Diskussion:Feldeffekttransistor/Archiv

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Bild des JFETs

Das Bild des JFETs im Artikel ist ein Witz - so etwas ist praktisch kaum realisierbar. --Qdr 01:54, 9. Aug 2004 (CEST)

praktisch wirds so nicht gemacht, da der effekt mit halbleiterschichten erzielt wird. das bild sollte auch nur ein modell zwecks einfachen verständnisses sein, aber ich kann mir das bild ja nochmal vornehmen. --Pythagoras1 13:44, 10. Aug 2004 (CEST)
Also so wie es momentan ist verwirrt es eher als dass es nutzt. Ich habe es deshalb mal entfernt. --Jdiemer 19:02, 16. Feb 2005 (CET)

Oh jeee .... wie soll das denn jemand verstehen? Die Bilder auf der rechten Seite sind ja grausig! (nicht signierter Beitrag von 134.130.38.167 (Diskussion | Beiträge) 23:24, 15. Sep. 2005 (CEST))

Kann mich meinen Vorrednern nur anschließen, man sollte wenigstens darstellen, dass der Kanal in der Nähe vom Drain enger ist als an der Source. --DB1BMN 22:16, 11. Okt 2005 (CEST)

FET-Grundschaltungen

Der Absatz "FET-Grundschaltungen" ist falsch, die Schaltungsbeispiele sind entweder falsch (Drainschaltung) oder unvollständig (Sourceschaltung und Gateschaltung) Ich habe den Absatz "FET-Grundschaltungen" erstmal nur auskommentiert, sodass er nicht mehr zu sehen ist. könnte das bitte jemand richtig stellen? gruß --Cepheiden 15:29, 18. Apr 2006 (CEST)

Wenn du mir verrätst, was daran unvollständig bzw. falsch ist, korrigiere ich die Grafik gerne. Ich habe sie dem Tietze-Schenk entnommen und dachte eigentlich, sie dort korrekt abgezeichnet zu haben. Gruß -- Chriki01 18:06, 18. Apr. 2006 (CEST)

Hi, also wenn du die wirklich aus dem Tietzke-Schenk so entnommen hast, dann solltest du das Buch reklamieren, denn da hat dich jemand übers Ohr gehauen. zum Thema, in den Schaltungen ist diverses fehlerhaft. z. B. fehlt bei allen eine Drainspannung, bei deinen Schaltungen würde nie eine wirkliche Ausgangsspannung Ua abgreifbar sein, denn es kann ohne die Drain/Versorgungspannung kein Drainstrom fließen (Rauschen mal ausgenommen). Deine Drain- und Sourceschaltungen sind nahezu identisch. Außer dass du das Bulk anders verbunden hast. Die Bezeichnung richtet sich nach dem FET-Anschluss, der weder als Eingang noch als Ausgang der Schaltung dient.
Für die Source-Schaltung fehlt wie gesagt die Versorgungspannung und mindestens ein Drainwiderstand. Ansonsten hast du bei einem idealisierten FET (u. a. kein Kanalwiderstand) einen wunderschönen Kurzschluß. das geht also nicht.
Bei der Drain- und Gateschaltung siehts ähnlich aus. Bei der Drainschaltung wird übrignes die Ausgangsspannung am Source abgegriffen, vgl. Transistorgrundschaltungen.
Insgesammt sollte das aber in einen extra Artikel oder in den Transistorgrundschaltungen-Artikel. Im FET-Artikel sollte meiner Meinung nach nur eine kurze erwähnung und dann ein verweis stehen. gruß --Cepheiden 18:35, 18. Apr 2006 (CEST)
Kurz zum Tietze-Schenk: Er ist DAS Standard-Werk der Halbleitertechnik in mittlerweile der 12. Auflage - deswegen glaube ich nicht, dass er fehlerhaft ist. Aber egal, das steht hier ja nicht zur Debatte. :-)
Die Schaltungen sind in der Tat nicht praxistauglich, da gebe ich dir recht. Wobei aber die Frage bleibt, ob sie das sein sollen oder ob es nciht gneügt, das Prinzip an sich zi erklären. (Theorie vs. Praxis, wie so oft :-) Wenn du wirklich mit Versorgungsspannungen und Widerständen anfängst, hast du für jede Gundschaltung unzählige Varianten. Damit ist die Schaltung zwar praxistauglich, aber nicht allgemeingültig fürs Grundverständnis und zunächst mal recht unübersichtlich..
"Meine" Drainschaltung greift die Ausganggspannung übrigens am Source ab, beachte das gespiegelte Gate - da steht der gesamte Mosfet Kopf. Damit wären wir dann auch beim Unterschied zur Source-Schaltung. Und wo bitte hat ein Mosfet einen Bulk? :-)
Über das Einfügen in den den Transistor-Grundschaltungs-Artikel lässt sich reden, ich habe ihn erst durch deinen Link entdeckt. Noch lieber allerdings wäre mir dann ein separater Artikel für Mosfet-Grundschaltungen, um Verwirrung zu vermeiden. "Einfache" Transistoren und FETs sind zwar ähnlich, aber haben leider auch eine Menge Unterschiede. Grüße -- Chriki01 21:10, 18. Apr. 2006 (CEST)
Ich habe nicht den Titzke-Schenk angezweifelt sondern deine Version/Exemplar oder gar dich. In meiner 8. und 11. Auflage des Buches ist ein deutlicher Unterschied zu deinen Schaltungsvarianten zu erkennen. Deine ergeben keinen schaltungstechnischen Sinn. Versorgungsspannung ist NOTWENDIG, da sonst kein Strom fließen kann, der bei den eingesetzten Widerständen für einen Spannungsabfall sorgt. Diese Spannungsabfälle ergeben dann je nach Schaltung die Ausgangsspannungen. Das sich da einige Varianten ergeben ist nun mal so, erstrecht, wenn noch die verschiedenen Gegen- und Mitkopplungen mit erwähnt werden sollen. Bei deinen Schaltungen (Source- und Drainschaltung) wird lediglich durch die Eingangspannung der Kanal verändert (je nach FET-Typ). Drainstrom fließt da keiner. Das sieht man eigentlich und auch im Tietzke-Schenk ist das so (kann dir gern einen Scan schicken)
Jeder Schaltungstechniker und Technologe wird dir sagen, dass Transistoren eigentlich 4 Anschlüsse haben. Das gilt vor allem bei Dünnschichttransistoren (Ausnahme Transistoren in Silicon-on-insulator-Technologie). Der 4. Anschluss, das Substrat (auch Bulk genannt), ist technisch bedingt und kein muss. Für eine genaue Modellierung des Bauelements ist dieser Anschluss aber notwendig (kann man auch im Tietzke-Schenk nachlesen (Kapitel 3: Feldeffekttransistor 1. Absatz oder auch 3.2.1 integrierte MOSFETs)). Beim MOS-FET-Schaltungssymbol wird dass durch den mittleren Anschluss ausgedrückt (zwischen Drain und Source). Bei deinen Schaltungen ist es mit Source verbunden, es kann aber auch mit Drain verbunden wird. Deswegen lässt man es bei allgemeinen Schaltungen offen (wie auch im Titzke-Schenk).
So zur Drainschaltung. Ich hab oben schon einen Satz erwähnt, woher die Namen für die 3 Schaltungsarten kommen. Der Aufbau der 3 Grundschaltungsarten beim FET ist analog zu den beim Bipolar-Transistor (die Eigenschaften unterscheiden sich natürlich). Schau dir einfach mal eine Kollektorschaltung an, dann solltest du wissen, wie eine Drainschaltung aussieht.
Nur nebenbei FETs sind meist symmetrisch aufgebaut. Was source und was Drain wird daher definiert oder halt durch die Schaltung bestimmt.
Wie gesagt kann man das in Schaltungstechnikbüchern nachlesen, was und warum du evtl. etwas weggelassen hast, kann ich nicht nachvollziehen. Die Beispielschaltungen sind jedenfalls nicht richtig. --Cepheiden 00:47, 19. Apr 2006 (CEST)
Ich biete die 12. (aktuellste) Auflage. Allerdings ist es ein halbes Jahr her, dass ich die Grafik erstellt habe, deswegen garantiere ich jetzt für nichts. Nachvollziehen kann ich es derzeit leider auch nicht, da meine Bücher derzeit in diversen Umzugskartons versenkt sind - und der mit dem Tietze-Schenk ist der Unterste von allen :-/
Aus diesem Grund klinke ich mich jetzt auch aus der Diskussion aus, ohne dass ich meinerseit nochmals nachlesen kann ist sie recht sinnlos.
Die Visio-Datei, aus der ich die Grafik erstellt habe, müsste ich noch auf Festplatte haben. Solltest du Interesse haben die Grafik zu ändern lasse ich sie dir gerne als Grundlage zukommen.
Gruß -- Chriki01 09:28, 19. Apr. 2006 (CEST)
Wie Du willst, wenn du interesse hast kannst du dir ja mal dieses PDF anschauen. Da sind die sachen auch nochmal kurz erklärt. Mir fehlt derzeit leider die Zeit um mich selbst darum zu kümmern. --Cepheiden 09:52, 19. Apr 2006 (CEST)

Überarbeiten

Die Liste der Vor- und Nachteile ggü Bipolaren ist doch eher schwach und erklärt nichts. -- Smial 13:26, 26. Apr 2006 (CEST)

Warum stimmt das mit der geringeren Verlustleistung von Feldeffekttransistoren gegenüber Bipolartransitoren nicht (spezielle Bauformen ausgenommen)? --Cepheiden 15:16, 26. Apr. 2006 (CEST)
weil das nur für spezielle Anwendungen gilt, z.B. Schaltbetrieb an vergleichsweise kleinen Spannungen mit hohen Strömen (Automotive, Schaltnetzteile aka Onboardregler). Bei analogen Anwendungen hängt die Verlustleistung von der Anwendung und kaum vom Transistortyp ab. Bei sehr hohen Spannungen und hohen Strömen haben bipolare bzw. insbesondere IGBTs gegenüber FETs wieder Vorteile bei den Verlusten. Folglich ist der Satz "FETS haben geringere Verlustleistungen als Bipolare" in dieser Schlichtheit einfach falsch. -- Smial 15:58, 26. Apr 2006 (CEST)
Wenn alle Mischformen und verschiedenste Anwendungsformen betrachtet werden sollen, dann kann man das mit Vor- und Nachteilen gleich ganz streichen. Immerhin wurden viele (u. a. IGBTs) für spezielle Anwendungsfälle entwickelt um so bestimmte Nachteile zu kompensieren. Hier sollten aber wirklich nur die Grundtransistortypen (Bipolar, FET (MOSFET, JFET)) behandelt werden. Selbst wenn man da analog und digital betrachtet ist das schon ein ganzer Artikel. Es sollte ausreichen den statischen und den dynamischen Betriebsfall zu betrachten. --Cepheiden 16:20, 26. Apr 2006 (CEST)
Gerade mal bei einem Hochvolt FET nachgeschaut (IRHM7460): Rds(on) 0.32 Ohm, Id(max) 18A gibt knapp 6V Uds, entsprechende Darlingtons kommen auf etwa 3V runter, ein NTE2317, auch für 500V hat Uce(sat) typisch 1.09V bei Ic=8A. Ich halte das nicht für einen speziellen Anwendungsfall. Analoge Anwendungen (bei denen die genannten Werte irrelevant sind) sind auch nicht speziell. Entweder man schreibt es richtig auf oder man läßt es besser weg. -- Smial 16:24, 26. Apr 2006 (CEST)
Das Bild "Grundtypen von Feldeffekttransistoren" ist falsch!! Die Pfeile bei allen p - Kanal FETs sind verkehrt gezeichnet

MfG (nicht signierter Beitrag von 149.205.103.4 (Diskussion | Beiträge) 05:32, 27. Jun. 2006 (CEST))

Inversion beim JFET

Hi Cepheiden. Du schriebst soeben den Abschnitt zur Funktionsweise des JFET mit einem Verweis auf Inversion. Kommt es denn beim JFET wirklich zur Inversion? Theoretisch ist das sicher möglich, kommt es denn in der Praxis dazu, so dass sich eine Erwähnung anbietet? Im Artikel zum JFET finde ich leider nix dazu. Grüße, norro 23:57, 1. Mai 2006 (CEST)

Da war ich wohl etwas vorschnell. Es nur eine Verarmung. Inversion wird eigentlich nie erreicht. ich behab das mal. --Cepheiden 12:09, 2. Mai 2006 (CEST)

Bild "Grundtypen von Feldeffekttransistoren"

Das Bild "Grundtypen von Feldeffekttransistoren" ist falsch!! Die Pfeile bei allen p - Kanal FETs sind verkehrt gezeichnet (nicht signierter Beitrag von 149.205.103.4 (Diskussion | Beiträge) 05:34, 27. Jun. 2006 (CEST))
nein--Ot 06:14, 27. Jun 2006 (CEST)
Das liegt evtl. daran, dass es n-Kanal-MOSFETs sind und nicht p-Kanal! Allerdings wird das weder durch den Dateinamen noch im Bild deutlich. Ist aber eigentlich egal, da es nicht verwendet wird und auch weil es für die Erklärung der Schaltungsvarianten unerheblich ist ob p-Kanal oder n-Kanal. gruß --Cepheiden 11:11, 27. Jun 2006 (CEST)
Mhh hatte mich wohl auf ein anderes Bild bezogen. Die Übersicht im Artikel ist aber trotzdem richtig (wenn auch nciht unbedingt schön) --Cepheiden 13:05, 27. Jun 2006 (CEST)

Für das bessere Verständis sollte im Bild anstatt Anreicherungs- und Verarmungstyp, selbstsperrend bzw selbstleitend hinzugefügt werden. Auch sollte überlegt werden, ob bei Sperrschichtfet nicht evt. noch J-Fet stehen sollte. (nicht signierter Beitrag von 88.67.202.56 (Diskussion | Beiträge) 11:08, 13. Jul. 2008 (CEST))

Funktionsweise

da ich nicht weiß wie ein Bipolartransistor funktioniert hat mir die Beschreibung der Funktionsweise nicht gut gefallen. Um mal kurz zu schauen was ein FET ist, hilft dies wenig. Empfehle Überarbeitung. Danke. --Hironimus76 08:32, 7. Feb. 2007 (CET)

Das sind zwei komplett unterschiedliche Bauelemente. Um eines davon zu verstehen, benötigt man kein Verständnis für das andere Bauelement. Aber ich geb zu besonders gelungen ist die FET-Erklärung nicht, auch wenn man für das Verständnis nochmals zwischen MISFET und JFET unterscheiden muss. --Cepheiden 20:28, 7. Feb. 2007 (CET)

MISFET

kenn ich nicht und noch nie gehört. Quelle? gruß--Ot 17:46, 22. Okt. 2007 (CEST)

Dann sicher IGFET auch nie. Dann solltest du nächstmal bitte vorher die Texte lesen, die du änderst.Quellen?
  • F. Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente - Einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. Springer, 2005.
  • B. Yacobi: Microdevices - Semiconductor materials - An introduction to basic principles. Kluwer Academic, 2003.
  • Infineon Technologies (Hrsg.): Technische Erlauterungen Und Kenndaten. Wiley-VCH Verlag GmbH, 2001.
  • uvm.
(nicht signierter Beitrag von Cepheiden (Diskussion | Beiträge) 17:57, 22. Okt. 2007 (CEST))
IGFET doch - ich schau mal. Gruß--Ot 18:05, 22. Okt. 2007 (CEST)

meine auflage: Halbleiter - Schaltungstechnik. von Ulrich Tietze, Christoph Schenk, und Eberhard Gamm kennt den misfit nicht. Googel findet auch nix brauchbares. Aber ich bin ja lernfähig. Gruß--Ot 18:26, 22. Okt. 2007 (CEST)

Im Tietzke-Schenk ist ein Halbleiterschaltungsbuch, das sich explizt mit der CMOS-Technologie beschäftigt. Da der MOSFET der mit deutlichem Abstand meistgefertigte MISFET ist, ist die Erwähnung nicht zwangsläufig notwendig. Als Isolator muss aber nicht zwangsläufig ein Oxid eingesetzt werden, auch wenn zukünftige ICs high-k-Materialien wie Hafniumoxid, also Metalloxide, nutzen werden. Von der Kategorisierung her ist das aber nicht ganz korrekt. Eine Quelle wo das ausführlich behandelt wird, gibts wahrscheinlich nicht, da der ganze Sachverhalt eigentlich trivial ist. Der IGFET benötigt einen Isolator (-> MISFET), wozu beispielsweise SiO2 genutzt werden kann (->MOSFET). An der Funktionsweise/Prinzip ändert das rein garnichts. Grüße P.S. sowas wurde auch schon weiter oben auf dieser Seite diskutiert. --Cepheiden 18:38, 22. Okt. 2007 (CEST)
ich wundere mich nur, dass ich es nicht kenne. Immerhin habe ich in einer enticklungsabteilung u.a. den BUZ 50 von siemens eingesetzt. Aber mein wissen ist wohl eher auf der ing-anwenderseite als auf der physikerseite, die diese MOSFETS entwickeln. Wieder was gelernt. Gruß--Ot 19:36, 22. Okt. 2007 (CEST)
Mit der Ingenieur- bzw. Physikerbetrachtungsweise hat das rein garnichts zu tun. Eher damit, dass MOSFETs absolute dominieren und daher nie die höherliegende Gruppe von FETs betrachtet werden. Aber der Isolator muss halt kein Oxid sein, deswegen ist die Klassifizierung ungenau wenn man MISFET vernachlässigt.--Cepheiden 13:46, 23. Okt. 2007 (CEST)

Animation

Funktionsprinzip

Hallo!

Vielleicht wäre das ja mal ein Modell für einen FET. Nicht perfekt, aber man sieht wenigstens was.

Sie soll das Grundprinzip eines Feldeffekttransistors zeigen. Die Gatespannung (Hier ein Wasserdruck) drückt auf einen Kolben, der einen Gummiball zusammendrückt. Je mehr er zusammengedrückt ist, desto mehr Wasser fließt an ihm vorbei.

Schreibt mir eure Kommentare und Anregungen!

Danke schonmal! :-) Quark48 22:16, 16. Mär. 2008 (CET)

Ich finde es sehr schön, sollte unbedingt rein! Ich wollte gerade nach der Funktionsweise in diesem Artikel gucken und hab es im Artikel nicht wirklich erklärt gefunden (also WO jetzt Spannung anliegen muss, damit WOHER Strom WOHIN fließt!). Das wird durch das Bild erklärt. Hervorragend, vielleicht sollte in den Artikel aber dazu noch eine kurze Bemerkung. --yhamm (nicht signierter Beitrag von 80.144.87.155 (Diskussion | Beiträge) 23:10, 17. Mär. 2008 (CET))

Du hast recht, im Artikel steht eigentlich gar nicht drin, WO man überhaupt Spannung anlegen muss usw.! Jetzt steht ein kleiner Satz drin: "Der Strom ... kann mit einer Spannung am Gate gesteuert werden." Grafik ist jetzt im Artikel drin. Reklamationen bitte hierher oder an mich. Danke. Quark48 19:26, 18. Mär. 2008 (CET)

Aufmöbeln

So, da hier gerade schon so viel passiert, macht es wahrscheinlich Sinn, den Artikel generell etwas aufzumöbeln. Ich habe mir dazu auch etwas Literatur verschafft. Dort finde ich die Unterteilung von FETs in IGFETs und NIGFETs, die mir Sinn zu machen scheint (habe die Artikel deswegen vorhin angelegt). Grundsätzlich würde ich das deswegen gerne auch in diesem Artikel so handhaben, wundere mich allerdings darüber, dass bisher weder in diesem Artikel noch im Artikel Transistoren derart unterschieden wird (im Artikel zu Transistoren wird zwischen bipolaren und unipolaren unterschieden und ansonsten nur aufgezählt). Spricht irgendetwas gegen diese Unterteilung? Gibt es evtl. weitere Gruppen von FETs, die sich nicht dort hineinsortieren lassen? Gruß, norro 23:40, 11. Mai 2006 (CEST)

Das sind im Grunde nur Synonyme. IGFET wird auch als MISFET (Metal insulator semiconductor fet) bezeichnet. Und NIGFET fasst halt JFETs uns MeSFETs zusammen. Ist also maximal eine alternative Einordnung, aber halt nur Synonyme. Weitere reine FETs sind mir nicht bekannt. Meist sind das spezielle Bau- oder Mischformen, wie der VMOS oder der bipolar-IGFET. --Cepheiden 00:00, 12. Mai 2006 (CEST)
Achso, die Grundlegende Unterteilung wie sie jetzt in den Artikeln vorhanden ist, ist so wie es sein sollte. Sicher kann man noch die verschiedenen Varianten aufzählen (MISFET, MOSFET, MNOSFET, MASFET, VMOSFET, OFET, MESFET, JFET, TFT, CHEMFET und und und) und beschreiben, das ändert aber nichts an der grundlegenden Einteilung nach dem Funktionsprinzip. NIGFET wird meiner meinung eh selten genutzt als Begriff. --Cepheiden 00:21, 12. Mai 2006 (CEST)
Du schreibst, die Unterteilung in IGFET und NIGFET sei eine alternative Einleitung. Aber alternativ wozu? Im Moment sind hier lediglich zwei Beispiele genannt. Gruß, norro 22:22, 12. Mai 2006 (CEST)
IGFET = MISFET und NIGFET = JEFT und MESFET. Ganz einfach --Cepheiden 00:49, 13. Mai 2006 (CEST)
Ich denke, in dem Artikel wäre folgende Unterscheidung sinnvoll: Primär unterschieden zwischen IGFET (MISFET und TFT) und NIGFET (JFET und MeSFET). Innerhalb dieser Abschnitte wäre dann evtl. je nach Umfang des Gesamtartikels noch kurz auf die dortigen Unterschiede (MISFET/TFT bzw. JFET/MeSFET) einzugehen. Das würde sich weitestgehend mit der Unterteilung in der mir vorliegenden Literatur (siehe Literaturverzeichnis dieses Artikels) decken. Da dies die deutsche Wikipedia ist, überlege ich, ob es sinnvoll sein könnte, die Abschnitte mit "Sperrschicht-FET"/SFET und "Isolierschicht-FET" zu überschreiben. Dafür spräche die Verwendung der hiesigen Sprache, dagegen spräche, dass die englischen Begriffe/Abkürzungen (vor Allem IGFET statt "Isolierschicht-FET") mir bislang deutlich häufiger begegnet sind und daher meines Erachtens die verbreiteteren sind. Was meinst Du? Die bisherige Unterscheidung in JFET und MOSFET ist jedenfalls nicht besonders sinnhaft, da es lediglich Spezialfälle (zugegebermaßen die verbreiteten) sind, und somit auch MeSFET, TFT u. Ä. eigene Abschnitte bekommen müssten (was sicherlich besser in die jeweiligen Artikel zu SFET/NIGFET und IGFET/MISFET) gehört. norro 21:14, 21. Mai 2006 (CEST)
Ein Fehler hat diese Einteilung, die im Prinzip im Artikel ja schon besteht. Auch JFET und MeSFET können in TFT Bauweise hergestellt werden bze werden auch so hergestellt. die Abgrenzung ist also mehr als ungünstig, sie ist falsch --Cepheiden 09:31, 22. Mai 2006 (CEST)


Ich lerne gerade für eine Prüfung und würde mir die Kennlinien mit einer AUSFÜHRLICHEN Erklärung wünschen. Danke (nicht signierter Beitrag von 85.176.136.108 (Diskussion | Beiträge) 23:27, 30. Okt. 2006 (CET))

Ja, das wäre nicht schlecht. Aber die Wikipedia ist nunmal kein Lehrbuch sondern eine Enzyklopädie. --Cepheiden 23:07, 2. Apr. 2009 (CEST)

Schaltzeiten

Du schreibst dass der Nachteil vom FET die Schaltgeschwindigkeit ist und am Schluss dass sie sich für die HF-Technik eignen. ist dies kein Widerspruch? 83.76.96.252 (13:41, 5. Mär. 2007) (mal wieder eine sig nachgetragen -- Smial 15:45, 5. Mär. 2007 (CET))

Die Aussage im Artikel ist schlich unzutreffend. Die Schaltzeiten von FETs sind üblicherweise deutlich kleiner als Die vergleichbarer Bipolartransistoren (bei ähnlichem Schaltungsaufwand).
Beispiel : Der Bipolar-Schaltransistor schlechthin, 2N2222. Er braucht - mit allen Speicher- und Sonswiezeiten - 35 ns zum Einschalten und 285 ns zum Ausschalten (siehe Datenblatt von z.B ST). Im Vergleich dazu braucht ein FET-Schaltransistor BS170 (wie der 2N2222 ein etwas angestaubter Veteran mit ähnlicher Sperrspannung und vergleichbarem Maximalstrom) 10 ns zum Einschalten und 10 ns zum Ausschalten (siehe Datenblatt z.B von Fairchild). Ich werd' das mal im Artikel ändern. 217.95.132.211 23:02, 2. Apr. 2009 (CEST)
Eventuell solte man nicht auf uralte Standardbauelemente sondern auf Spitzenprodukte im Hochfrequenzbereich schauen, hier sind immer noch Bipolartransistoren (meist aus GaAs) die schnellsten Transistoren. Hier sollte also am besten mal recherchiert werden und DANN eine Änderung eingepflegt werden. --Cepheiden 23:11, 2. Apr. 2009 (CEST)
Wenn Du hier einen Hinweis auf ein entsprechendes Datenblatt hinterlässt, DANN lasse ich mich gern überzeugen. Don't shout please. 217.95.132.211 23:23, 2. Apr. 2009 (CEST)
Bin jetzt zuwenig mit Hochfrequenzschaltungen vertraut um auf anhieb die Datenblätter aktueller Spitzenbipolartransitoren aus dem Hut zu zaubern, aber grundsätzlich waren die Rekorde der letzten Jahre immer bipolar-basierende Transitoren. Im normalen Anwendungsbereich stimm ich dir aber vollkommen zu, da ist der FET schon länger schneller und billiger. Ich schau mal die Tage, evtl kann ich deine Neugier nach Datenblättern ja trotzdem stillen. Um eine Richtlinie zuhaben, könntest du ja mal so nett sein und einen der schnellsten FEt raussuchen--Cepheiden 23:39, 2. Apr. 2009 (CEST)
Hab' jetzt mal kurz gestöbert und folgenden Link gefunden http://www.nitronex.com/pdfs/NPT1010%20Preliminary1.pdf. 100W bei 2GHz scheinen mir recht überzeugend. Nebenbei, man sollte die "Geschwindigkeit" bei HF-Anwendungen von der "Geschwindigkeit" bei Schaltanwendungen unterscheiden. Als HF-Transistoren, die eigentlich nie im Sättigungsbereich betrieben werden, sind manche Bipolartransistoren schneller (Velocity Saturation etc.), aber im Artikel steht/stand nun mal "im Allgemeinen niedrigere Schaltgeschwindigkeiten als bipolare Transistoren". Das ist so - imho - nicht richtig. 217.95.132.211 00:19, 3. Apr. 2009 (CEST)
Ja ich weiß, deswegen unterstütze ich diese Änderung auch. Ich wollte nur daraufhinweisen, dass meines Wissens im HF-Bereich nach wie vor spezialisierte Bipolartransistoren die bessere Variante sind (Arbeitsbereiche lassen oft eh nicht vergleichen). P.S. das mit "...Speicherzeit völlig entfällt" stößt mir doch gewaltig auf den Magen, 1. Welche Speicherzeit und 2. dann wäre dort keine Kapazität (was besipielsweise beim Bezug auf Gate-Source komplett wiedersprüchlich wäre). --Cepheiden 07:36, 3. Apr. 2009 (CEST)
Erklärung der Zeiten siehe z.B. http://www.fh-wolfenbuettel.de/cms/de/pws/hoppean/Labore/ES/V3-SCHALTER.pdf, Seite 2 (hab' auf die Schnelle nicht besseres gefunden). Bei Stromgesteuerten Halbleitern - alle mit PN-Übergängen - müssen zum "Ausschalten" die Ladungsträger aus der Raumladunszone des PN-Übergangs entfernt werden. Während dies geschieht - in der Speicherzeit - bleibt das Bauelement eingeschaltet, selbst wenn die Steuerspannung in Sperrichtung anliegt (NPN, Basis negativ bezogen auf den Kollektor). Je nach Ausdehnung der Raumladunszone und Eingangsbeschaltung kann diese Zeit im Mikrosekunden-Bereich liegen. Dieser Effekt ist bei Spannungsgesteuerten Elementen wie dem FET (auch dem J-FET) nicht zu finden, siehe http://iktp.tu-dresden.de/elek/4_sk_1.pdf Seite 1. 217.95.164.150 13:23, 3. Apr. 2009 (CEST)
Da steck ich zu wenig in der Materie und kann daher nicht wirklich weiteres beisteuern. Die Vor- und Nachteile im Artikel sind aber sehr allgemein gehalten und beziehen sich im Fall der FET auch auf JFET und MISFET (hier gibt es sicher auch diverse Unterschiede). Zu dem denk ich, dass die Transistorvarianten (unipolar und bipolar) auch durch ihre Funktionsweise ganz anderes eingesetzt und angesteuert werden. Ich weiß nicht ob man da gleiche Parameter wirklich vergleichen kann oder ob die sich nicht eher wie Apfel und Birnen verhalten. --Cepheiden 10:13, 6. Apr. 2009 (CEST)

FET-Anwendung

Es fehlen die wichtigsten Anwenungsgebiete von FET in der Digtaltechnik. In Prozessoren und ICs werden ausschließlich FETs verwendet. Dort ist nicht die Verstärkung oder das Rauschverhalten, sonder das Schaltverhalten des FETs interessant und dabei vor allem, dass ein FET fast leistungslos geschalten werden kann!! (nicht signierter Beitrag von Jdanmayr (Diskussion | Beiträge) 22:02, 8. Jun. 2007 (CEST))

Diese Anwendungen machen auch klar, dass die Aussage, FETs würden mehr Platz verbrauchen als Bipolartransitoren, nicht zutrifft. So ein Pentium oder Athlon würde - in Bipolartechnik realisiert - schwerlich auf ein ATX-Motherboard passen und natürlich eher mit 4MHz als mit 4GHz arbeiten. Über die Leistungsaufnahme und zu installierende Kühlleistung will ich gar nicht nachdenken. 217.95.132.211 23:02, 2. Apr. 2009 (CEST)

Dynamische Grenzdaten

Hallo, der Abschnitt Dynamische Grenzdaten ist derart ohne Bezug zum Text und Elektrotechnikgrundlagen, dass ich stark dazu neige ihn komplett zu entfernen. Gibt es da irgendwelche Gegenargumente? --Cepheiden 15:50, 5. Mär. 2009 (CET)

Nein. Der Inhalt macht zur Zeit keinen Sinn. Gruss, -- Schwijker 15:58, 5. Mär. 2009 (CET)
Bitte entferne ihn. Elektrotechnik steckt drin, allerdings gelten diese Gleichungen für JEDEN BELIEBIGEN Vierpol! --curryhorn 9.05, 27. Apr. 2009 (CET) (falsch signierter Beitrag von 79.207.187.60 (Diskussion | Beiträge) 09:05, 27. Apr. 2009 (CEST))
Hab das jetzt mal kurzerhand gelöscht. --Cepheiden 09:18, 27. Apr. 2009 (CEST) P.S. 79.207.187.60 aka. curryhorn du signierst falsch (Uhrzeit) und fälscht eigentlich sogar die Unterschrift, wenn du wirklich curryhorn bist, meld dich bitte an und signier normal mit den vier Tilden (~).

Kurzinfo: Mos-FET

Das "Kurzinfo: Mos-FET" war zwar ein ganz gutes kurzes Info, aber etwas fehl am Platz, darum habe ich es leicht überarbeitet als Einleitung für den Artikel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor benutzt, und hier gelöscht. --Supaari bla!bla! 11:39, 19. Dez 2005 (CET)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. -- Cepheiden 19:54, 14. Jan. 2010 (CET)

Verwaistes Bild

Datei:GrundschaltungFET.png

Falls noch benötigt. --Gruß Crux 14:10, 27. Mai 2006 (CEST)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. -- Cepheiden 19:54, 14. Jan. 2010 (CET)

Überarbeiten???

Wenn ich das richtig sehe, ist der Hinweis "überarbeiten" vor drei Jahren angebracht worden. Die Kritik ist längst archiviert. Wenn niemand Handlungsbedarf sieht, könnte der Hinweis ja wieder entfernt werden, oder? --Plenz 05:31, 3. Sep. 2009 (CEST)

IMHO nein, drin lassen. --Cepheiden
Find ich auch, der zweite Absatz besteht eigentlich nur aus Geschichte und gehört die gehört nach Geschichte, oder sehe ich das falsch? --78.48.207.34 10:30, 13. Apr. 2010 (CEST)
Habe diesen Abschnitt entfernt da 1. Vor/Nachteile sich so pauschal nicht angeben lassen. Dafür ist die Typenvielfalt viel gross. Dazu müssten bestimmte Anwendungen konkret gegeben sein, an denen dann entschieden werden kann welche Vor/Nachteile und ob die überhaupt zum tragen kommen. 2. die Information im Abschnitt Funktionsbeschreibung schon vorhanden ist/war bzw. verschoben ist. 3. Solche simplifizierten Vor/Nachteil-"Aufrechnungen" wenig konstruktiv an die Übergangszeiten der "Elektronenröhre" versus "(Bipolar)transistor" erinnern.--wdwd 18:17, 6. Jun. 2010 (CEST)

Verwirrung bei "Typen und Schaltsymbole"

Hallo,

ich bin selbst nur Laie und möchte daher an dieser Stelle keine Veränderung selber vornehmen; ich würde mich aber über eine Verdeutlichung freuen:

Im Text steht:

"Neben den abgebildeten Symbolen sind auch noch weitere üblich. Insbesondere im englischen Sprachraum werden die MOSFET-Typen durch einen Pfeil auf dem Source-Anschluss gekennzeichnet.[7] Hier deutet der Pfeil die technische Stromrichtung ..."

Direkt daneben dann ein Bild, wo nicht die im englischen Sprachraum benutzten Symbole sondern die bei uns üblichen gezeigt werden, wo natürlich ganz andere Pfeile dran sind. Zumindestens mich hat das für etliche Minuten erheblich irritiert und ich mußte mich erstmal wieder über (technische) Stromrichtunge etc. informieren um dann zu bemerken, daß eben Text und Bild nicht zueinander passen.

Wenn also an dieser Stelle auch eine Erklärung für die bei uns üblichen Pfeile stehen würde, dann wäre das hilfreich, IMHO.

--Stm999999999 (Diskussion) 21:16, 10. Dez. 2012 (CET)

Hallo, ja das sind die Symbole für FETs mit Bulk/Body-Beschaltung. --Cepheiden (Diskussion) 13:09, 14. Dez. 2012 (CET)
Ich habe den Abschnitt mal überarbeitet. --Cepheiden (Diskussion) 14:34, 14. Dez. 2012 (CET)

Niedrige Frequenz

Kann jemand einen Bereich angeben (von - bis, in Hertz), um diesen Umstand zu verdeutlichen? Unter niedrigen Frequenzen kann man 10 Hz oder 1000 000 Hz verstehen, je nach Berufsfeld.

ZItat: Der entscheidende schaltungstechnische Unterschied zum bipolaren Transistor besteht in der bei niedrigen Frequenzen praktisch leistungslosen Ansteuerung des FET, es wird lediglich eine Steuerspannung benötigt. (nicht signierter Beitrag von Suppenkasper9 (Diskussion | Beiträge) 18:55, 26. Okt. 2015 (CET))


Ich glaube die Aussage ist sehr allgemein gehalten und lässt sich schwer mit Frequenzen eingrenzen. Gemeint sind wohl wenige Hertz, aber bis wohin das näherungsweise gilt ist und beleibt unklar. --Cepheiden (Diskussion) 21:20, 26. Okt. 2015 (CET)
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