Diskussion:Halbleiter
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Bild zu Leitungsmechanismen
Das Bild zu Leitungsmechanismen ist nicht ganz konsistent. Im Bereich der Eigenleitung sollte die Ladungsträgerkonzentration für die Fälle mit und ohne Dotierung fast zusammenlaufen. Bei der vertikalen Achse ist zwar keine Skalierung dran, aber durch die Temperaturskala ist klar, das hier keine lineare Skalierung, sondern eher eine logarithmische Skalierung vorliegen muss. Wenn man schon man beim ändern des Bildes ist, sollte auch die senkrechte Trennlinie von Störstellenerschöpfung zur Eigenleitung kürzer - die Grenze gehört nur zu der oberen Kurve. --Ulrich67 17:53, 31. Dez. 2010 (CET)
Absatz direkter / indirekter Halbleiter
Die Behauptung, ein Photon könne nur über das Energieminimum (kleinester Abstand zwischen Valenzband und Leigungsband = Band Gap) absorbiert werden, gilt ausschließlich für Photonen mit Energie knapp überhalb von Eg(hν ≈ Eg). Photonen mit höheren Energien können aber ohne Phoneneninteraktion absorbiert werden, falls Eg(k) >= hν. Der Absatz ist zu ungenau und so falsch.
Indirekt Rekombination in typischen Halbleitern ist Shokley-Read-Hall(SRH-Rekombination), NICHT bzw. selten Auger! Steht dann so auch da, wenn man auf "Rekombination" klickt. Da Rekombinationsmodelle für Halbleiter zu weit gehen, lösche ich den Warnkommentar. (nicht signierter Beitrag von 178.26.48.1 (Diskussion) 12:15, 10. Jul 2014 (CEST))
Bose wird hier trotz Patent nicht erwähnt?
Der mm-Wellen-Forscher Jagadish Chandra Bose war der Zeit um 60 Jahre voraus.
„He developed the use of galena crystals for making receivers, both for short wavelength radio waves and for white and ultraviolet light. Patent rights for their use in detecting electromagnetic radiation were granted to him in 1904. In 1954 Pearson and Brattain [14] gave priority to Bose for the use of a semi-conducting crystal as a detector of radio waves. Sir Neville Mott, Nobel Laureate in 1977 for his own contributions to solid-state electronics, remarked [12] that "J.C. Bose was at least 60 years ahead of his time" and "In fact, he had anticipated the existence of P-type and N-type semiconductors."“
vllt. bauts einer ein, den es interessiert? (nicht signierter Beitrag von 217.229.62.117 (Diskussion)) 05:53, 25. Aug. 2017
Grenzflächen, Verwendung der Dotierung
"Durch die Kombination eines p-dotierten und eines n-dotierten Halbleiters entsteht an der Grenzfläche ein p-n-Übergang"
Korrekterweise wird doch nicht mit p oder n dotiert, sondern mit Atomen, sollte es dann nicht p-Typ und n-Typ heißen? (es könnte auch zu Verwirrungen mit P für Phosphor und N für Stickstoff kommen)
- die Terminologie ist schon so üblich. Vgl. Abschnitt Halbleiter#Donatoren und Akzeptoren: man dotiert mit Fremdatomen, aber Halbleiterbereiche mit Elektronenüberschuss bezeichnet man (...) als n-dotiert, solche mit Mangel, also mit „Löcherüberschuss“, als p-dotiert. --Qcomp (Diskussion) 12:34, 25. Apr. 2019 (CEST)
"Ganz neu"?
Der Satz "Ganz neu sind ternäre Hydrid-Verbindungen wie Lithium-Barium-Hydrid (LiBaH3)." steht hier schon seit etlichen Jahren. Von "ganz neu" kann also keine Rede sein. Bitte überarbeiten! --Plenz (Diskussion) 01:50, 28. Mai 2022 (CEST)
