Donald Robert Hamann
Donald Robert Hamann (* 16. Mai 1939 in Valley Stream, New York)[1] ist ein US-amerikanischer Experimentalphysiker (Oberflächenphysik).
Hamann studierte Elektrotechnik am Massachusetts Institute of Technology mit dem Bachelor-Abschluss 1961 und der Promotion als Elektroingenieur 1965. Er war 1964/65 im Forschungslabor der Ford Motor Company in der theoretischen Abteilung und ab 1965 wissenschaftlicher Angestellter der Bell Laboratories in der Abteilung Oberflächenphysik. 1978 bis 1981 leitete er dort die theoretische Abteilung und ab 1981 die Abteilung Oberflächenphysik. Er war Gastprofessor an der Rutgers University.
1979 erhielt er mit Joel Appelbaum den Davisson-Germer-Preis für ihre Pionier-Analyse der elektronischen Struktur von Halbleiter-Oberflächen (Laudatio).[2]
Einzelnachweise
- ↑ Geburts- und Karrieredaten Pamela Kalte u. a. American Men and Women of Science, Thomson Gale 2005
- ↑ For their pioneering analysis of the electronic structure of semiconductor surfaces. (Laudatio),Davisson-Germer-Preis 1979
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Hamann, Donald Robert |
| KURZBESCHREIBUNG | US-amerikanischer Physiker |
| GEBURTSDATUM | 16. Mai 1939 |
| GEBURTSORT | Valley Stream |
