Quadruple Level Cells

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Bild zeigt eine zweieinhalb-Zoll-SSD mit grauer Oberfläche und schwarzem Text "Samsung Solid State Drive"
Eine SSD auf QLC-Basis: Samsung QVO 870 (8 TB)

Quadruple Level Cells (QLC), in der Regel Quad-Level Cell genannt, sind Flash-Speicher-Chips mit 16 Zuständen pro Zelle, also 4 Bit pro Speicherzelle.[1][2]

Die QLC-NAND-Flash-Chips können durch ihre 16 Zustände auf einem Die bis zu 768 Gigabit speichern. In einem einzelnen Chipgehäuse sind 96 Lagen geplant, wodurch dieses 9 Terabyte fassen würde.[3] Dadurch sollen SSDs mit weit über 100 TByte möglich werden.[4][5] Laut Ankündigungen von Toshiba sollen die Zellen bis zu 1000 Schreibzyklen überstehen, was in etwa dem Niveau aktueller TLC-Speicherzellen entspricht.[6] Zudem sollen die so gefertigten SSDs mit Hilfe weiterer Techniken eine äußerst niedrige Stromaufnahme im Idle-Betrieb aufweisen, was wichtig für WORM-Anwendungen (write once, read many) ist.[7]

Die Zellen waren seit 2008 von SanDisk und Toshiba in Entwicklung.[8] Seit 2018 sind auch Modelle für den privaten Endkunden auf dem Markt.[9] Mittlerweile (2021) befinden sich auch Speicherzellen mit noch größerer Informationsdichte (Penta-Level Cells – PLC) in Entwicklung.[10]

Siehe auch

Einzelnachweise