Diskussion:Schottky-Diode/Archiv
Diverses
Einspruch. Was soll das? --Pjacobi 17:29, 9. Okt 2004 (CEST)
Das habe ich mich auch gefragt als ich den Artikel gesehen habe! Zitat "Die Schottky-Diode hat keinen p-n-Übergang"?! Sehr interessant soll ich noch mehr Unfug in frage stellen? Dann schreibe ich den Artikel lieber gleich neu. Bevor ich hier diskutiere. --Paddy 17:46, 9. Okt 2004 (CEST)
Eine Schottky-Diode hat keinen p-n Übergang. Genauso ist es richtig. --Pjacobi 17:56, 9. Okt 2004 (CEST)
Es geht um die Formulierung der ganzen Sache ich habe das mal umgeschrieben. Besser als zu schreiben was eine Schottky-Diode alles nicht hat, ist zu schreiben wat dat ding nu hat. "Die Schottky-Diode hat keinen Kaffeefleck, keine Feuerstelle, keine CD-Spieler Vorrichtung" das meine ich mit Unfug. Der ganze Rest ist auch total umständlich geschrieben, sodass das kein Mensch normaler verstehen kann. Keine Illustration. Aber ich kümmere mich jetzt schon drum. --Paddy 19:05, 9. Okt 2004 (CEST)
In der Formulierungsfrage meine volle Zustimmung.
In der Sache habe ich jetzt ein neues Problem: M.E. sind Spitzendioden keine Schottky-Dioden. Durch einen Einbrennimpuls bei der Herstellung entstehen bei Spitzendioden nämlich tatsächlich kleine p-Bereiche und somit ein p-n-Überganng.
During the manufacture of the point contact diode, a relatively large current is passed from the catwhisker to the silicon crystal. The result of this large current is the formation of a small region of p-type material around the crystal in the vicinity of the point contact. Thus, a pn-junction is formed which behaves in the same way as a normal pn-junction.
Aus: http://www.fnrf.science.cmu.ac.th/theory/microwave/Microwave%2014a.html
Im Moment verstecken sich aber meine zuständigen Bücher vor mir, weswegen ich nicht sofort umändern werde.
Steht so im M.S. Tyagi, "Introduction to Semiconductors Materials and Devices". Ist aber auch nur historisch gesehen. Eigentlich will ich aber IMPATT-Diode voranbringen. --Paddy 19:33, 9. Okt 2004 (CEST)
Das ist ja schön geworden, danke! Und entschuldige, dass ich den Fortschritt bei der IMPATT-Diode kurzfristig aufgehalten haben. Der einzigen Nachteil von diesem schönen Artikel ist jetzt, dass die anderen Halbleiterbauelemente nach genauso guter Behandlung verlangen. Hier bei Schottky-Diode sind vielleicht noch Unterscheidungen welches Material für welche Anwendung, nachzutragen. Kann ich ja auf meine notorisch vernachlässigte to-do-Liste setzen.
Bei den Spitzendioden, habe ich aber noch eine weitere Quelle für die Einbrenn/p-n-Übergang Interpretation gefunden, vielleicht gibt es schlicht und einfach beide Bauformen:
Spitzendioden. Bei dieser Diode sitz eine Molybdän- oder Wolfram-Drahtspitze auf einem n-leitenden Halbleiterplättchen. Durch einen Stromstoß - das sogenannte Formieren - wird sie mu dem Halbleiter verschmolzen. Dabei diffundieren Metallatome in den Halbleietr, dotieren ihn und bilden nun due Spitze eines halbkugelförmigen pn-Übergangs.
R. Paul, Elektronische Halbleiterbauelemente, Stuttgart 1992
Was allerdings die Spitze einer Halbkugel ist, wird wohl ewig Geheimnis des Autors bleiben.
Pjacobi 23:35, 9. Okt 2004 (CEST)
Standard Schottky Dioden ?
Hallöchen, im Text darf man es ja nicht schreiben, aber hier doch sicher: Gibt es bei den Schottky Dioden Allerweltstypen, wie es bei den normalen die 1N4007 und die 1N4148 darstellen? -- 84.132.90.237 22:52, 4. Aug. 2007 (CEST)
- Meines Wissens ist es mit den Schottkys nicht so einfach - erstens sind sie später am Markt aufgetaucht, zweitens seltener und drittens die Typenvielfalt größer, weil man für Standardanwendungen ohnehin keine Schottkys braucht, für spezielle Anwendungen aber genauer auf die nötigen Daten schaut und „generös“ hohe Sperrspannungen nicht so leicht wie bei pn-Dioden zu realisieren sind. Übliche Typen sind meines Wissens am ehesten noch BAT41 oder BAT48 für kleine Signale und 1N5817-1N5819 für 1 A (mit 20, 30 bzw. 40 V Sperrspannung). --Anastasius zwerg 21:44, 6. Aug. 2007 (CEST)
Minoritätsladungsträger und Erklärung
Der Schottky-Übergang besitzt fast keine Minoritäts-Ladungsträger
Erstmal würde ich schreiben, dass das Halbleitermaterial eines Schottky-Übergangs kaum Minoritäts-Ladungsträger besitzt. Und dann auch noch warum (weil normalerweise hoch dotiertes Material verwendet wird). Oder ist hier gemeint, dass die nicht zum Ladungstransport beitragen, denn man kann ja auch normal dotiertes Halbleitermaterial verwenden?
Und dann ist dort so ein schönes Bild des Bänderschemas, aber im Text ist kein Wort darüber zu finden. Vielleicht sollte man noch auf die Austrittsarbeit des Metalls und des Halbleiters eingehen und so das Modell etwas erklären. Gruß, Henno
Ich hab Mist erzählt. Bei einer Schottky-Diode ist das Halbleitermaterial nicht hoch dotiert, von daher gibts auch ganz normal viele Minoritätsladungsträger. Würde man hoch dotieren, würden die Sperreigenschaften verschwinden. Aber dann ist der Satz oben falsch und muss so umformuliert werden, dass klar wird, dass die Minoritätsladungsträger nur keinen Beitrag zum Stromfluss haben.
Gerne ;-) Sei so frei Dich daran zu wagen. Schreib den Artikel um und ergänze ihn, mach einfach was Du möchtest. mfg --Paddy 20:46, 2. Feb 2005 (CET)
Vakuumniveau und Austrittsarbeit sind irrelevant
Sorry, das mit dem Vakuumniveau und den Austrittsarbeiten ist für die Schottky-Diode absolut irrelevant. Erstens kommt da nirgends Vakuum vor, und zweitens sind die Potentiale durch die Fermienergie gegeben; beim n-dotierten HL liegt die Fermienergie nunmal zwischen den Donorzuständen und der Leitungsband-Unterkante. Wenn kein Strom fließt, muss die Fermienergie für Metall und HL gleich sein. Daraus ergibt sich der Potentialverlauf im Bild. Vielleicht komme ich in den nächsten Tagen dazu, das zu berichtigen; kann es ansonsten jemand anderer tun? (Eine Arbietsgrundlage ist z.B. [[1]]. --Anastasius zwerg 23:34, 6. Dez 2005 (CET)
- Nunmehr umgeschrieben. Unter Berücksichtigung dessen, dass (wohl aus historischen Gründen) fast alle einführenden Beschreibungen mit diesem unseligen Modell beginnen, bei dem der Halbleiter und das Metall im Vakuum aufeinander zu "schweben", habe ich es mit dem Text "in einer vereinfachten Betrachtungsweise wird oft angenommen" stehen gelassen. Wenn man sich die tatsächlichen Schottky-Barrieren ansieht, merkt man aber schnell, wie falsch dieses Modell ist (Pt und Al unterscheiden sich um ca. 1 eV in der Austrittsarbeit, aber nur um 0.2 eV in der Schottky-Barriere, siehe [[2]]) --Anastasius zwerg 22:20, 10. Dez 2005 (CET)
Fehler im Bänderdiagramm
Ich glaube da ist ein Fehler im Bänderdiagramm. Das Vakuum-Energieniveau muss immer gleich sein (=0 eV) sowohl für Metall, Halbleiter und den Übergang. Hier sieht es so aus als würde dieses Energieniveau abgesenkt, stimmt aber nicht. Einzeichen sollte man das Vakuumniveau schon in das Diagramm. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 91.50.117.149 (Diskussion • Beiträge) 00:53, 24. Jul. 2008 )
- Hallo, also ich ab jetzt nich die genauen Energiezuordnungen im Kopf oder kontrolliert. Aber meines Wissens wirkt sich die Bandverbiedung auch auf das Vakuumnieveau aus, denn kann sich ja nicht einfach ändern. Allerdings spielt das bei dem Metall-Halbleiter-Kontakt keine Rolle und wird im Allgemeinen weggelassen. --Cepheiden 08:52, 24. Jul. 2008 (CEST)
1/2 OT: Elektronenaffinität
Richtig, es geht hier um Schottky-Dioden. Aber mich hat das verwendete Formelzeichen χ (ein Chi) stutzig gemacht; nämlich deswegen, weil weder bei Elektronenaffinität noch im Artikel zum griechischen Chi dieses Formelzeichen auftaucht. Daher nehme ich mal an, dass das "non-standard" ist. Oder ist das tatsächlich in Gebrauch?? -andy 84.149.73.39 23:04, 27. Jan. 2008 (CET)
- Genau kann ich das leider auch nicht aufklären. Fakt ist die die Energie vom Leitungsband- zum Vakuum-niveau wird mit bezeichenten (nicht allein) und in den Standardwerken der Festkörperphysik mit Elektronenaffinität bezeichnet. Es ist also die Enrgie die notwendig ist um eine Elektron zu lösen und entspricht damit im Wesentlichen der chemischen Definition (Energie die notwenig ist um aus einem Atom ein anion zumachen). Warum der (meiner Meinung nach Chemielastige und leider schlecht gepflegte) Artikel Elektronenaffinität nicht auf diese Symbolik eingeht weiß ich nicht. Ich kann auch nicht sagen warum genutzt wird un nicht irgendein indiziertes , wie sonst bei elektrischen Potentialen üblich. Ich hab dazu auch nichts weiter gefunden--Cepheiden 09:29, 24. Jul. 2008 (CEST)
Schottkydiode ohne Bindestrich
Hallo, laut Duden wird Schottkydiode ohne Bindestrich geschrieben. Folglich ist Schottky-Diode falsch. 131.188.147.205 19:16, 25. Sep. 2011 (CEST)
- Einen Bindestrich darf man einfügen, wenn es sonst zu unübersichtlich würde. Und bei solchen Mixturen aus Eigennamen und technischen Bezeichnungen ist das schnell gegeben. Schau Dir die Liste elektrischer Bauelemente an: Die meisten solcher Zusammensetzungen dort sind so geschrieben, m. E. liest es sich so einfacher und schneller, Missverständnisse werden sicherer vermieden. --PeterFrankfurt 02:11, 26. Sep. 2011 (CEST)
Funktion Schottky Diode
Hallo zusammen. Eure Erklärung zur Funktion einer Schottky Diode ist sicher gut und physikalisch korrekt. Als langjähriger (Profi)Elektroniker und interessierter physikalischer Laie komme ich beim Lesen aber leider nicht wirklich dahinter, wie sie denn nun funktioniert. Spätestens nach dem ersten Absatz verstehe ich fast nur noch "Bahnhof". Wie mag es jemandem gehen, der ohne Background "mal eben" Schottkydiode nachschlägt ? Vorschlag : Vor der eigentlichen physikalisch korrekten Erklärung vieleicht eine etwas weniger "mathematisch belastete" Version einfügen, damit auch Normalsterbliche eine Idee entwickeln können, warum & wie das Teil funktioniert. Oder mit einer kurzen Einleitung für die nötigen Vorinformationen sorgen. Besten Gruss & vielen Dank ! :-) (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 212.64.224.249 (Diskussion • Beiträge) 17:53, 27. Mär. 2006 (CEST))
Kann meinem Vorredner nur zustimmen: Ich habs nicht verstanden, was die Schottky-Diode so besonders macht. Schreibt doch mal jemand die Unterschiede zwischen normalen Si-Dioden und Schottky-Dioden dazu. 21.08.2006 (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 82.135.75.49 (Diskussion • Beiträge) 18:48, 21. Aug. 2006 (CEST))
Habe den Einleitungssatz angepaßt. Allerdings ist der erste Abschnitt in sich eher bruchstückhaft; jeder Satz behandelt ein anderes Thema. Ich habe den letzten Abschnitt (Schottky-Dioden in der Elektronik) nach vorn gestellt, weil man erst wissen will, warum man die Dinger nimmt, bevor man sich die Funktionsweise antut. 04.09.2006 (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von Mcr42 (Diskussion • Beiträge) 16:52, 4. Sep. 2006 (CEST))
Defekter Weblink (erl.)
– GiftBot (Diskussion) 17:48, 6. Okt. 2012 (CEST)
- unvollständig archivierten Weblink durch neues Dokument desselben Herstellers ersetzt, Punkt erledigt. --80.132.133.136 23:02, 13. Dez. 2013 (CET)
Verständlichkeit
„Damit unterscheidet sich der Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kontakt, der das Verhalten eines ohmschen Widerstands zeigt.“ -> Dieser Satz ist m.E. nicht gut verständlich.(nicht signierter Beitrag von 87.162.26.135 (Diskussion) 16:15, 7. Aug. 2014 (CEST))
- Nunja, etwas kompliziert ausgedrückt. Verbesserungsvorschläge? --Cepheiden (Diskussion) 20:59, 7. Aug. 2014 (CEST)
