Diskussion:NAND-Flash

Alter Beitrag

viele viele viele Worte - nixdestotrotz, eigentlich hab ich reingeschaut um mal den techn. Unterschied zwischen NAND und NOR Flash zu erfahren - es ist mir nicht wirklich gelungen Erleuchtung zu finden.

sinngemäß:

• im Flash Eintrag: ".. Serienschaltung in gewissen Gruppen .." (gewisse - häh?)
• hier: ".. Toshiba meint 2/5 der Fläche von NOR .." (weder die Literaturstelle noch der Hintergrund wird hier diskutiert, also sollte man solche Infos lieber weglassen ?)
• hier: "es gibt Blöcke, Gruppen, .. und die haben Eigenschaften .." (Leute die sich wie ich gerade nach dem Funktionsprinzip fragen würden dann vielleicht gern wissen was diese Strukturierung eigentlich soll.)

erhaltenswert:

• im Flash Eintrag: "serienschaltung macht den Zugriff aufgrund der höheren Widerstände langsamer" (nachvollziehbare info)

PS das ganze ist als konstruktive Kritik gemeint, wenn ich im die Antworten parat hätte würd ich sie wohl in den Artikel schreiben, ansonsten seiet fleißig und mehret eure Wikipedia Seiten ;-) (nicht signierter Beitrag von 82.83.42.225 (Diskussion) 14:37, 12. Feb. 2006 (CET))

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Zusatz Info mit hinein nehmen: Was bedeutet die Abkürzung "NAND" (bzw. auch "NOR")? Es wäre sicher ganz sinnvoll diese Info an den Anfang des Artikels zu stellen. Ich kenne sie leider nicht, was der Grund war diesen Artikel anzugucken. (nicht signierter Beitrag von 84.168.138.158 (Diskussion) 10:56, 5. Jan. 2007 (CET))

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Es wäre gut, dass eigentliche Funktionsprinzip noch mit aufzunehmen. Damit meine ich, wie wird der Speicher gelesen, geschrieben, bzw. gelöscht. Es wird in dem englischen Artikel zu Flash-Speicher beschrieben und müsste nur übersetzt werden. Wie an den übrigen Kommentaren zu sehen ist - und das ist auch mein Eindruck - ist der Artikel so nicht wirklich hilfreich. Ich würde mich auch mal dran versuchen, bin nur im Moment mit Lernen beschäftigt. Hab auch ehrlich gesagt noch nie einen Artikel hier bearbeitet.

--178.202.30.56 17:36, 30. Jan. 2011 (CET)

NAND-Technologie

Was ist NAND-Technologie im Zusammenhang mit Speichern? Das NAND stellt laut Artikel ein logisches Gatter dar. Von Speicher ist da nirgends die Rede. Es sollte also hier erlaeutert werden, in welcher Weise ein Gatter zum Speichern gebraucht werden kann. 134.91.141.39 13:29, 5. Jan. 2009 (CET)

Konnex eingefügt.--wdwd 16:15, 5. Jan. 2009 (CET)

Bei schnellem Speicher wird die Information in Flipflops gespeichert, die sind wie SRAM aus Gattern gebaut. EPROM, EEPROM, FLASH und DRAM speichern zwar die Information in einerm Kondensator, die einzelne Speicherzelle stellt zwar kein klassisches Gatter dar, betrachtet man dann aber die Ansteuerung mehrerer Zellen gibt es dann doch Gatter. Mehr in Flipflop und Random-Access Memory

Vielleicht sollte auch noch erläutert werden, wie Transistoren zu Gattern verschaltet werden? Gatter sind die Grundelemente der Logik, und daraus werden höhere Elemente konstruiert, Speicher, Addierer, Multiplizierer. Wenn du als Entwickler einen Mikroprozessor benutzen willst um ein Problem zu lösen, interessiert dich nicht die Zahl der Transistoren, Gatter, Technologie, sondern die Leistungsfähigkeit NUR für dein Problem, der Preis, die langfristige Verfügbarkeit, und die Zuverlässigkeit des Produkts und des Lieferanten..

Der Artikel erklärt ganz deutlich den Unterschied zwischen braunen und weißen Eiern (falls es da einen gäbe) ohne die Farbunterscheidung zu erklären.

Die wichtigen Aussagen:

NAND ist nicht als externer Programmspeicher für Microcontroller verwendbar. (Trotzdem wird es in Microcontroller integriert, wenn aber mal eine Page beim Wiederbeschreiben einen Fehler hat, ist der Chip unbrauchbar, falls man das Programm nicht individuell anpasst).

NOR ist TEUER, frei addressierbar, langlebig, zuverlässig, geringer Verschleiß, gut. NOR muß fehlerfrei sein, weil Programmspeicher fehlerfrei sein muß.

NAND ist BILLIG, brauchbar nur für Block Devices (Floppy, Harddisk), und hat einen RIESENVORTEIL: auch teilweise defekte Chips können als normale Chips verkauft werden. Bei Floppys und HDDs stören defekte Sektoren wenig, wenn sie vorab bekannt sind. NAND-Chips werden vom Hersteller mit einer garantierten Quote funktionierender Sektoren ausgeliefert, bei einem uralten Datenblatt wurden 95% garantiert. Natürlich ist dieser Prozentsatz nicht festgeschrieben, ich könnte mir vorstellen, wenn ein neuer Chip rauskomt, gleiche Fläche, kleinere Geometrie, höhere Kapazität, daß die Dinger mit 50% funktionierender Sektoren billig unter anderer Chipbezeichnung mit halber Kapazität verkauft werden. Ein 20GB CHip mit zu hoher Defektzahl würde dann also einfach mit anderer Typenbezeichnung als 10GB-Chip verkauft.

Zu Gattern:

Das Gatter ist das Grundelement der Logik, und der einfachste Speicher ist das Flipflop, gebaut aus zwei NAND- oder zwei NOR-Gattern. Im Artikel gibts ein Schaltbild der Schaltung mit Transistoren, und ein Schaltbild eines ungetakteten RS-Flipflop aus zwei NAND-Gattern.

Gatter sind eine Abstraktionsebene, und da gibts die Grundoperationen UND, ODER, NICHT, bzw. AND, OR, NOT. Technisch wurden die in TTL hauptsächlich als NAND, und NOT realisiert, NOR wurde seltener verwendet, ob es AND und OR gab weiß ich nicht mehr, es gab noch Exklusives Oder, XOR. Ein XOR mit zwei Eingängen hätte man sich auch zwei NANDs und einem NOR zusammenbasteln können, ist aber viel zu teuer. Im 14poligen Dual-Inline-Gehäuse waren 4 gleiche Gatter mit je zwei Eingängen untergebracht.

-- 213.188.116.52 11:23, 20. Feb. 2012 (CET)

NAND-Flash

Beitrag ist unverständlich. Entweder hat der Author den Aufbau noch nicht verstanden, oder er ist nicht in der Lage, die Kernidee zu vermitteln. Artikel muß dringend um die zentrale Idee ergänzt werden!

Benutzer (nicht signierter Beitrag von 141.16.180.210 (Diskussion | Beiträge) 14:37, 20. Aug. 2009 (CEST))

Dem kann ich mich anschließen. Das Wort "lesen" kommt im Artikel nicht vor. Kann man nur schreiben und wenn ja wie? Wie das aussieht muss man bis auf einen FET alle einschalten um dann den einen messen zu können. --Moritzgedig (Diskussion) 21:49, 19. Okt. 2014 (CEST)

Erwähnung der Hersteller

In der Einleitung werden bereits Hersteller aufgezählt. Für mich als Leser ist diese Information an dieser Stelle reichlich uninsteressant. Mir wäre wichtig gewesen zu erfahren, was NAND-Speicher ist, wie er funktioniert und wo er verwendet wird. Die Hersteller könnten in einem geeigneten Abschnitt erwähnt werden. --84.134.248.225 20:12, 10. Apr. 2011 (CEST)

TLC-Technologie fehlt

Siehe dazu bei Solid-State-Drive mit hilfreichem Infokasten zur "Lebensdauer". --Viktor (Diskussion) 03:55, 3. Nov. 2013 (CET)

Link fehlerhaft (Micron, 404)

Bei der Referenz "Micron: NAND Flash Controller via Xilinx Spartan-3 FPGA, Application Note TN-29-06. 2005 (Firmenschrift, englisch, PDF)." führt der Link auf eine "404"-Seite => Link scheint veraltet! --178.15.8.147 16:51, 9. Jun. 2015 (CEST)

Update: neue URL ist vermutlich: "https://www.micron.com/~/media/documents/products/technical-note/nand-flash/tn2906_nand_flash_controller.pdf" --178.15.8.147 16:56, 9. Jun. 2015 (CEST)

Bildunterschrift: "Zelle"? Unterschiedliche Pages?

Die Ergänzung der Bildunterschrift im Jahr 2008, nämlich "die einzelnen MOSFETs einer Zelle liegen in unterschiedlichen Pages innerhalb eines Blockes" ist für mich nicht einsichtig:

1. Ich glaube, man sollte hier bei dieser NAND-Serienschaltung nicht von einer "Zelle" reden, auch nicht unbedingt von "MOSFETs". Der Begriff "Zelle" wird eher für die physikalische Grundeinheit, also entweder für den Floating-Gate-Transistor oder die "cell" in CTF verwendet. Siehe auch multi level cell, triple level cell. Auch entpricht die Bildunterschrift inhaltlich nicht derjenigen im englischen Wikipedia, wo es heißt: NAND flash memory wiring and structure on silicon.
2. Ich schätze, dass die abgebildete Reihenschaltung (entlang einer Bitleitung) sehr wohl innerhalb einer Seite (Page) liegen kann oder sogar immer liegt. Wie sonst würde man ein Byte bzw. ein Wort INNERHALB einer Page ansprechen? Mit der Wordleitung adressiert man das Wort, mit der Bitleitung das Bit des Bytes/Worts innerhalb der Page. Als Quellen fand ich hier (FH, Augsburg) auf pdf-Seite 13 (Folie 17) "Beim Lesevorgang wird die Lesespannung an die Wort-Zeile gelegt. Alle anderen Transistoren der Bit-Zeile werden eingeschaltet (10V). ....Programmierung .. Auflösung: Byte".
   Auch hier (Schiffmann et al.) auf S. 185 sieht man eine schematische Aufteilung in Blöcke, Pages, Bitlines und Byte(Word)lines. Warum sollten die FloatingGate-Transistoren nicht an Wortleitungen in derselben Page liegen können? Ich glaube, sie MÜSSEN sogar zur selben Page gehören, wenn man EIN Byte (bzw Wort) liest: ein Wort liegt wohl innerhalb EINER Page, nicht auf mehrere Pages verteilt.

Ich schlage also als Bildunterschrift ungefähr sowas vor:
  NAND-Flash-Speicher (Ausschnitt), bei dem die Einzel-Elemente (hier Floating-Gate-Transistoren) entlang einer Bit-Leitung in Serie geschaltet sind.
Kommentare?
--PG64 15:14, 26. Sep. 2015 (CEST)

Hi, die Zeichnung ist nur stark vereinfacht. Eine (von vielen) gute Darstellungen zum technischen Aufbau von NAND-Zellen und theoretischer Hintergrund dazu findet sich in Nonvolatile Memories - NOR vs. NAND Architectures. Mehr von der Anwenderseite, auch wie dies mit diesen Block und Pages so ist, in den diversen App Notes, z.B. App Note: TN-29-19: NAND Flash. Gegen eine Erweiterung und Anpassung des Artikels spricht natürlich nichts.--wdwd (Diskussion) 16:44, 26. Sep. 2015 (CEST)

Hi, danke für die Antwort. Ich denke, bei Punkt 1 ("Zelle") ist die neue Formulierung weniger missverständlich.

Zu Punkt 2 glaube immer noch, dass die Wordlines der abgebildeten FG-MOSFET-Verkettung (Ausschnitt aus NAND-Flash) nicht unbedingt in verschiedenen Pages, sondern eher in derselben Page liegen. Nach einigem Nachdenken glaube ich zwar, dass mein obiges Argument ("ein Wort liegt in EINER Page") nicht stichhaltig ist. Eher ist das Argument stichhaltig, dass die Daten bei NAND-Flashs Page-weise gelesen werden (zB auf S. 6 in Deinem Link Micron App. Note). Dann müssten doch die abgebildeten WordLines zu derselben Page gehören?

Kannst Du mir beim Punkt 2 helfen, zu dem Du damals Du schriebst, die WordLines lägen in unterschiedlichen Pages? So explizit finde ich es nicht in den Links, eher (wie beschrieben) Hinweise aufs Gegenteil.

--PG64 19:35, 26. Sep. 2015 (CEST)

Ich muss eingestehen, dieses Detail von damals selbst nicht mehr nachvollziehen zu können - möglicherweise ist das falsch. Nach (kurzer) Suche habe ich keine eindeutige Info gefunden über welche Speicherbereiche sich die Word-Line zieht - also die horizontale Leitung in den Diagrammen in oben erwähnten NAND Architectures, Fig 2.5 auf Seite 34. Auch wie viele Bit-Lines, vertikale Leitung und Kette von cells (FETs), dabei nebeneinander angeordnet werden und wie die verschalten werden ist offen. Im Prinzip kommt dabei ein Array von Word_Line * Bit_Line heraus, die dann in das Speicherarray in Form von Bytes, Pages und Blocks abgebildet werden, wie in App Note: TN-29-19 Diagramm 3 auf Seite 3 dargestellt. Wie aber dieser Schritt und die Anordnung erfolgt, ob das einheitlich ist oder je nach Hersteller unterschiedlich gehandhabt wird, kann ich Dir nicht sagen.--wdwd (Diskussion) 14:37, 27. Sep. 2015 (CEST)

Handelsmarken

Kann man diverse Handelsmarken einem Hersteller zuordnen? Auf dem Markt sind ja z. B. noch ADATA, Kingston, Sony (Speicherkarten), Transcend, Intenso, Emtec, Intel, sowie diverse größere Motherboard- und PC-Hersteller?--Giftzwerg 88 (Diskussion) 12:33, 7. Mai 2021 (CEST)

NAND-Gatter mit Speicherzellen?

Direkt als zweiter Satz steht im Artikel "Hierbei sind die Einzel-Speicherzellen (Floating-Gate-Transistoren oder Charge-Trapping-Speicherzellen) wie bei einem NAND-Gatter seriell verschaltet." Ein NAND-Gatter enthält gar keine Speicherzellen, deswegen frage ich mich, was einem hier (eigentlich) gesagt werden soll. -- Pemu (Diskussion) 00:37, 4. Jul. 2022 (CEST)

Hallo, ich glaube das wurde im Laufe der Zeit etwas verdreht (Original: Spezial:Diff/54944182). --Cepheiden (Diskussion) 18:58, 4. Jul. 2022 (CEST)

Habe den Text angepasst. -- Pemu (Diskussion) 02:35, 7. Aug. 2022 (CEST)

Sichtung

Die aktuell ungesichtete Änderung von Cybersec22 finde ich in Bezug auf die Hersteller gut, aber in Bezug auf die Einsatzorte kommt ja Redundanz ins Spiel, da es ja noch "Einsatzbereiche" gibt. -- Pemu (Diskussion) 02:35, 7. Aug. 2022 (CEST)

So, denke ich, ist es ok. -- Pemu (Diskussion) 00:31, 23. Aug. 2022 (CEST)