Backward-Diode

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Die

Backward

-Diode (dt. Rückwärtsdiode, auch engl. „

back diode

[1]) ist eine Sonderform der Tunneldiode.

Funktionsweise

Im Vergleich zur normalen Tunneldiode wurde der charakteristische Stromhöcker fast vollständig unterdrückt. Durch diese Eigenschaft hat die Backward-Diode einen ca. 0,5 V breiten Bereich in der Strom-Spannungs-Kennlinie, in dem sie einen nahezu konstanten Strom aufweist, der als Sperrstrom interpretiert werden kann. Zu beachten ist, dass das Kennlinienbild gegenüber der üblichen Darstellung bei der Tunneldiode um 180° gedreht ist.

Die Backward-Diode wird also in umgekehrter Richtung betrieben, daher auch ihr Name. Der fast flache Kennlinienbereich bis zu einer Spannung von etwa 0,5 V wird als Sperrbereich genutzt. Danach geht die Kennlinie wieder in den exponentiellen Verlauf einer normalen Diode über. Die Backward-Diode hat eine niedrige Durchlassspannung (niedriger Innenwiderstand) und weiterhin die hohe Geschwindigkeit der ursprünglichen Tunneldiode.

Ihr Einsatzgebiet war vor allem die Hochfrequenztechnik. Verwendet wurde sie hier als Gleichrichter, in Mischerschaltungen oder in Hüllkurvendemodulatoren bei kleinen Signalpegeln. Durch die Entwicklung alternativer aktiver Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik ist die Bedeutung der Backward-Diode fast völlig verloren gegangen und sie ist daher nur noch schwer erhältlich.

Literatur

  • Wolfgang Bauer, Hans Herbert Wagener: Bauelemente und Grundschaltungen der Elektronik. Band 1: Bauelemente. 2. Auflage, Carl Hanser Verlag, München/Wien 1981, ISBN 3-446-13305-4.
  • Franz Moeller, Hans Fricke, Paul Vaske, Heinrich Frohne: Grundlagen der Elektrotechnik. 17. Auflage, Springer Fachmedien, Wiesbaden 1986, ISBN 978-3-519-36400-9.
  • Michael Reisch: Elektronische Bauelemente. Funktion – Grundschaltungen – Modellierung mit SPICE. Springer Verlag, Berlin / Heidelberg 1998, ISBN 978-3-662-06988-2.
  • Leonhard Stiny: Aktive elektronische Bauelemente. Aufbau – Struktur – Wirkungsweise – Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile. Springer Fachmedien, Wiesbaden 2015, ISBN 978-3-658-09153-8.

Weblinks

Einzelnachweise

  1. John B. Hopkins: Fabrication and Characteristics of Microwave Backward Diodes in Indium Arsenide. National Aeronautics and Space Administration, 1969, S. 2 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).