Difluorsilan
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| Strukturformel | |||||||
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| Allgemeines | |||||||
| Name | Difluorsilan | ||||||
| Summenformel | SiH2F2 | ||||||
| Kurzbeschreibung |
farbloses Gas[1] | ||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||||||
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| Eigenschaften | |||||||
| Molare Masse | 68,10 g·mol−1 | ||||||
| Aggregatzustand |
gasförmig[1] | ||||||
| Dichte |
2,783 g·l−1[1] | ||||||
| Schmelzpunkt | |||||||
| Siedepunkt |
−77,8 °C[1] | ||||||
| Sicherheitshinweise | |||||||
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| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | |||||||
Difluorsilan ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Silane.
Gewinnung und Darstellung
Difluorsilan kann durch Reaktion von Dichlorsilan mit Antimon(III)-fluorid gewonnen werden.[3]
Es entsteht auch neben Trifluorsilan bei der Reaktion von Tetrafluorsilan mit Wasserstoff.[4]
Eigenschaften
Difluorsilan ist ein farbloses Gas[1] und hat den höchsten Siedepunkt alle Fluorsilane.[5] Es zersetzt sich bei Temperaturen ab etwa 450 °C zu SiHF3, SiF4 und anderen Verbindungen.[6]
Verwendung
Difluorsilan kann zur Abscheidung von Siliciumnitridfilmen verwendet werden.[7]
Einzelnachweise
- ↑ a b c d e f William M. Haynes: CRC Handbook of Chemistry and Physics, 93rd Edition. CRC Press, 2016, ISBN 978-1-4398-8050-0, S. 87 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
- ↑ C. C. Addison: Inorganic Chemistry of the Main-Group Elements. Royal Society of Chemistry, 1973, ISBN 978-0-85186-752-6, S. 188 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Academic Press, 1964, ISBN 978-0-08-057855-2, S. 167 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ E. A. V. Ebsworth: Volatile Silicon Compounds International Series of Monographs on Inorganic Chemistry. Elsevier, 2013, ISBN 978-1-4831-8055-7, S. 54 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Theodore M. Besmann: Proceedings of the Thirteenth International Conference on Chemical Vapor Deposition. The Electrochemical Society, 1996, ISBN 978-1-56677-155-9, S. 203 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Nobuaki Watanabe, Mamoru Yoshida, Yi-Chao Jiang, Tutomu Nomoto, Ichimatsu Abiko: Preparation of Plasma Chemical Vapor Deposition Silicon Nitride Films from SiH2F2 and NH3 Source Gases. In: Japanese Journal of Applied Physics. 30, 1991, S. L619, doi:10.1143/JJAP.30.L619.
