Diskussion:Phase-change Random Access Memory
Bei der heutigen Kurzlebigkeit "neuerer" Technologienwäre es dringend notwendig, solchen Artikeln ein Informationsreferenzdatum beizufügen, das aussagt, auf welchem zeitlichen Informationsstand der Inhalt basiert ... Nur dann haben Begriffe wie "ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher" überhaupt eine Bedeutung ... in 20 Jahren ist diese Technologie vielleicht bereits völlig überholt, aber dann wird dieser Begriff noch immer so drinstehen und den Leser verwirren. Es kann nicht Sinn eines Online.Lexicons sein, daß sich der Leser immer selbst über die Versionskontrolle darüber Informiert, von wann der Artikel ist ... und selbst dann ist das ja noch nicht sicher, denn der Autor könnte ebensogut auch einen älteren Text zu einem relativ neuen Datum angelegt haben - wie soll ein Leser das entscheiden? Chiron McAnndra 13:35, 9. Jul. 2008 (CEST)
- Aktuell ist er neu. Später wird das sicher jemand ändern -- milde 15:34, 6. Jul. 2009 (CEST) (ohne Benutzername signierter Beitrag von Mildmr (Diskussion | Beiträge) )
Entwicklungsstand - Unlesbar
"Im Vergleich zu anderen neuartigen nonvolatilen Speichern in der Entwicklung zeigt das PCRAM ähnliche Erwartungswerte in Bezug auf Performance, Langzeithaltbarkeit und Skalierbarkeit. Die Herausforderung bei diesem Speicherprinzip ist durch den hohen Schreibstrom (RESET state) gegeben: herkömmliche MOS-Transistoren in fertigungsrelevanten Kanallängen (<100 nm für Auswahltransistoren) erlauben nicht wesentlich mehr als wenige hundert Mikroampere zu treiben. Daher wird auf verschiedenen Wegen an der Reduktion des Schreibstroms gearbeitet ..." - versteht das der Autor eigentlich selbst noch? Lesbar ist das jedenfalls nicht. Also bitte noch mal neu - und diesmal verständlich formulieren! --Burkhard 00:43, 22. Apr. 2010 (CEST)
- Also ich habe es verstanden. Dazu muss man aber den Anfang des Artikels lesen. Es bedeutet, dieser Speicher braucht viel Strom um die Struktur zu ändern und wenn man jetzt aber Miniaturisiert um mehr Speicherzellen auf gleichem Raum unterzubringen, dann sinkt auch der Platz für die Leiterbahnen, die den Strom liefern sollen. --IT-Compiler (Diskussion) 01:29, 31. Mai 2022 (CEST)
...Legierungen aus den beiden Verbindungen
Ich hab auch noch eine Anmerkung zu dem Satz: "...Legierungen aus den beiden Verbindungen GeTe und Sb2Te3". Ein Pysiker würde das vielleicht als legierung bezeichnen, weil er es nicht beser weiß, aber als Chemiker grault es mich dbei das zu lesen. Es ist keine Legierung !!! -- 134.245.33.75 14:24, 20. Apr. 2012 (CEST)
- ...sondern? Dies ist ein Wiki => nicht meckern, bequellt korrigieren. LG --WolffidiskRM 16:34, 20. Apr. 2012 (CEST)
Vergleich mit anderen Technologien
Hilfreich wäre ein Vergleich mit anderen nichtflüchtigen Speichertechnologien - was sind die Vorteile und Nachteile von Phase Change-RAM ggü. anderen Technologien? (nicht signierter Beitrag von 212.12.45.163 (Diskussion) 10:31, 18. Jan. 2016 (CET))
