Diskussion:Zweiter Durchbruch

Meines Wissens und nach der angegebenen Quelle hat der zweite Durchbruch nur in zweiter Linie mit überhöhten Sperrspannungen zu tun. Die erste Erklärung gibt keine Quellen an; ich habe die Beschreibung in den letzten beiden Abschnitten als Alternative formuliert, meine aber, daß diese den Kern besser trifft.

- Thomas 193.109.238.130 16:31, 25. Mär. 2009 (CET)

Sperrspannung u. Durchbruch

Ich sehe in 2 Aussagen eine glatten Widerspruch, nämlich; man könne durch erhöhtes "Vorspannen" dem Transistor die Eigenschaft verleihen, höhere Spannungen bis um 50% höher zu sperren. Anderseits steht weiter unten: MOSFETs bieten diese Möglichkeit nicht; Jedoch steht dann bei Vorteilen der MOSFETs: "kein 2. Durchbruch". Ist eventuell einer vom Fach da, der dies klarstellt ?Eco-Ing. 14:26, 7. Jun. 2010 (CEST)

In dieser Frage wird Lawinendurchbruch (1st breakdown) und 2nd breakdown vermischt. Insofern hat man keinen Widerspruch. Der Lawinendurchbruch ist meist nicht zerstörerisch, weil er wegen seines negativen Temperaturkoeffizienten eine negative Rückkopplung eingebaut hat, jedenfalls bis zu einer gewissen Grenze. Aber ab dieser Grenze hat man wegen des konkurrierenden positiven Temperaturkoeffizienten der intrinsischen Leitfähigkeit eine positive Rückkopplung. Dann steigt die Ladungsdichte lokal ungebremst an und führt zur Zerstörung. Das ist der 2nd Breakdown.

Trotzdem kann man die 2. Aussage ("bei MOSFET kein 2nd breakdown") nicht stehen lassen, weil jeder MOSFET (Source, Gate, Drain) immer auch einen parasitären Bipolartransistor (BJT) enthält (Source, BULK, Drain). Dieser parasitäre BJT des MOSFETs ist sehr wichtig für seine ESD-Beständigkeit und wird manchmal bewusst zum ESD-Schutz ausgenutzt, siehe en:ggNMOS. Dieser parasitäre BJT des MOSFETs kann durchaus in den 2nd breakdown laufen und ihn somit zerstören.

Zum Thema "Durchbruchsvariation bei veränderter Vorspannung bei MOSFETs" ist die Artikelformulierung nicht klar.

Richtig ist, dass man beim MOSFET (im Ggs zum BJT) normalerweise keinen Durchbruch mit offenem (floating) Anschluss (analog zu UCEO beim BJT) angibt. Trotzdem könnte man bei MOSFETs Anschlüsse floaten lassen, zB. das Gate oder auch den Bulk-Anschluss, der ja auch die Basis des parasitären BJT im MOSFET darstellt. Der erste Fall (floating gate) ist nicht wohldefiniert (Gate-Potential hängt vom Zufall/der Gate-Ladung ab). Der zweite Fall (Floating Bulk, das ist bei manchen SOI-MOSFETs sogar der Regelfall) wird meist nichts an der MOSFET-Durchbruchsspannung ändern, weil der 1st Breakdown der Drain/Bulk-Diode meist durch die Feldspitze in der Nähe der Gate-Kante limitiert ist. (Außer bei MOSFETs, die den RESURF-Effekt ausnutzen.)

Trotzdem kann man beim MOSFET die Durchbruchsspannung (welche? wir haben 4 Anschlüsse) tunen. Aber eher verschlechtern, zB. indem man die Drain-Bulk-Diode stärker sperrt. Oder das Gate stärker schließt.

Zum Ändern das Artikels fehlt mir aber ein bisschen die Motivation, Wikipedia ist eher ein Hobby für mich. --PG64 11:57, 18. Jun. 2011 (CEST)