Diskussion:III-V-Verbindungshalbleiter

Bitte ausbessern:"III-V-Verbindungshalbleiter werden fast ausschließlich durch epitaktisches Wachstum erzeugt. Die Stoffe liegen für die einzelnen Epitaxieverfahren meist gasförmig vor und sind in diesem Zustand bereits in geringen Mengen hochgiftig."

Das stimmt so nicht. Gasförmig liegen die Stoffe nur bei MOCVD (MOVPE) vor. wobei hier nicht die Stoffe sondern metallorganische Verbindungen mit den Stoffen vorliegen. Diese sind dann auch hochgiftig. Bei MBE liegen die Stoffe nicht gaasförmig sondern fest bzw. flüssig vor und sind bis auf As auch nicht hochgiftig.

-- El gordo 16:42, 1. Mär. 2010 (CET)

Hi El gordo, dürfte ich Dich bitte, solche spezifischen Korrekturen gleich direkt im Artikel vorzunehmen? Ganz toll wäre es, mit einer (nachvollziehbare) Quelle.--wdwd 20:04, 1. Mär. 2010 (CET)

Ergänzung um BN

Neuere Entwicklungen nutzen auch die Eigenschaften von III-V-Verbindungshalbleitern mit größerer Bandlücke (s. auch Breitbandige Halbleiter), z.B. BN (5,8 eV). In den Fließtext konnte ich das einbauen, hat jemand die Möglichkeiten, auch die im Abschnitt "Eigenschaften" stehende Tabelle bzw. Grafik zu aktualisieren? Das sieht zumindest für die Grafik nach einer größeren Aktion aus. --Wosch21149 (Diskussion) 12:05, 6. Jun. 2015 (CEST)

BN ist ein "wide-bandgap"-Halbleiter, also mit großer/breiter Bandlücke, kein Material mit "breitbandiger Bandlücke" (mehr oder weniger großer Frequenzbereich). Aber lass uns das auf Diskussion:Halbleiter mit breitem Bandabstand klären. --Cepheiden (Diskussion) 22:07, 7. Jun. 2015 (CEST)

OK zum Ort der Diskussion. Allerdings versteh ich deine Bemerkung "breitbandiger Bandlücke" nicht, das hat niemand geschrieben. Das klappt nur, wenn du zu der zweiten Bedeutung (aus der Elektrotechnik) "Bandbreite" einen Bezug zur Frequenz konstruieren willst.

Meine Bitte hier war aber ganz anderer Natur: Inzwischen finden Materialien mit größerer Bandlücke (wie wir derartige Halbleiter dann benennen, spielt hier keine Rolle) Interesse und Anwendung. Das sollte nicht nur im Fließtext, sondern auch der Tabelle und/oder Grafik Berücksichtigung finden. --Wosch21149 (Diskussion) 23:02, 7. Jun. 2015 (CEST)

Ja, "breitbandiger Bandlücke" war wohl aus der Schnelle entstanden, wenn ich drüber nachdenke ergibt das so keinen Sinn. Aber hier genug davon.

Wenn entsprechende Daten vorhanden sind, sollte es keine Problem sein die Tabelle zu aktualisieren. Die Grafik ist auch mach, am besten zunächst ein SVG draus machen, dann sind Anpassungen einfach. Aus dem Diagramm schließe ich aber das beim Wurzit die Gitterkonstanten a und c direkt proportional sind, ist das so? --Cepheiden (Diskussion) 02:14, 8. Jun. 2015 (CEST)

Möglicher Fehler in der Datei:III-V-Halbleiter.png

Übertragen von Datei Diskussion:III-V-Halbleiter.png.--Nothere 14:09, 18. Okt. 2015 (CEST)

Hallo,

ich denke in dem Bild hat sich ein kleiner Fehler eingeschlichen. Die Linie von GaAs zu AlAs ist komplett durchgezogen, aber ich denke ab x=0,45 wird die Bandlücke indirekt. Quelle: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/bandstr.html Schönes Bild ansonsten!(nicht signierter Beitrag von 87.163.125.102 (Diskussion | Beiträge) 17:46, 2. Sep. 2007 (CEST))

Exakt. AlGaAs ist ab 0.45 indirekt. Leider. (nicht signierter Beitrag von 79.213.130.102 (Diskussion | Beiträge) 20:36, 23. Dez. 2008 (CET))

Tabelle der Gitterkonstanten für Mischkristalle

Ich habe versucht die Tabelle im Abschnitt "Berechnung der ternären Gitterkonstanten" übersichtlicher zu gestalten, bin mir aber nicht sicher ob das gelungen ist. Mein ursprüngliches Problem war, dass GaN in Zinkblende- und Wurzit-Struktur vorliegen kann, und nirgendwo ersichtlich war, dass in dieser Tabelle von zwei unterschiedlichen Kristallsystemen die Rede ist. (Lediglich das "a" und "c" in der Spalte für Stickstoff gaben einen Hinweis auf Wurzit, aber "a" ist eben auch die Gitterkonstante für Zinkblende...) Der ganze Abschnitt behandelt ja die Berechnung von Gitterkonstanten für Mischungen. Nirgendwo ist aber ersichtlich, dass man nur die Werte der ersten drei Spalten kombinieren darf (Zinkblende), bzw. die Werte der letzen beiden Spalten (Wurzit). Daher habe ich das Kristallsystem als Spaltenkopf hinzugefügt. Nun gibt es aber für GaN eine Gitterkonstante für Zinkeblendenstruktur, womit eine weitere Spalte hinzugekommen ist. Für InN und AlN finde ich aber keine Werte für die Gitterkonstante der Zinkblendenstruktur. (Wahrscheinlich weil ein reiner InN oder AlN Kristall nicht in Zinkblendenstruktur herstellbar ist.) Da es meines Erachtens aber möglich sein muss ternären Mischverbindungen mit AlN oder InN in Zinkblendenstruktur zu erzeugen (wenn auch mit geringem Anteil von Stickstoff, größtenteils ersetzt durch z.B. Phosphor), müsste es zumindest möglich sein Werte für den reinen Zinkblenden-Kristall von AlN und InN zu extrapolieren. Stimmt meine Annahme? Und kann jemand diese Werte liefern? LG, --Der schiefe Turm (Diskussion) 19:29, 5. Sep. 2017 (CEST)