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Datei:High Electron MobilityTransistor - electron energy band structure (DE).svg

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Beschreibung

Beschreibung
English: Electron energy band structure of a high electron mobility transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode
Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode
Datum
Quelle Eigenes Werk
Urheber Cepheiden
Andere Versionen

Abgeleitete Werke dieser Datei:  HEMT-band structure scheme-en.svg

image:HighElectronMobilityTrasistor_Band_Image.PNG

according to D. J. Widiger, I.C. Kizilyalli, K. Hess, J.J. Coleman: Two-dimensional transient simulation of an idealized high electron mobility transistor. in: Electron Devices, IEEE Transactions on. Vol. 32 Issue 6, 1985, pp. 1092-1102

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aktuell11:58, 25. Feb. 2010Vorschaubild der Version vom 11:58, 25. Feb. 2010480 × 370 (26 KB)wikimediacommons>Cepheidenfixed spacer position

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