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Datei:DRAM-Zelle (trench).svg
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| Beschreibung |
Deutsch: Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in Planar-Technologie. Der Kondensator ist als "Grabenkondensator mit Poly-Si-Platte" (engl. poly plate trench capacitor). Eine andere Variante wäre der "Grabenkondensator mit vergrabener Platte" (engl. buried plate trench capacitor)
English: Cross-section of a DRAM cell in 3D stack technology. The capacitor here is a polysilicon plate trench capacitor |
| Datum | |
| Quelle | Eigenes Werk (Originaltext: selbstgezeichnet) |
| Urheber | Cepheiden |
| Andere Versionen |
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Ursprüngliches Datei-Logbuch
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- 2008-02-23 15:45 Cepheiden 301×213× (11200 bytes) {{Information |Beschreibung = Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in 3D-Stack-Technologie. Bei dem Kondensator handelt es um einen ''sehr einfachen'' Stapelkondensator (engl. ''stacked capacitor''). |Quelle = selbstgezeichnet |Urheber = [[BenutzerCephei
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|---|---|---|---|---|---|
| aktuell | 08:53, 30. Jul. 2009 | | 301 × 213 (11 KB) | wikimediacommons>Cepheiden | {{Information |Description={{de|Querschnitt (Schema) einer DRAM-Zelle in Planar-Technologie. Der Kondensator ist als "Grabenkondensator mit Poly-Si-Platte" (engl. ''poly plate trench capacitor''). Eine andere Variante wäre der "Grabenkondensator mit verg |
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