO₂ - Si structures. Ph.D. Thesis, Lehigh University. 1971, OCLC 8811915.
- ↑ Beschreibung der Tätigkeitsmerkmale der jeweiligen Positionen in Forschung und Praxis bei ResearchGate Network, Abschnitt Research Experience
- ↑ „Study of Indian Monsoon; Genetic Composition of South Asia and Its Correlation with Intelligence; Human Migration in Pre-Historic Times; The Metropolitan Museum of Art; The Louvre; Sites of Ancient Civilisations“ bei ResearchGate Network
- ↑ siehe Abschnitt Education bei ResearchGate Network: "This seminal work, carried out more than four decades ago, provided some important foundation for the current and future generation nano transistors."
- ↑ siehe Biografie zum Buch High Permittivity Gate Dielectric Materials bei alibris: "His seminal work on ultrathin (2-4 nm) SiO2 gate dielectrics, carried out more than three decades ago, provides some basic theory and tools for the current and future generation MOS nano-transistors, in particular, on issues related to the ultimate gate dielectric thinness, electrical characterization, and metal-related interface states."
- ↑ weitere Erfolge sowie Auszeichnungen bei ResearchGate Network, Abschnitt Awards & achievements
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Kar, Samares |
| KURZBESCHREIBUNG | indischer Elektrotechnikingenieurwissenschaftler, Hochschullehrer und Publizist |
| GEBURTSDATUM | 4. Januar 1942 |
| GEBURTSORT | Kalkutta, Indien |
| STERBEDATUM | 13. Januar 2017 |
