Borsubarsenid
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| Kristallstruktur | |||
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| _ B3+ _ As3− | |||
| Kristallsystem |
kubisch | ||
| Gitterparameter |
0,4777 nm | ||
| Allgemeines | |||
| Name | Borsubarsenid | ||
| Andere Namen |
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| Verhältnisformel | B12As2 | ||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||
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| Eigenschaften | |||
| Molare Masse | 279,58 g·mol−1 | ||
| Sicherheitshinweise | |||
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| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | |||
Borsubarsenid ist eine chemische Verbindung des Bors aus der Gruppe der Arsenide. In der Literatur wird häufig der mehrdeutige Name Borarsenid verwendet.
Gewinnung und Darstellung
Borsubarsenid kann durch pyrolytische Zersetzung von Diboran und Arsenwasserstoff oberhalb von 920 °C gewonnen werden.[2]
Eigenschaften
Borsubarsenid besteht aus Bor-Ikosaedern mit dazwischenliegenden As2-Gruppen, weist einen Bandabstand von 3,47 eV auf und wird ausgehend von einem Substrat auf Siliciumcarbid gezüchtet.[3]
Bei Raumtemperatur weist Borsubarsenid eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit λ von über 2 kW/(m·K) auf, was ungefähr der Wärmeleitfähigkeit von Diamant entspricht.[4]
Einzelnachweise
- ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
- ↑ J. L. Boone, T. P. Vandoren: Boron arsenide thin film solar cell development. In: NASA STI/Recon Technical Report N. Band 81, September 1980, S. 14445, bibcode:1980STIN...8114445B.
- ↑ Semiconductor Research. University Bristol, Applied Spectroscopy Group. Archiviert vom Original am 1. Februar 2014. Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis. Abgerufen am 20. September 2013.
- ↑ L. Lindsay, D. A. Broido, T. L. Reinecke: First-Principles Determination of Ultrahigh Thermal Conductivity of Boron Arsenide: A Competitor for Diamond? In: Physical Review Letters. Band 111, Nr. 2, 2013, S. 025901, doi:10.1103/PhysRevLett.111.025901.
