Diskussion:Plasmaätzen/Archiv
isotrop oder anisotrop
In den Meisten Büchern ist wenn man von Halbleitertechnolgien spricht von isotropen Ätzverfahren die Rede. Deswegen bin ich der Meinung das der der Begriff anisotrop in dem Artikel nichts zu suchen hat!
Siehe Bücher:
Silizium-Halbletertechnologie (3. Auflage); U. Hilleringmann; S.68
Halbleiter-Technologie (1. Auflage); H. Beneking; S.285
(nicht signierter Beitrag von Juergen.boehm (Diskussion | Beiträge) 17:35, 8. Mai 2007 (CEST))
Ist en:Plasma ashing der passende englische Artikel? Blubbalutsch 21:48, 27. Feb 2004 (CET)
- Sieht ganz so aus, ja. -- Lars R.
- Nein, ist es nicht. en:Reactive ion etching ist richtig, habe ich geändert. Beim Plasma Ashing werden m.E. in einem Gasplasma organische Schichten (meist nicht mehr benötigter Photolack) verbrannt - da werden keine Ionen im Plasma zur Waferoberfläche hin beschleunigt.--Mchelge 15:12, 19. Okt 2004 (CEST)
- Sieht ganz so aus, ja. -- Lars R.
Wird in dem Atrikel nicht einiges durcheinander geworfen?
Also soweit ich weiß, ist Plasmaätzen doch nicht gleich RIE (Reactive Ion Etching)? Beim Plasmaätzen hat man einen rein chemischen Ätzangriff durch reaktive Radikale am Substrat. Beim RIE hingegen hat man einen kombinierten physikalischen und chemischen Ätzangriff duch reaktive Ionen und Radikale (chemisch) und durch inerte Ionen (physikalisch). Bei geeigneter Prozessgaswahl kann man dann auch noch eine Seitenwandpassivierung erzielen. Mit RIE lassen sich auch anisotrope Ätzprofile (im Gegensätz zum reinen Plasmaätzen, wie z. B. beim Barrel Etching) realisieren. (nicht signierter Beitrag von 84.56.250.32 (Diskussion | Beiträge) 22:03, 26. Apr. 2007 (CEST))
- ich glaub auch dass da was schief läuft; mir fehlt nur leider das umfassende Hintergrundwissen ums zu verbessern ;) -- Ulli.winter 15:15, 9. Mai 2007 (CEST)
- Richtig! Hier in dem Artikel wurde RIE und PE (Plasma Etching) verwechselt. Das habe ich oben in dem Artikel "isotrop oder anisotrop" schon angemerkt. Das Problem ist das auch beim reaktiven Ionenätzen (RIE) mit Plasma gearbeitet wird. Der Einzige Unerschied besteht darin, dass Wafer hier nicht geerdet wird sondern auf einer HF-Wechselspannung liegt. In dem Artikel sollte deswegen eine Unterscheidung gemacht werden!
- Erst Plasma erklären, dann PE und danach RIE dann wird der Artikel schlüssig.
- Benutzer:Juergen.boehm 17:00, 10. Mai 2007 (CEST)
- Der Artikel ist chaotisch. Ich würde mich anbieten ihn zu überarbeiten und zumindest du Grundlagen vernünftig zu beschreiben. Alleridnmgs empfind ich den begriff "Plasmaätzen" als sehr unpräzise. Was ist eurer Meinung nach in dem Artikel beschrieben bzw. was soll beschrieben werden. Offensichtlich geht es um ein plasmaunterstütztes chemisches Trockenätzverfahren. Ist es aber nun "chemical dry etching" (CDE) oder das Plasmaätzen im Barrelreaktor? Da beid eVerfahren sich sehr ähneln könnte man sie zusammenfassen. Das RIE-Kram sollte aber kommplett raus, da dies ein Chemisch-physikalisches Trockenätzverfahren ist. Ich mach erstmal ein paar Schönheitskorrekturen bis sich hier wer äußert. --Cepheiden 12:18, 12. Jul. 2007 (CEST)
Showerhead
Im Artikel wird der Begriff "Showerhead" ohne Erklärung zweimal genannt. Es ist überhaupt nicht klar, was er bedeuten soll. Die naheliegende Übersetzung "Duschkopf" hilft leider auch nicht weiter. --81.173.142.250 16:00, 5. Jul. 2008 (CEST)
- Nunja, duschkopf passt schon ganz gut. Showerheads sind Gaseinläße bei Plasma- oder CVD-Anlagen die eine gleichmäßige Vertielung des Gasesbewirken soll. Oft sind es wie beimgewöhnlichen Duschkopf eine große kreisrunde Fläche mit gleichmäßig verteilten Löchern, ähnlich gewöhnlichen Duschköpfen. P.S. der Artikel ist eh sehr unübersichtlich und trennt das thema schlecht von benachbarten Themen ab. --Cepheiden 16:50, 5. Jul. 2008 (CEST)
änderung der seite
Ich habe nun zum zweiten mal den Abschnitt "Erklärung der Wirkungsweise" gelöscht. Unter dem Artikel wurde das "Advanced Reaktiv Ion Etching" oder "BOSCH-Prozess" beschrieben, und das hat hier höchstens was zu suchen als Hinweis auf weiter Verfahren. Leider wurde nach dem ersten mal löschen, wohl bei der Sichtung nicht zugestimmt. Hoffentlich klappts diesmal, in dem Artikel ist noch viel zu verbessern und das wäre mal ein Anfang.
Ich lern wohl doch lieber wieder mit Buch. ;-) Gruß (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 217.116.112.110 (Diskussion • Beiträge) 11:35, 24. Dez. 2008 (CET))
- Ich hab das wiederhergestellt und wer mich die Tage mal der Neugliederung der Artikelgruppe Ätzen annehmen. Sodass die Verfahren sauber getrennt werden. --Cepheiden 13:36, 11. Jan. 2009 (CET)
Abschnittslöschung
(Dieser Abschitt beinhaltete meines Wissens nach eine Beschreibung des "BOSCH-Prozess" bzw. Deep-Reaktive-Ion-Etchung (DRIE). Daher lösche ich den Absatz zum wiederholten male. Diese Problematik wurde auch schon mehrfach in der Disskussion angesprochen, jedoch wurde der Artikel nach dem löschen dieses Absatzes nie freigegeben.... Also bitte, freigeben. Die hier ehemals beschriebene Wirkungsweise hat meines wissens und nach "Mikrosystemtechnik für Ingenieure" von W. Menz und J. Mohr nichts mit dem Plasmaätzen zu tun. DRIE ist von der Wirkungsweise eher physikalisch statt wie Plasmaätzen chemisch, und beinhaltet zudem noch noch die Erzeugung einer Polymerschicht wie sie beim reinen Plasmaätzen nicht gewünscht ist. Gerne kann der sichtende auch diesen Absatz ganz löschen, die Wirkungsweise ist ja auch schon unter Funktionsweise erklärt. Des weiteren wurde auch schon im einleitenden Satz darauf hingewiesen das Plasmaätzen nicht mit RIE oder in diesem Falle DRIE zu verwechseln.) (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von Ratzefummel666 (Diskussion • Beiträge) 17:34, 3. Jan. 2009 (CET))
- Der Kommentar oben wurde aus dem Artikel hierherverschoben. Diskussionen und Kommentare bitte inicht in den Artikel! --Cepheiden 11:53, 11. Jan. 2009 (CET)
