Germanium(II)-tellurid

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Kristallstruktur
Elementarzelle der α-Modifikation von Germanium(II)-tellurid.
_ Ge2+ 0 _ Te2−
Allgemeines
Name Germanium(II)-tellurid
Andere Namen
  • Germaniumtellurid
  • Germaniummonotellurid
Verhältnisformel GeTe
Kurzbeschreibung

geruchloser schwarzer Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12025-39-7
EG-Nummer 234-706-7
ECHA-InfoCard 100.031.538
PubChem 16213264
Eigenschaften
Molare Masse 200,19 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[1]

Dichte

6,14 g·cm−3[1]

Schmelzpunkt

725 °C[1]

Löslichkeit
  • nahezu unlöslich in Wasser[1]
  • löslich in konzentrierter Salpetersäure[2]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung [1]
keine GHS-Piktogramme
H- und P-Sätze H: keine H-Sätze
P: keine P-Sätze [1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Germanium(II)-tellurid ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der Telluride.

Gewinnung und Darstellung

Germanium(II)-tellurid kann durch Reaktion von Germanium mit Tellur gewonnen werden.[3]

Eigenschaften

Germanium(II)-tellurid ist ein geruchloser schwarzer Feststoff, der unlöslich in Wasser ist.[1] Er kommt in drei Modifikationen vor: zwei bei Raumtemperatur vorliegende Formen, α (rhomboedrischen), Raumgruppe R3m (Raumgruppen-Nr. 160)Vorlage:Raumgruppe/160 mit den Gitterkonstanten a = 4,156 Å, c =10,663 Å[4], sowie γ (orthorhombisch, Raumgruppe Pnma[5]) und eine Hochtemperaturform β mit kubischer Kristallstruktur vom Steinsalz-Typ mit der Raumgruppe Fm3m (Raumgruppen-Nr. 225)Vorlage:Raumgruppe/225. Bei reinem Germanium(II)-tellurid ist die α-Form unterhalb der ferroelektrischen Curie-Temperatur von etwa 670 K die Häufigste,[3] wobei die vorliegende Form von der genauen stöchiometrischen Zusammensetzung abhängt und bei 51 % Tellur zur γ-Form neigt.[6]

Verwendung

Germanium(II)-tellurid ist ein vielversprechendes Material für thermoelektrische Anwendungen und ein wichtiges Halbleitermaterial für prototypische Phasenänderungsmaterialien zur Anwendung in optischen und elektronischen nichtflüchtigen Speichern.[7]

Einzelnachweise

  1. ↑ a b c d e f g h Datenblatt Germanium(II)-tellurid bei AlfaAesar, abgerufen am 27. März 2016 (PDF) (JavaScript erforderlich).
  2. ↑ William M. Haynes: CRC Handbook of Chemistry and Physics, 96th Edition. CRC Press, 2015, ISBN 978-1-4822-6097-7, S. 65 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  3. ↑ a b E.I. Givargizov, A.M. Melnikova: Growth of Crystals. Springer Science & Business Media, 2002, ISBN 978-0-306-18121-4, S. 12 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  4. ↑ Paula Bauer Pereira et al.: Lattice dynamics and structure of GeTe, SnTe and PbTe. In: Physica Status Solidi B. Band 250, Nr. 7, 18. Dezember 2012, S. 1300–1307, doi:10.1002/pssb.201248412.
  5. ↑ R. Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker Band 3: Elemente, anorganische Verbindungen und Materialien, Minerale. Springer-Verlag, 2013, ISBN 978-3-642-58842-6, S. 476 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  6. ↑ M. Bardosova, T. Wagner: Nanomaterials and Nanoarchitectures A Complex Review of Current Hot Topics and their Applications. Springer, 2015, ISBN 978-94-017-9921-8, S. 157 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
  7. ↑ Datenblatt Germanium(II) telluride, 99.999% trace metals basis bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 27. März 2016 (PDF).
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