Diskussion:Transistor-Transistor-Logik
Fehler in Abbildung
Im ersten Schaltbild gibt es 2 R3, aber der R rechts oben müsste R4 heissen. Kann das jemand korrigieren?(nicht signierter Beitrag von 195.145.36.201 (Diskussion) 10:57, 28. Nov. 2006 (CET))
Spannungsgrenzen
Im Artikel heißt es, die untere Grenze der Versorgungsspannung liegt bei 1,8 Volt, aber eine Eingangsspannung von 2,0 Volt wird erst als High-Pegel erkannt. Wie kodiere ich bei einer Spannung von 1,8 Volt dann den High-Pegel?
Wäre schön, wenn das jemand im Artikel klären könnte. Ormek 09:33, 24. Nov. 2006 (CET)
Quelle Springer?
in de.org.ccc meinte jemand der Artikel sei aus: Zinke, Otto: Lehrbuch der Hochfrequenztechnik. - Springer, Elektronik und Signalverarbeitung. - 1987. Waer ungut wenn das stimmen wuerde oder steht das Buch unter FDL? (nicht signierter Beitrag von 134.60.1.151 (Diskussion) 12:43, 27. Okt. 2004 (CEST))
ECL und I²L
Meiner Meinung nach sollte man noch einen Verweis auf die Emitter-Coupled-Logic ECL und Integrated Injection Logic I²L. (nicht signierter Beitrag von 80.133.221.104 (Diskussion) 11:03, 26. Mär. 2005 (CET))
Unbeschaltete Eingänge
Einerseits steht im Artikel: "Dennoch müssen unbenutze Eingänge der TTL-Schaltkreise auf ein festes Potenzial gelegt werden, damit sichergestellt werden kann, dass der Schaltkreis korrekt arbeitet"
Eine Besonderheit der TTL-Schaltung besteht darin, dass unbeschaltete Eingänge wirken, als lägen sie auf logisch 1.
Wie passt das zusammen? 16. August 2006 19:40 CEST (nicht signierter Beitrag von 194.97.221.14 (Diskussion) 19:35, 16. Aug. 2006 (CEST))
Q2 leitet => Q3 sperrt und Q4 leitet
müsste nicht die Basisspannung von Q3 um 0,7V höher liegen als die von Q4? Warum leitet dann Q4 und Q3 nicht? liegt das an der durch "D" erhöhten Emmitterspannung von Q3? (nicht signierter Beitrag von 88.65.72.107 (Diskussion) 21:50, 17. Aug. 2006 (CEST))
Funktionsbeschrieb
wenn beim aufgeführten NAND-Gatter U1 und U2 auf LOW sind, so kann am Ausgang aber kein LOW anliegen... das wäre nicht eine NAND-Funktion. Evtl müsste das der Beschrieb mit dem Signalverlauf richtig beschreiben. (nicht signierter Beitrag von 147.88.200.112 (Diskussion) 08:41, 2. Jul. 2007 (CEST))
- LOW NAND LOW ergibt aber HIGH. Der Artikel beschreibt es doch korrekt, dass nur wenn an beiden Eingängen HIGH anliegt, der Ausgang auf LOW liegt. Was ist da deiner Meinung nach nicht korrekt? --RokerHRO 11:58, 2. Jul. 2007 (CEST)
Low-Power-Schottky-TTL
Der Satz "Auf die Gatterlaufzeit hat das keinen Einfluss." stimmt gemäss der neusten Auflage (13. Auflage) von "Halbleiter-Schaltungstechnik" von U. Tietze und Ch. Schenk (Springer Verlag) nicht.
Auf S. 622 steht: "Sie [die Speicherzeit] tritt dann auf, wenn man einen zuvor gesättigten Transistor [...] sperrt. [...] Benötigt man schnelle Schalter, macht man von dieser Tatsache Gebrauch und verhindert, dass UCE sat erreicht wird." (nicht signierter Beitrag von 80.218.231.108 (Diskussion) 14:20, 4. Okt. 2010 (CEST))
