Simon Sze
Simon Min Sze (chinesisch
, Pinyin
; * 21. März 1936 in Nanking, China[1]) ist ein taiwanesischer Elektroingenieur und Autor bzw. Co-Autor mehrerer bekannter Standardwerke im Bereich der Halbleitertechnik, Mikroelektronik und Halbleiterphysik.[2]
Leben und Werk
Siman M. Sze studierte an der National Taiwan University Elektrotechnik und erhielt 1957 seinen Abschluss als Bachelor of Science (B.Sc.). Für ein anschließendes Masterstudium ging er in die USA, wo er 1960 an der University of Washington seinen Abschluss als Master of Science (M.Sc.) und 1963 einen Doktor[3] (Ph.D.) von der Stanford University erhielt.[4]
Im Anschluss ging Sze an die Bell Telephone Laboratories und blieb dort bis 1989 als wissenschaftlicher Mitarbeiter (englisch member of the technical staff). Bereits während dieser Zeit war Sze als Dozent/Gastdozent an verschiedenen Universitäten tätig, beispielsweise an der National Chiao Tung University (1968–1969) oder an der National Taiwan University (1974–1977). Dies setzte er nach einer Zeit an den Bell Labs mit der Annahme einer Professur (
) an der National Chiao Tung University (NCTU, 1990–2006) fort.
Bekannt ist Sze für seine Arbeiten im Bereich der Halbleiterphysik und -technik, vor allem Metall-Halbleiter-Kontakte und Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren.[5] Hierzu zählt seine Mitarbeit bei der Entdeckung des Floating-Gate-Transistors[6] durch Dawon Kahng (1967). Darüber hinaus ist er Autor und Herausgeber zahlreicher Bücher zu diesem Thema, darunter oft zitierte Standardwerke wie Physics of Semiconductor Devices (1. Auflage, 1967; 4. Auflage 2021 in Englisch[7] und 1. Auflage in Deutsch[8]), Semiconductor Devices: Physics and Technology oder VLSI Technology. Für diese Leistungen erhielt er unter anderem den J.J. Ebers Award der IEEE (1991).[9]
2021 wurde ihm der mit $ 1.000.000 USD dotierte Future Science Prize (Kategorie: Mathematics and Computer Science) verliehen.[10]
Veröffentlichung (Auswahl)
Ältere Auflagen
- Sze, Simon M., ed. Modern Semiconductor Device Physics. Nashville, TN: John Wiley & Sons, 1997. Print.
- Physics of semiconductor devices. 3. Auflage. John Wiley and Sons, 2007, ISBN 0-471-14323-5.
- Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2. Auflage. John Wiley & Sons, New York 2001, ISBN 0-471-33372-7.
- VLSI Technology. 2. Auflage. McGraw-Hill Inc., New York 1988, ISBN 0-07-062735-5.
- Sze, Simon M. Very Large Scale Integration Technology. New York, NY: McGraw-Hill, 1984. Print.
- S M Sze: Semiconductor Devices: Pioneering Papers. WORLD SCIENTIFIC, 1991, ISBN 978-981-02-0209-5, doi:10.1142/1087.
- Sze, Simon M., ed. Semiconductor Sensors. Nashville, TN: John Wiley & Sons, 1994. Print.
Neuere Auflagen
- S. M. Sze: Physics of semiconductor devices. Fourth edition Auflage. Hoboken, NJ 2021, ISBN 978-1-119-42911-1.
- Sze, Simon M., Yiming Li, and Kwok K. Ng: Physik der Halbleiterbauelemente. Hrsg.: Wiley-VCH Verlag. Weinheim 2021, ISBN 978-3-527-41389-8.
Quellen
- Institute of Electrical and Electronics Engineers: IEEE membership directory. Institute of Electrical and Electronics Engineers., 1996, ISBN 978-0-7803-9957-0.
- CV via Sun-Yat-sen-Nationaluniversität mit Weiterleitung auf Yang-Ming-Chiao-Tung-Nationaluniversität.[11][12] (Stand 2021: PDF ist nicht erreichbar, Alternative siehe hier)
- Publikationsprofil bei IEEE Xplore (71 Publikationen ab dem Jahr 2000)[13]
- Publikationsprofil bei Google Scholar[14]
Einzelnachweise
- ↑ Institute of Electrical and Electronics Engineers: IEEE membership directory. Institute of Electrical and Electronics Engineers., 1996, ISBN 978-0-7803-9957-0.
- ↑ Simon Deleonibus (Editor in Chief): Marvels of Microelectronic Technology: from the Floating Gate and Charge Trapping concepts to the Flash Memory of Terabit Class. IEEE, April 2020, abgerufen am 17. Oktober 2021 (englisch).
- ↑ Simon Min Sze: Hot electrons in thin gold films. 1963 (Ph.D. Thesis, Dept. of Electrical Engineering, Stanford University).
- ↑ © Stanford University, Stanford, California 94305: SystemX: The Transistor and the Floating-Gate Memory. 3. August 2015, abgerufen am 17. Oktober 2021 (englisch).
- ↑ S M Sze: Semiconductor Devices: Pioneering Papers. WORLD SCIENTIFIC, 1991, ISBN 978-981-02-0209-5, doi:10.1142/1087 (worldscientific.com [abgerufen am 17. Oktober 2021]).
- ↑ D. Kahng, S. M. Sze: A Floating Gate and Its Application to Memory Devices. In: Bell System Technical Journal. Band 46, Nr. 6, 8. Juli 1967, S. 1288–1295, doi:10.1002/j.1538-7305.1967.tb01738.x (ieee.org [abgerufen am 17. Oktober 2021]).
- ↑ S. M. Sze: Physics of semiconductor devices. Fourth edition Auflage. Hoboken, NJ 2021, ISBN 978-1-119-42911-1.
- ↑ Sze, Simon M., Li, Yiming, Ng, Kwok K.: Physik der Halbleiterbauelemente. Hrsg.: Wiley-VCH. 1. Auflage. WILEY VCH, Weinheim 2021, ISBN 978-3-527-82827-2.
- ↑ Past J.J. Ebers Award Winners - IEEE Electron Devices Society. Abgerufen am 17. Oktober 2021 (britisches Englisch).
- ↑ Announcement of 2021 Future Science Prize Winners: Kwok-Yung Yuen, Joseph Sriyal Malik Peiris, Jie Zhang, Simon Sze - Home-Future Science Prize. Abgerufen am 17. Oktober 2021.
- ↑ Chair Professor. Department of Physics - National Sun Yat-sen University, abgerufen am 17. Oktober 2021.
- ↑ 國立陽明交通大學電子工程學系: 施敏 (Simon Sze) 終身講座教授. Abgerufen am 17. Oktober 2021 (chinesisch (Taiwan)).
- ↑ Simon Sze. IEEE Xplore, abgerufen am 17. Oktober 2021 (englisch).
- ↑ Simon Sze: Google Scholar. Google, abgerufen am 17. Oktober 2021.
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Sze, Simon |
| ALTERNATIVNAMEN | Sze, Simon Min |
| KURZBESCHREIBUNG | chinesischer Elektroingenieur (Taiwan) |
| GEBURTSDATUM | 21. März 1936 |
| GEBURTSORT | Nanjing |
