Diskussion:Universaltransistoren und -dioden

Lemma

Die Verschiebung ist Unsinn. Dieser Artikel ist für diejenigen Leser gedacht, die auf eine dieser Abkürzungen treffen und sie erklärt bekommen möchten. Es geht keinesfalls um irgendeine "Typisierung" von Bauelementen, sondern um einen praktischen, einfachen Standard, der der Vereinfachung dient(e). Es ist kein neuer Typ, sondern eine Zusammenfassung mehrerer vorhandener Typen unter diesen Allgemeinbezeichnungen. Daher plädiere ich für Rückverschiebung auf das ursprüngliche Lemma. Wenn dagegen kein Widerspruch erhoben wird, werde ich das selbst vornehmen. --PeterFrankfurt 18:33, 8. Jan. 2010 (CET)

Mir ist ein Kompromissvorschlag eingefallen: "Universaltransistoren und -dioden". Zustimmung? --PeterFrankfurt 16:36, 10. Jan. 2010 (CET)

Dann fehlt aber in der Einleitung eine Erklärung was unter Universaltransistoren und -dioden zu verstehen ist. Derzeit wird dort nur erlärt wofür die Abkürzungen stehen, und diese sind nicht das Lemma! --Cepheiden 08:52, 15. Jan. 2010 (CET)

Ich halte das Lemma für einen abzulehnenden Fall von Lehnübersetzung aus dem Englischen, also für Dendlisch. Wenn schon universell, dann „Transistor für universelle Anwendungen“. Und das können andere Fachleute besser: „Transistor für allgemeine Anwendung“. -- wefo 02:59, 16. Jan. 2010 (CET)

Wie es im Text steht: Die Dinger hießen ausgeschrieben offiziell "Transistor Universal NPN" bzw. PNP. Und das kann man (abgesehen von fehlenden Bindestrichen) auch als deutsch ansehen und nicht notwendigerweise als englisch (deshalb schrieb ich ja auch "Silizium" und nicht wie es jetzt reingeändert wurde "Silicon"). Da sehe ich für das Lemma ehrlich keinen großen Unterschied zwischen dem aktuellen Stand und Deinem Vorschlag. --PeterFrankfurt 03:23, 16. Jan. 2010 (CET)

Der Zeitschriftenname „Elektor“, deren Name auf das Wort „Lektor“ zurückgeht, ist ein Beispiel für das Problem „internationaler“ Bezeichnungen: Der „Lektor“ ist für mich kein Leser im üblichen Sinne sondern ein sprachorientierter „Korrekturleser“. Ohne die Erklärung im Artikel hätte ich an eine Verbindung zum gewöhnlichen Leser nicht gedacht. Ich hatte mir eine Wortbildung gedacht, die irgendwie nur an Elektron bzw. Elektronik anknüpft.

Im Artikel direkt falsch dürfte die Bezugnahme auf „Kleinsignal“-Anwendungen sein, denn dabei geht es um den Fall, dass die Kennlinie in einem konkreten Anwendungsfall als eine Gerade betrachtet werden darf (Denkansatz ähnlich der Differentialrechnung). Zutreffend wäre also nicht die Bezugnahme auf kleine Signale, also kleiner (Wechsel-)Strom bzw. Spannung sondern auf Signale kleiner Leistung. Und in diesem Fall würde ich auch wieder eine andere Bezeichnung bevorzugen: „Signale geringer Leistung“. Bei Dioden empfinde ich „Kleinsignal“ eher als Witz, solange es nicht um den dynamischen Widerstand an einem konkret angenommenen Arbeitspunkt geht.

Die Grundfrage besteht darin, ob die Zeitschrift „Elektor“ eine für das Deutsche „reputable Quelle“ darstellt. Und da bin ich der Ansicht, dass die von mir genannte Quelle „reputabler“ ist. Es ist in der Geschichte begründet, dass Bundesbürger gegenüber dem Englischen eine gewisse Distanzlosigkeit haben, die selbst dem englischen Muttersprachler auffällt (Beispiel: Handy). Es gab damals den schönen Spruch: „Schief ist englisch, und Englisch ist modern.“

„Universal“: Der angebliche „Universalschraubenschlüssel“ der Russen waren Hammer und Meißel. Und auch diese Wendung hat einen etwas gefärbten Geschmack, wenn man dabei „Hammer und Zirkel“ im Hinterkopf hat.

Ich habe übrigens eine „Radio Röhren Austausch Anleitung“ von H. P. Pillkahn, Schaltbilderdienst Berlin-Zehlendorf, in der es inhaltlich zwar um das gleiche Problem geht, wo aber die Sache doch deutlich umfassender behandelt wird.

Ein anderes Beispiel: Kosmonaut und Astronaut werden weitergeleitet nach Raumfahrer. -- wefo 09:29, 16. Jan. 2010 (CET)

Also wer "Transistor Universal NPN" als deutsch ansieht, hat meiner Meinung nach ein merkwürdiges Gefühl für die deutsche Sprache. Zum einen ist die Art und Weise der näheren Deklaration des Begriffs untypisch (im Deutschen würde man eher npn-Universaltransitor sagen), zum anderen gibt es im Deutschen keine Substantive die deren Bestandteile durch Leerzeichen getrennt werden (Adjektivische Bestandteile am Anfanfg, Eigennamen und Falschreibungen mal ausgenommen.)

Zum Lemma, da sollte im ersten Satz/Sätzen beschrieben werden was als "Universaltransistoren und -dioden" bezeichnet wird (das Lemma an sich ist schon okay), nicht was eine Abkürzung bedeutet. Das Lemma Organische Leuchtdiode wird ja auch nicht mit einem Satz wie: "Als OLED steht für den Begriff organic light emitting diode. Es ist eine allgemeine Bezeichung die sich in der Industrie durchgesetzt hat." begonnen. Ziel sollte es sein hier erstmal zu beschreiben was man unter Universaltransistoren und -dioden versteht, die Abkürzungen können dann neben bei oder danach erklärt werden. --Cepheiden 12:02, 16. Jan. 2010 (CET)

Die Kürzel TUN, TUP, etc. sind eher in einer Reihe mit anderen Buchstabenkürzeln zu sehen, die bei den Typenbezeichnungen von Transistoren üblich sind wie z.B. BC, BDW, BUZ, etc. Dabei kommt es mehr auf die schnelle Wiedererkennbarkeit an, als auf die Bedeutung der einzelnen Buchstaben. Dabei spielt es eigentlich keine Rolle, ob sich aus der Bedeutung der einzelnen Buchstaben ein wohlgeformter deutscher Begriff ergibt. Es ist einfach ein Kürzel für "Transistor, Silizium, Universal (Kleinsignal), NPN". Dabei ist die Bezeichnung "Kleinsignaltransistor" nur eine grobe Abgrenzung zu z.B. "Schalttransistor", "Leistungstransistor" oder "Hochfrequenztransistor". Die Frage, warum die deutsche Ausgabe elektor und nicht elektur heißt, halte ich für reine WP:TF. Vielleicht liegt es einfach daran, dass sich elektur als Zeitschriftentitel im deutschen unpassend anhört. -- Pewa 14:17, 16. Jan. 2010 (CET)

Also auch wenn es im Netz Seiten gibt, die die Kürzel 1:1 ins Deutsche übersetzen, halte ich das für einen Fehler diese Übertragunsgmehodik auch durch die Wikipedia zu verbreiten. Es sind doch recht eindeutig Kürzel die auf englischsprachigen Typenbezeichnungen basieren oder? Dann sollte es doch auch so im Text stehen. --Cepheiden 14:43, 16. Jan. 2010 (CET) P.S: Aber die Quelle macht es ja auch so

Es handelt sich nicht um Typenbezeichnungen! Und ich bin enttäuscht, dass noch immer das „Kleinsignal“ durch die Diskussion geistert. Das Lemma aus den vier Abkürzungen war in Ordnung, weil es genau das leistete, was zu leisten war: Es war eine gemeinsame Zusammenfassung als Ziel für Weiterleitungen von den einzelnen (englisch basierten) Abkürzungen. -- wefo 15:13, 16. Jan. 2010 (CET)

Siehe auch http://de.wikipedia.org/wiki/Wikipedia:WikiProjekt_Elektrotechnik/Qualit%C3%A4tssicherung#TUP_TUN_DUG_DUS_verschoben_nach_Typisierung_von_Transistoren_und_Dioden. -- wefo 15:20, 16. Jan. 2010 (CET)

http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Universaltransistoren_und_-dioden&curid=5020835&diff=69383195&oldid=69369048 halte ich nicht für eine Verbesserung des Artikels, eher im Gegenteil. -- wefo 15:27, 16. Jan. 2010 (CET)

Sie wurden aber wie Typenbezeichnungen, bzw. als Ersatz für Typenbezeichnungen verwendet, z.B. in Schaltungen und Stücklisten. Gib bitte mal Kleinsignaltransistor bei Google ein, da siehst du wie der Begriff verwendet wird. War die Frage zum Lemma nicht schon geklärt? -- Pewa 17:22, 16. Jan. 2010 (CET)

Ich verstehe die Frage zur Übersetzung nicht. Transistor, Diode, Germanium, Silizium sind alles deutsche Worte, die im Duden stehen. Die englischen Übersetzungen sind transistor, diode, germanium, silicon. -- Pewa 17:35, 16. Jan. 2010 (CET)

Auch wenn man es kann, sollte man nicht einfach mehrteilige Begriffe Teil für Teil übersetzen und behaupten, dass sei jetzt ein deutsches Wort. Durch die Übertragung vom englischen Wörtern ins deutsche mag das aufgrund der engen sprachlichen Verwandschaft in vielen Fällen gehen und sogar ganz akzeptable Wörter ergeben, aber versuch das mal bei anderen Sprachen. Und mal ehrlich, wenn du das Wort Diodenuniversalsilizium hörst, denkst da da als erstes, dass es sich um einen Gruppe von Dioden oder eher dass es irgendein spezielles Silizium (Reinheit was auch immer) handelt? Würdest du es so in einem Text verwenden oder würdest du lieber eine andere Übersetzung nutzen, beispielsweise "Universaldioden aus Silizium" oder "Universaldioden auf Siliziumbasis"? --Cepheiden 17:53, 16. Jan. 2010 (CET)

Bearbeitungsüberschneidung

Deutsche Wörter ergeben in einer dem Deutschen nicht entsprechenden Wortfolge noch keine deutsche Abkürzung. Typenbezeichnungen wie OC 71, SF 137 lehnten sich an den deutschen Röhrenschlüssel an, wobei das O für „ohne Heizung“ stand. Das „S“ wurde dann für Silizium eingeführt. „C“ stand für eine Triode, das „F“ betonte die HF-Tauglichkeit.

Und zum Thema „Kleinsignal“ braucht man nur dem Link im Artikel zu folgen. Und dann kann man sich die Frage stellen, was eine „Kleinsignaldiode“ ist. -- wefo 18:01, 16. Jan. 2010 (CET)

@Cepheiden: „Universal“ ist eben auch leider nicht das treffende deutsche Wort. -- wefo 18:05, 16. Jan. 2010 (CET)

Das kommt noch dazu. --Cepheiden 18:08, 16. Jan. 2010 (CET)

Google bringt http://www.woxikon.com/wort/kleinsignaltransistor.php. Und da finde ich es aus fachlicher Sicht beruhigend, dass diese abzulehnende Begriffsbildung nur im Deutschen und im Englischen erwähnt ist. Die englische Version halte ich für Denglisch. http://www.woxikon.com/eng/small-signal%20transistor.php bringt das sinnvollere „Vorstufentransistor“, das mir allerdings die „allgemeine Anwendung“ nicht zu übertreffen scheint. Und die englische Wikipedia bietet mir an, zu „small-signal transistor“ einen Artikel zu verfassen. Aber http://en.wikipedia.org/wiki/Small-signal_model gibt es. Und das ist gut so. -- wefo 18:27, 16. Jan. 2010 (CET)

PeterFrankfurt hat an dieser Sache wesentlichen Anteil. Deshalb sollten wir vielleicht auf seine Auswertung der Diskussion und seine Meinungsbildung warten. Und wehe, er widerspricht! ;-) -- wefo 18:15, 16. Jan. 2010 (CET)

Also ich verstehe diese Diskussion ehrlich nicht. Eine Bezeichnung "Transistor Universal NPN" ist KEIN englischsprachiger Begriff, das ganze ist (zufälligerweise) in Englisch UND in Deutsch gleichermaßen verwendbar und in keiner der beiden Sprachen eine gängige Formulierung, wie man sie in der technischen Alltagssprache erwarten würde, da würde man den Bestandteil "Universal" nämlich in beiden Sprachen vorne erwarten. Dass das anders festgelegt wurde, ist nicht meine Schuld, das war die elektor-Mannschaft, und wahrscheinlich deren niederländische Hauptniederlassung, bloß Niederländisch als Sprache unterscheidet sich in diesen Punkten meines Wissens nicht von Deutsch oder Englisch. Wahrscheinlich wollten sie einfach das Wichtigste, den "Transistor", vorne haben. Wie gesagt, deren Entscheidung, ich zitiere nur. - Und ja, elektor ist hierzulande eine überaus reputable Quelle, die haben in den späten 60er und vor allem in den 70er Jahren viel für die Verbreitung von Elektronikwissen und das praktische Basteln damit in (West)Deutschland getan. - Was an dem "Kleinsignal" falsch sein soll, habe ich auch noch nicht kapiert. Darauf kommt es zur Not auch nicht an, die Passagen kann man ggf. umformulieren, ich fand es bloß griffig und passend. Wenn es doch nicht passt, dann her mit Alternativvorschlägen. - Eine "Kleinsignaldiode" ist einfach das Gegenteil einer "(Netz)Leistungsdiode", was soll daran problematisch sein? --PeterFrankfurt 01:37, 17. Jan. 2010 (CET)

• Dass es sich nicht um englische Abkürzungen handelt, ist mir beim Einschlafen auch aufgefallen. Diese Annahme ist eine Unterstellung, zwar irgendwie naheliegend, aber eben eine Unterstellung.
• Die englische Wikipedia kennt diese Abkürzungen in dieser Bedeutung nicht.
• Tatsächlich erinnern die Abkürzungen an das Französische. Z. B. TIR, was Transports Internationaux Routiers bedeutet.
• Es gab ein objektives Bedürfnis, eine neutrale Bezeichnung für gängige bzw. leicht verfügbare Halbleiterbauelemente zu haben. :*Dabei fällt auf, dass die hier diskutierten Abkürzungen unterschiedlich aufgebaut sind, denn DUP und DUN wäre Blödsinn. Zu jener Zeit waren allerdings Siliziumtransistoren mit dem Aufbau NPN gängiger. Ein PNP-Silizium-Transistor war kein in diesem Sinne „gängiger“ Transistor und wäre weder von der spaßigen Bezeichnung „Feld-, Wald- und Wiesentransistor“ noch von der sachgerechteren Formulierung „ein ganz gewöhnlicher Transistor“ erfasst worden. Für eine Reihe von Anwendungen war die HF-Tauglichkeit (Bandbreite) ein viel wichtigeres Unterscheidungsmerkmal.
• Definitiv waren die mit den hier diskutierten Abkürzungen bezeichneten Bauteile nicht „universell einsetzbar“. Sie waren „universell“ nur in der Bedeutung „weltweit“, weil sie eine Abstraktion von den unterschiedlichen Bezeichnungsschlüsseln darstellten. Eine Anwendung des Wortes „universell“ in dieser Bedeutung dürfte eher in das „Wörterbuch der falschen Freunde“ gehören, in dem solche Ausdrücke stehen, die sich im Französischen und im Deutschen praktisch gleich schreiben, aber völlig unterschiedliche Bedeutung haben. Im Einzelfall können solche Verwechselungen ausgesprochen peinlich sein.
• Aus den Darlegungen folgt, dass das Lemma eine zumindest sehr fragwürdige, wenn nicht schlechte Übersetzung ist. In Schaltungen waren die Eigenschaften PNP bzw. NPN sowie die Eigenschaft „Transistor“ ohnehin erkennbar. Und genau jener Unterschied im Material (Schleusenspannung), der zu den unterschiedlichen Abkürzungen bei den Dioden führt, führt bei vielen Transistorschaltungen dazu, dass sie bei gegebener Dimensionierung der Widerstände wegen des falschen Arbeitspunktes oder wegen der unterschiedlichen Restströme nicht ordentlich funktionieren.
• Ich plädiere also dafür, den Artikel dorthin zu setzen, wo man über die Fragwürdigkeit des Lemmas nicht diskutieren muss, also dorthin, wo gegenwärtig die Weiterleitung von den vier Abkürzungen insgesamt steht. Die Zusammenfassung der vier Abkürzungen als Weiterleitungslemma hat keinen Sinn, weil ja der Leser immer nur die eine Abkürzung eingibt, die ihn interessiert. -- wefo 08:37, 17. Jan. 2010 (CET)

Einige deiner Aussagen kann ich nicht nachvollziehen - kann es sein, dass du dabei von DDR-Verhältnissen ausgehst (die ich nicht kenne), während die TUP-TUP-Geschichte sich eigentlich nur auf westdeutsche bzw. -liche Verhältnisse bezieht? 1971 waren NPN und PNP Silizium-Transistoren der absolute Standard. Niemand wäre auf die Idee gekommen "freiwillig" für neue Schaltungen Germanium-Transistoren zu verwenden, die in allen Kennwerten schlechter, teurer, schaltungstechnisch schwieriger einzusetzen waren und für die es nur wenige Hersteller gab. Die meisten Hersteller haben gleich mit Silizium angefangen und niemals Germanium-Halbleiter hergestellt. Dass man im Zweifelsfall NPN nimmt, hat praktisch nur schaltungstechnische Gründe (positive Versorgungsspannung), aber manchmal geht es eben auch besser mit oder nicht ohne PNP. Ein BC107 (TUN) kostete damals bei edwa DM 0,60, BC177 (TUP) DM 0,70, bei Abnahme von 100 Stück jeweils 10 Pf. weniger. "Schüttware" NPN oder PNP gab es schon für 10 bis 20 Pfennig, was auch ein Grund für die Einführung von TUN und TUP war.

Ich habe den Elektor 6/71 ausgegraben. Auf den Seiten 613-614 werden TUN und TUP unter der Überschrift "TUN und TUP" eingeführt. DUS und DUG kamen also erst später. In der ersten Liste gibt es 14 TUN (BC107 etc., VN140, TP107/8/9) und 11 dazu komplementäre TUP. Zitat:

„Beginnend mit dieser Ausgabe führen wir für bestimmte Transistoren zwei neue Kurzbezeichnungen ein, die in den von Elektor publizierten Schaltungen verwendet werden: TUN und TUP. Ein TUN ist ein "Transistor-Universal-Npn"-Typ (Silicium), ein TUP ist ein entsprechender pnp-Transistor. Unter diese Bezeichnungen fallen alle Transistor-Typen, die hinsichtlich ihrer elektrischen Daten bestimmte Minimalanforderungen erfüllen und damit universell einsetzbar sind.“

(Silicium ist das niederländische Wort für Silizium, also eine falsche Übersetzung) Vielleicht beseitigt das ja schon einige Klarheiten :) -- Pewa 14:54, 17. Jan. 2010 (CET)

Kleinsignaltransistoren

Die Suche nach "small signal transistor" (mit den Anführungszeichen) ergibt bei en.WP 6 Treffer (im Artikel Transistor 3 Treffer + 1x small-signal field-effect transistor), bei Google über 40 000. Das entscheidende Argument ist aber, dass die für die Halbleitertechnik begriffsbildenden Hersteller diesen Begriff seit mindestens 40 Jahren bis heute benutzen. Beispiel: Fairchild: "Product Family = Small Signal Transistor". Nochmals zur Erklärung: Die Bezeichnung "small signal transistor", bzw. "Kleinsignaltranstor" bedeutet, dass der Transistor für Analog-Verstärker geeignet ist, bei denen es u.A. auf Linearität, Temperaturstabilität und Rauschen ankommt. Die dazu im Gegensatz stehenden "Großsignaltransistoren" werden als "Schalttransistoren" bezeichnet, bei denen auf ganz andere Kriterien ankommt, wie z.B. Schaltgeschwindigkeit, Sättigungsspannung und Reststrom im ausgeschalteten Zustand. Für "Hochfrequenztransitoren" gelten wieder andere Kriterien. Die Unterscheidung richtet sich hauptsächlich danach, für welche Kennwerte der Transistor optimiert ist und welche Kennwerte der Hersteller angibt und garantiert. Wenn das nicht mehr zum Allgemeinwissen der interessierten Kreise gehört, wird es wohl höchste Zeit darüber mal einen Artikel schreiben, vielleicht unter dem Lemma Kategorien von Transistoren :) -- Pewa 15:02, 17. Jan. 2010 (CET)

Ich nehme „small signal transistor“ (ohne Anführungszeichen) und finde in der en:WP keinen Artikel dieses Namens, aber dafür 491 Treffer in anderen Artikeln. Der erste ist bei [junction transistor] und wird im Kapitel [models] behandelt. Das konkrete Modell sind die h-Parameter, es geht also nicht um eine irgendwie gebildete „Klasse von Transistoren“, sondern um die lineare Näherung für eine eigentlich nichtlineare Kennlinie. Der zweite Treffer ist [[1]] und behandelt den gleichen Weg der Modellbildung. Weiter geht es mit „Small-signal model“, „Two-port network“ und „Hybrid-pi model“. Der Artikel [[2]] ergibt die Anzeige „A transistor is a semiconductor device ... amplify or switch electronic signals. ... than 100 for small-signal transistors but can be smaller ... “ (siehe dazu weiter unten). Beim neunten Treffer, dem [[3]] halte ich „small“ für die Beschreibung der Bauform, „signal transistor“ sehe ich als die engere Bindung. Beim 19. Treffer [model] heißt es: „"Large signal" is the opposite of "small signal", which means that the circuit can be reduced to a linearized equivalent circuit around its operating point with sufficient accuracy.“

Ich kann also schon Deine erste Aussage nicht nachvollziehen, bin aber mit dem Lesen der 491 Treffer überfordert und halte zudem das Verhältnis Aufwand/Nutzen für zu schlecht. Ich habe keinen Zweifel daran, dass es (selbsternannte? oder fehlgebildete?) Fachleute gibt, die mit „Kleinsignal“ „Signale geringer Leistung“ meinen. Tatsächlich zeigt der erste von den 6 Treffern (mit Anführungsz.) auf den schon erwähnten Abschnitt mit den h-Parametern, die weitere Suche zeigt dann aber, dass der von Dir zitierte Satz viel weiter oben steht. Er bezieht sich auf den Beta-Wert, der ebenfalls eine lineare Näherung ist, und wird hier für Transistoren geringer Leistung verwendet. Diese Ausdrücksweise ist ein änderungswürdiger Fehler, denn ein und derselbe Artikel ist hier nicht konsistent. Der nächste Treffer bezieht sich mit dem gleichen Wortlaut auf „Transistor“, der dritte Treffer wurde schon behandelt, beim vierten Treffer geht es um ein Zitat aus der Anfangszeit, der fünfte Treffer ist [[4]], wo es um die starke Veränderung eines Kleinsignalparamertes in Abhängigkeit vom Kollektorstrom geht. Der sprachliche Schnitzer bleibt hier bedauerlich. Der sechste Treffer [[5]] lautet vollständig: „is the small-signal transistor output resistance“ und bezieht sich auf den Ausgangswiderstand des im Kleinsignalbetrieb betrachteten Transistors, ist also eigentlich ein Gegenbeispiel.

Soviel zum Thema Kleinsignal. -- wefo 16:26, 17. Jan. 2010 (CET)

Alles was du hier schreibst hat nichts damit zu tun, ob die Begriffe Kleinsignaltranstor und small signal transistor gebräuchliche technische Begriffe für eine grobe Klassifikation von Transistor-Typen sind, und nur darum geht es hier. Alle Argumente zu dieser Frage hast du ignoriert, auch die 40 000 Google-Treffer.

Niemand hat bestritten das es das Kleinsignal-Transistor-Modell gibt. Das ist aber ein mathematischen Modell das für alle Transistoren verwendet werden kann. Du irrst dich, wenn du behautest, dass die Begriffe Kleinsignal- oder small signal nur in Verbindung mit diesem mathematischen Modell verwendet werden. Es ist Unsinn, wenn du suggerierst, dass small signal transistor mit kleiner Signaltransistor übersetzt wird. Wenn du hier versuchst einen real existierenden Begriff wegzudiskutieren, weil er dir nicht gefällt oder du ihn nicht kennst, ist das leider nur POV und TF. Ich behaupte, dass jeder Fachmann auf dem Gebiet diese Begriffe kennt und versteht, wenn nicht hat er ein Problem. -- Pewa 18:54, 17. Jan. 2010 (CET)

Ändere(!): Kleinsignalverhalten, Kleinsignalanalyse, Kleinsignalverstärkung (BKL mit lediglich zwei roten Links), Kleinsignal-Ersatzschaltbild und Kleinsignallampe (hier habe ich gewisse Zweifel, ob die Kleinsignallampe von einem Kleinsignaltransistor geschaltet wurde, insbesondere, wenn ich an den Einschaltstrom denke). -- wefo 23:03, 17. Jan. 2010 (CET)

Ich finde bei http://www.google.de/#hl=de&ei=RJdTS8TOHYOqnAP2k4CUCg&sa=X&oi=spell&resnum=1&ct=result&cd=1&ved=0CBYQBSgA&q=Kleinsignaltransistor&spell=1&fp=58f63fc8fdffec64 12.600 Treffer. Aber was sind schon 12.600 oder auch 40.000 gegen Milliarden von Fliegen? -- wefo 00:05, 18. Jan. 2010 (CET)

Die Stromspannung hat bei Google 118.000 Treffer: http://www.google.de/#hl=de&q=Stromspannung&meta=&aq=f&oq=Stromspannung&fp=58f63fc8fdffec64. Nur 4 Treffer bei http://www.google.de/#hl=de&q=%2BStromspannung+%2BKleinsignal&meta=&aq=&oq=%2BStromspannung+%2BKleinsignal&fp=58f63fc8fdffec64. -- wefo 00:42, 18. Jan. 2010 (CET)

Und wenn es den Kleinsignaltransistor gibt, dann gibt es doch sicher auch den Großsignaltransistor. Google bietet immerhin einen echten Treffer: http://www.google.de/#hl=de&source=hp&q=Gro%C3%9Fsignaltransistor&btnG=Google-Suche&meta=&aq=f&oq=Gro%C3%9Fsignaltransistor&fp=1&cad=b. Und der Langenscheidt ergibt: http://books.google.de/books?id=Cj4uMZybXuYC&pg=PA1083&lpg=PA1083&dq=Gro%C3%9Fsignaltransistor&source=bl&ots=YOY4KCcR4S&sig=fSHMJUUZdSGg-5uWVO3-F9aEugo&hl=de&ei=_AFUS_PkFsLesAaE1eXYCw&sa=X&oi=book_result&ct=result&resnum=3&ved=0CBYQ6AEwAg#v=onepage&q=Gro%C3%9Fsignaltransistor&f=false. Die englische Wikipedia bietet mir an, einen Artikel über „large signal transistor“ zu schreiben. Der Langenscheidt scheint auch nicht mehr das zu sein, was er mal war. -- wefo 07:49, 18. Jan. 2010 (CET)

Sehr lustig, besonders die Kleinsignallampe ;) Hat aber leider alles immer noch nichts mit der Frage zu tun, ob die Begriffe Kleinsignaltranstor und small signal transistor, etc. bei Herstellern, Händlern und Anwendern gebräuchlich sind. Bei dieser Frage hilft es aber weiier, dass Google z.B. 112 000 Treffer für "Small Signal Discretes" liefert. Dieser Begriff beinhaltet allerdings auch small signal transistors und small signal diodes. Hier nochmal die Google-Treffer:

• "Kleinsignaltranstor" - 12 600
• "Kleinsignaltranstoren" - 12 400
• "Small Signal Discretes" - 112 000
• "small signal transistor" - 48 000 (Fairchild, Infineon ...)
• "small signal transistors" - 43 800
• "small signal diode" - 154 000
• "small signal diodes" - 846 000 (Onsemi, Fairchild ...)
• "Small-signal Schottky" - 912 000 (Vishay, ST, Rohm ...)
• "Small Signal FET" - 28 700
• "Small Signal FETs" - 175 000 (Panasonic, nxp)
• "Small Signal MOSFET" - 7 970
• "Small Signal MOSFETs" - 271 000 (Vishay, Infineon, Toshiba)
• "Small Signal Bipolar" - 570 000 (Panasonic, nxp ...)

Wobei man bedenken muss, dass in der Halbleitertechnik Englisch dominierend ist, sogar in Deutschland. Ach ja, der Begriff "Small Signal Discretes" wird auch von dem deutschen Hersteller Infineon verwendet und von nxp ... Ich denke, wir können diese Diskussion damit beenden. -- Pewa 08:05, 18. Jan. 2010 (CET)

Völlig richtig, ich deutete es schon an: „Milliarden Fliegen können nicht irren, fressen auch wir ab heute Sch...“. Und ganz konkret bleibt es dabei, dass der Link Kleinsignalanwendungen im Artikel nichts mit dem Thema zu tun hat. -- wefo 12:19, 18. Jan. 2010 (CET)

Ich habe einfach mal willkürlich den ersten Google-Treffer für "small signal diode" geprüft. Das ist: http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_4.html. Dieser Artikel ist nicht zu beanstanden, denn es geht um Signaldioden, und die sind in der Regel relativ klein. Im konkreten Zusammenhang geht es um eine „ideal(isiert)e kleine Signaldiode“. Beim zweiten Treffer (Fairchild) kann ich nicht erkennen, warum diese Diode nicht eine „kleine Signaldiode“ sondern eine „Kleinsignal-Diode“ sein soll. -- wefo 12:39, 18. Jan. 2010 (CET)

Übrigens: Ich habe vor Jahrzehnten sehr kleine Transistoren in eine Dünnschichtschaltung „montiert“ (gebondet). Das müssen - Deiner Logik folgend - „Kleinstsignaltransistoren“ gewesen sein. (Und natürlich konnte ich dieses „Bonden“ in der BKL Bonden genau so wenig ausmachen, wie das Bonden von Transistoren im Gehäuse.) -- wefo 12:49, 18. Jan. 2010 (CET)

Das Gegenstück zu „signal diode“ ist gemäß http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_4.html „power diode“, wie man über Google http://www.google.de/#hl=de&source=hp&q=%2B%22signal+diode%22+%2B%22power+diode%22&btnG=Google-Suche&meta=&aq=f&oq=%2B%22signal+diode%22+%2B%22power+diode%22&fp=58f63fc8fdffec64 finden kann. -- wefo 13:06, 18. Jan. 2010 (CET)

Komm, hör' auf, willst du wirklich die Ausnahmen zur Regel machen? Wenn ich dir jetzt beweise, dass die Bezeichnungen "Small Signal xxxxxx" vollkommen unabhängig von der Gehäusegröße verwendet werden, kommst du dann vielleicht noch mit der Chipgröße? ;-) WP bildet die Realität ab. Auch wenn alle einen Begriff deiner Meinung nach "falsch" verwenden, steht er trotzdem in WP und im Duden. -- Pewa 14:40, 18. Jan. 2010 (CET)

Deine Diskussion macht den Link Kleinsignalanwendungen nicht zutreffender. -- wefo 14:55, 18. Jan. 2010 (CET)

Leider kann ich Deine Kritikpunkte immer noch nicht nachvollziehen und verstehe nicht einmal, was für eine andere Definition Du für "Kleinsignaltransistor" hast. Für mich ist das ein vollkommen eindeutiger Begriff, der so in der Praxis ständig verwendet wird, und wo ich nicht den Hauch einer Ahnung habe, wie oder was man da falsch verstehen könnte. Und der Link Kleinsignalverhalten läuft auch auf den passenden Sachverhalt hinaus. Wo zum Kuckuck ist das Problem? --PeterFrankfurt 18:13, 18. Jan. 2010 (CET)

Ganz einfach auf den Link klicken. Und lesen: „Das Kleinsignalverhalten bezeichnet die Aussteuerung eines Systems mit kleinen Signalen in der Nähe eines Arbeitspunktes. Dadurch kann in vielen Systemen näherungsweise ein lineares Übertragungsverhalten zwischen Eingangs- und Ausgangsgröße erreicht werden.“ Auch Leistungstransistoren in NF-Endstufen werden/wurden weitgehend linear betrieben. -- wefo 18:21, 18. Jan. 2010 (CET)

Auch in Videoendstufen ging es nicht um um „kleine Signale“, sondern um hohe Spannungen, weshalb auch dort keine „Allerweltstransistoren“ eingesetzt wurden. Dennoch wurden diese Stufen weitgehend linear, also in Kleinsignalanwendungen betrieben. -- wefo 18:27, 18. Jan. 2010 (CET)

Und noch ein Nachtrag: Niemand war gehindert, einen „Allerweltstransistor“ im Schalterbetrieb, also eben nicht in einer Kleinsignalanwendung einzusetzen. Beispiele sind Monoflops, (primitive) Tongeneratoren, Amplitudensiebe, Klemmstufen usw. Das schließt ja nicht aus, dass im konkreten Einzelfall Transistoren mit speziellen Eigenschaften, also eben keine Allerweltstransistoren eingesetzt wurden. -- wefo 19:08, 18. Jan. 2010 (CET)

Also das mit dem Videosignal ist ja jetzt wohl ein extremes Ausnahmebeispiel. Ausnahmen bestätigen Regeln. Abgesehen von ihnen versteht jeder sonst genau das, was gemeint ist. Und ja, wenn es keine besonderen Anforderungen gibt, kann man mit TUNs und TUPs auch sehr schöne Schalt- und Digitalanwendungen basteln, es wird ja nichts ausgeschlossen. Wenn ich es übrigens richtig verstehe, sind als solche spezifierte "Schalttransistoren" ja eher "schlechte Analogtransistoren", weil man bei ihnen krumme Kennlinien tolerieren kann und dafür mehr Wert auf Sperr-/Durchlassverhältnisse und hohe Grenzfrequenz für steile Flanken legt. WENN ich es richtig verstanden habe. --PeterFrankfurt 00:47, 19. Jan. 2010 (CET)

Ich bin ehrlich enttäuscht von meiner Überzeugungskraft. Das Kleinsignalverhalten entspricht voll und ganz der differentiellen Betrachtungsweise in der Mathematik und hat absolut nichts damit zu tun, für welche Leistung ein Transistor (oder eine Diode) ausgelegt ist. Und auch die Art und Weise, in welcher Anwendung ein Transistor oder eine Diode betrieben werden, hat absolut nichts damit zu tun, ob es sich um ein Allerweltsbauelement handelt. Das schließt nicht aus, dass das konkrete Exemplar mehr oder weniger geeignet ist.

Mitunter wurden spezielle Transistoren sogar vom Anwender aus einer größeren Menge von Allerweltstransistoren ausgemessen und klassifiziert. Das hatte insoweit rechtliche Folgen und rechtliche Gründe, als bei der Entwicklung eines Gerätes die proklamierten Eigenschaften nur mit Bauelementen erreicht werden konnten, die besondere Eigenschaften hatten. Wenn der Bauelementehersteller nicht bereit war oder nicht zu erträglichen Kosten bereit war, solche Bauelemente aus der Serie herauszusuchen, dann machte das der Anwender, der dann auch die Ersatzteile über den Zeitraum der Lebensdauer des Gerätes bereitstellen musste.

Ich habe leider den Eindruck, dass es keinen Sinn hat, tauben Ohren zu predigen. -- wefo 01:08, 19. Jan. 2010 (CET)

Ja leider, Du scheinst es für meine Begriffe viel zu speziell zu sehen, während ich und Kollegen das allgemeiner sehen. - Was Du über die Selektion von Transistoren aus der großen Masse schreibst, ist das exakte Gegenteil von dem, worum es hier geht. Das gibt es alles. Hier geht es um Anwendungen, die so ausgelegt sind (da muss man sich auch ein bisschen Mühe geben), dass sie eben nicht Bauteile mit extrem eng zu erfüllenden Spezifikationen benötigen, sondern gutmütig mit solchen zurechtkommen, die jene Mindestanforderungen erfüllen. - Anekdote aus alten Zeiten: Bei uns in der Stadt war der Stammladen der Fa. Völkner. Bekannt und berüchtigt. Berüchtigt, weil doch einiges an Ramsch in ihrem Angebot war. Sie hatten u. a. viele "Sortimente" im Angebot. Da hat sich ein Unikollege angeblich mal einen Riesensack voll Widerstände für billiges Geld geholt und die dann mal exakt durchgemessen und die Werte mit dem Aufdruck verglichen. Der Mathematiker würde eine Gauß-Verteilung um den Sollwert erwarten. Aber weit gefehlt: Die Kurve hatte um den Sollwert eine deutliche Delle, die "guten" Exemplare waren also aussortiert und wurden teurer verkauft, und die schrottigen landeten im Sortiment. Nachträglich erscheint es sogar halbwegs logisch. --PeterFrankfurt 01:36, 19. Jan. 2010 (CET)

Selbstverständlich war das logisch. Der Widerstandwert ist im Rahmen der durch die Technologie gegebenen Bedingungen zufällig. Die Toleranzgruppen waren früher 1, 2, 5 % usw., später waren es die E-Reihen. Diese waren eigentlich so ausgelegt, dass jedem beliebigen Wert ein passender Aufdruck zugeordnet werden konnte. Das erforderte aber ein Messen. Weniger aufwendig ist es, sich auf das Prüfen zu beschränken. Beim Prüfen kommen die guten ins Töpfchen, und die schlechten in die billige Serie. Die „Delle“ ist also logisch, wenn ein Wert mit geringer Toleranz vorkommt, dann gab es bei der Prüfung oder der Sortierung einen Fehler.

Aber dieses Thema ist tatsächlich eine Art Abschweifung, obwohl es natürlich bei der Transistorfertigung ganz genau so lief. Das Ausschußkriterium konnten z. B. der Reststrom oder die Spannungsfestigkeiten (z. B. auch Abknickspannung zwischen Emitter und Basis) sein, allgemein die Einhaltung der garantierten Grenzwerte. Es gab Bastelsätze mit Transistoren ohne konkrete Typenangabe, bei denen die Einhaltung der Grenzwerte eben nicht garantiert war. Für solche Bauelemente genügte eine allgemeine Angabe, wie sie eben auch - aber nicht notwendiger Weise - mit den vom Elektor propagierten Abkürzungen erreicht wurde.

Noch eine Abschweifung: Weil Transistoren optisch auch vom Laien erkannt wurden, gab es Radios, in die (Ausschuss-)Transistoren ohne jede Funktion oder als Diode eingebaut waren.

Die Methodik der Linearisierung durch die Betrachtung von kleinen Signale, also von Signalen, bei denen die Aussteuerung der Kennlinie vernachlässigbar ist, ist ein hohes, erkenntnistheoretisches Gut. Und diese Methodik wurde schon bei Röhren angewendet. Und - Du scheinst es überlesen zu haben - diese Methodik gilt auch für Leistungstransistoren in (Eintakt-)Endstufen. Endstufen für Kopfhörer kamen mit Allerweltstransistoren aus. Gegentaktstufen wurden unter dem Aspekt der größeren Aussteuerung betrachtet, die Übernahmeverzerrungen spielten eine große Rolle. Aber auch dieses Problem der Verzerrungen betrifft Allerweltstransistoren und Leistungstransistoren in gleichem Maße.

Denk einmal über eine Definition von „kleinen Signalen“ nach. Unter dem Aspekt der (Eingangs-)Spannung besteht kaum ein Unterschied zwischen Allerweltstransistoren und Leistungstransistoren. Und wenn der Leistungstransistor ein Darlington-Transistor ist, dann gibt es sogar Probleme, die Größe des Signalstromes unterscheidbar zu definieren. Und eigentlich geht es eher um die maximal entnehmbare Ausgangsleistung. -- wefo 02:35, 19. Jan. 2010 (CET)

Um das Palaber hoffentlich(?) abzuschließen, eine Quelle: <ref name = "Mey1972">{{Literatur | Autor = Walter Conrad | Titel = MEYERS TASCHENLEXIKON, Elektronik - Funktechnik | Verlag = VEB Bibliographisches Institut | Ort = Leipzig | Jahr = 1972 }}</ref>
Seite 153:
Kleinsignalverstärkung: Steuerung verstärkender Bauelemente um einen konstant gehaltenen Arbeitspunkt durch Signale so geringer Amplitude, daß die benutzten Kennlinienstücke als geradlinig bzw. die angegebenen Kenndaten (bei Röhren z. B. Steilheit, Innenwiderstand, Verstärkungsfaktor, bei Transistoren die h-Parameter) als konstant angesehen werden können. Bei den ersten Stufen eines Verstärkers liegt meist K. vor. Vgl. Großsignalverstärkung.
Seite 128:
Großsignalverstärkung Steuerung verstärkender Bauelemente durch Signale solcher Amplitude, daß die ausgesteuerten Kennlinienteile nicht mehr als geradlinig, die angegebenen Kenndaten (bei Röhren z. B. Steilheit, Innenwiderstand, Verstärkungsfaktor, bei Transistoren die h-Parameter) nicht mehr als konstant angesehen werden können. Daher werden zur Ermittlung der Verstärkerkennwerte und -eigenschaften graphische Methoden bevorzugt, deren Grundlage die Kennlinienfelder der verstärkenden Bauelemente sind. G. liegt u. a. meist in den Endstufen von →Verstärkern vor. Vgl. Kleinsignalverstärkung. -- wefo 07:43, 19. Jan. 2010 (CET)

Soweit ein Ausdruck „Kleinsignaltransistor“ beschieben werden soll, wäre ein anderer Link zu (er-)finden, in dem mit Quelle definiert ist, wann ein Signal ein „kleines Signal“ ist. -- wefo 16:22, 19. Jan. 2010 (CET)

Zwischendurch habe ich lange "offline" überlegt und kam zeitweise auf den Verdacht, dass der Link auf Kleinsignalverhalten tatsächlich unpassend sein könne, weil er einen gerade nicht alltäglichen Betriebszustand beschreiben könnte, wo eine Schaltung, die eigentlich für große Signale ausgelegt ist, doch mit kleinen betrieben wird und dadurch evtl. in den krummen Teil der Kennlinie rutscht und dann schlimme Verzerrungen anrichten könnte (Unterschied von Klasse-A/B/C-Verstärkern). Aber dem scheint doch nicht zu sein, der genannte Artikel beschreibt doch den Normalfall einer Ansteuerung mit einem auslegungsgemäß kleinen Signal, wie es im Normalfall gegeben ist. Und da ich einen Link für diesen alltäglichen Normalfall suchte, passt er nach meinem Geschmack eben doch. --PeterFrankfurt 01:44, 22. Jan. 2010 (CET)

Wenn das noch immer Deine Ansicht ist, dann wäre es wirklich schön, wenn Du klar definieren würdest, wann ein Signal (sowohl Strom als auch Spannung, evtl. Leistung, Eingang und Ausgang) ein „kleines Signal“ ist. Wenn dann in einem konkreten Anwendungsfall ein Allerweltstransistor eingesetzt werden kann, obwohl die von Dir definierten Grenzen überschritten sind, dann würdest Du damit Deine Ansicht selbst widerlegen. Ich halte die zitierte Definition für eindeutig. -- wefo 04:02, 22. Jan. 2010 (CET)

Eigentlich ist es doch ganz einfach: Es sind alles nur unterschiedliche Betrachtungsweisen derselben Sache. Bei einer Verstärkerstufe bestimmt das Großsignalverhalten die Einstellung des Arbeitspunktes und das Kleinsignalverhalten die Signalverstärkung. Mit der Kleinsignalverstärkung benutzt man ein idealisiertes Modell, das die Nichtlinearitäten vernachlässigt, bei der Großsignalverstärkung werden auch die immer vorhandenen Nichtlinearitäten berücksichtigt. Und das sind alles nur unterschiedliche Sichtweisen auf ein und denselben Transistor in ein und derselben Schaltung. Und das hat alles nichts mit Begriffen wie Kleinsignaltransistor, Universaltransitor oder Allerweltstransistor zu tun. -- Pewa 13:30, 22. Jan. 2010 (CET)

@Pewa: Ich hatte einige Mühe, zu erkennen, dass Du meinen Standpunkt unterstützt, denn es ist für mich schon ein deutlicher Unterschied im Modell, wenn ich den Verstärker als prinzipiell linear betrachte und erst in der Verfeinerung des Modells auf den Klirrfaktor eingehe, oder wenn ich den Verstärker als grundsätzlich sehr nichtlinear betrachte und ggf. aus der graphischen Konstruktion den Anteil der Grundschwingung oder die thermische Belastung des verstärkenden Bauelements ermittle. Dabei muss man die Sache insoweit aktualisieren, dass es heute Software gibt, die die Signalverläufe punktweise berechnet, also die graphische Methode etwas anders realisiert. Und auch diese Methode ist - wie die graphische eigentlich auch - mit der Vorgehensweise verbunden, dass die Kennlinie stückweise linear approximiert wird. Insoweit genügt es eigentlich nicht, die Literatur so wie oben zu zitieren. Aber ich kenne die aktuelle Literatur nicht und kann diese Aussagen deshalb nicht belegen. Der verlinkte Artikel Kleinsignalverhalten muss deshalb auch in dieser Beziehung verbesserungsbedürftig bleiben, soweit es meine Mitwirkung betrifft. -- wefo 14:05, 22. Jan. 2010 (CET)

Noch ein Nachtrag: Ich habe einen Super, bei dem die Lautstärke durch die Veränderung des Arbeitspunktes der ZF-Röhren (sonst also sogenannter „Regelröhren“) beeinflusst wird. Die prinzipielle Nichtlinearität ist hier unwesentlich, weil die Verzerrungen durch die ZF-Filter weggefiltert werden und so für die NF wenig relevant sind. Hier bedarf es also im Normalfall des graphischen Verfahrens nicht. -- wefo 14:11, 22. Jan. 2010 (CET)

Das mag alles sehr interessant sein. Ich kann aber auch mit großer Mühe nicht erkennen, was das noch mit diesem Artikel zu tun hat. Wir sollten uns hier wieder auf den Artikel konzentrieren. Grüße -- Pewa 15:43, 22. Jan. 2010 (CET)

Ganz einfach. 1. Der konkrete Link muss aus dem Artikel. 2. Der irreführende „Kleinsignaltransistor“ muss entweder durch eine Definition des „kleinen Signals“ ergänzt werden (entsprechender Artikel) oder ebenfalls aus dem Artikel verschwinden. -- wefo 15:50, 22. Jan. 2010 (CET)

1. Nein. 2. Nein (selbst wenn der „Kleinsignaltransistor“ im Artikel vorkommen würde, müsste er nicht raus). Argumente siehe oben. -- Pewa 17:25, 22. Jan. 2010 (CET)

Zitat: "Noch eine Abschweifung: Weil Transistoren optisch auch vom Laien erkannt wurden, gab es Radios, in die (Ausschuss-)Transistoren ohne jede Funktion oder als Diode eingebaut waren."

Erstens fehlt hier ein Beleg. Zweitens: Es dürfte sich wohl um einen Transistor handeln, der als Diode "mißbraucht" wurde, mithin ein Bein nicht angeschlossen gewesen sein. Der Einsatz von Fake-Transistoren dürfte als gewagt bezeichnet werden.

Mindestkenngrößen

In obiger Diskussion vermisse ich die Mindeststandards/-Kenngrößen/-Daten, die Transistoren erfüllen müssen, um als TUN oder TUP zu gelten. Das könnte mancher Hinsicht Klarheit schaffen. Es wäre auch für den Fachmann zu erkennen, daß TUP/ TUN keinesfalls universell einsetzbar sind. Das war auch gar nicht die Absicht von Elektor/ Elektuur. Da oben offensichtlich keine Fachleute diskutieren, kopiere ich die drei Zeilen hier nicht hinein. Die Idee der TUN/TUP- Transistoren dürfte auch der Erkenntnis geschuldet sein, daß im Radio-und TV-Bereich die Bauteiltoleranzen durchaus 20 % betrugen. Das hat Elektor auf Halbleiterelemente übertragen.