Liste elektrischer Bauelemente
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Dieser Artikel listet elektrische beziehungsweise elektronische Bauelemente (auch Bauteile genannt) auf, die man für Schaltungen in der Elektrotechnik beziehungsweise Elektronik benötigt.
Grundbausteine
Elektrische Leitungen
- Leiterplatten
- Kabel, Koaxialkabel
- Streifenleitung
- Lecher-Leitung
- Supraleiter
- Wellenleiter
- Hohlleiter
- Bestandteile von Antennen (Antennenelemente)
- Goubau-Leitung
- Zirkulator
Elektromechanische Bauelemente
Bauelemente zum Trennen und Verbinden von Leitungen
- Einphasen-Haushaltsstecksysteme
- Ein- und Mehrphasen-Niederspannungssysteme
- Kleinspannungsstecker
- Labor-Steckverbinder
- Audio-Steckverbinder
- Videosignal-Steckverbinder
- Hochfrequenz-Steckverbinder
- Daten-Steckverbinder
- Telefon-Steckverbinder
- LWL-Steckverbinder
Bauelemente für die Stromversorgung
- Schalter
- Relais, Schütz
- Leitungsschutzschalter, Motorschutzschalter
- Nulldurchgangsschalter
- Nullspannungsschalter
- Reed-Relais
Bauelemente für die Frequenzerzeugung
- Schwingquarze
- Keramikresonatoren
- Quarzoszillatoren, (PXO, Quarzofen, TCXO, VXO, VCXO, DTCXO)
- AOW-Oszillatoren
- AOW-Filter
- Keramikfilter
MEMS-Bauelemente
- Inertialsensoren (IMU)
- MEMS-Drehratensensor
- MEMS-Gyroskope
- MEMS-Beschleunigungssensoren für Airbags
- MEMS-Drucksensoren für Reifendruckmessung und Blutdruckmessung
- Mikrofluidik
- Microdispensers (Dosierpumpen)
- MEMS-Lab-on-a-Chip für In vitro diagnostics (IVD)
- MEMS-Bubble-Jet-Druckköpfe
- Optische MEMS-Aktoren
- MEMS-Optischer Schalter (Optical switch)
- MEMS-Projektions-Systeme (Mikrospiegelaktor)
- MEMS-Interferometric modulator display (digitale Displays)
- MEMS-Oszillatoren
- Rundfunk-MEMS (RF MEMS)
- MEMS-Mikrofone für Smartphones, Headsets, Hörgeräte oder Digitalkameras
- MEMS-Ultraschallwandler
- Pyroelektrische MEMS-Sensoren (PIR)
- Mikrobolometer
Passive Bauelemente
- Widerstand
- Festwiderstände
- Dünnschichtwiderstand
- Dickschichtwiderstand
- Heizwiderstand
- Nichtlineare Widerstände
- Temperaturabhängige Widerstände
- Kaltleiter (PTC)
- Platin-Messwiderstand
- Heißleiter (NTC)
- Fotowiderstand – lichtabhängiger Widerstand
- Spannungsabhängige Widerstände
- Varistor – spannungsabhängiger Widerstand
- Temperaturabhängige Widerstände
- Variable Widerstände
- Potentiometer – mechanisch einstellbarer Widerstand
- Festwiderstände
- Kondensatoren
- Festkondensatoren
- Leistungskondensatoren
- Variable Kondensatoren, (Trimmkondensator, Drehkondensator)
- Induktive Bauelemente
- Induktivität (Bauelement),
- Chipinduktivität, Mikroinduktivität
- Spule (Elektrotechnik),
- Luftspule, Toroidspule, Zündspule, Schwingspule, Tauchspule, Helmholtz-Spule
- Drossel (Elektrotechnik)
- Transformatoren
- Magnete
- Induktivität (Bauelement),
- Sonstige passive Bauelemente
- Gasableiter, Funkenstrecke (Schutzelemente vor Überspannung)
- elektrische Lampen und Strahlungsquellen
- Memristor
Energiequellen im engeren Sinn
- Galvanische Zelle, galvanisches Element
- Brennstoffzelle
- Elektrischer Generator
- Solarzelle
- Peltier-Element als thermoelektrischer Generator
- Daniell-Element, eine spezielle galvanische Zelle
Aktive Bauelemente
Röhren
- Nullode, elektrodenlose Gasentladungsröhre
- Röhrendiode, Zweipolröhre
- Triodenröhre, die einfachste Verstärkerröhre (Anode, Gitter, Kathode)
- Tetrode – Röhre mit zwei Gittern
- Pentode – Röhre mit drei Gittern (Schirm-, Steuer- und Bremsgitter)
- Hexode – Röhre mit vier Gittern (Steuer- und Bremsgitter, zwei Schirmgitter)
- Braun’sche Röhre: Kathodenstrahlröhre
- Röntgenröhre
- Klystron
- Krytron
- Magnetron
- Sekundärelektronenvervielfacher
- Photomultiplier
- Thyratron
- Excitron
- Ignitron
- Senditron
- Quecksilberdampfgleichrichter
- Verbundröhre
- Abstimmanzeigeröhre
- Nixie-Röhre – Röhre zur Darstellung verschiedener Zeichen (Ziffern)
Diskrete Halbleiter und Leistungshalbleiter
- Dioden (außer Optoelektronik)
- Avalanche-Diode
- Backward-Diode
- Gleichrichter
- Kapazitätsdiode
- Schottky-Diode
- Suppressordiode
- Tunneldiode
- Zener-Diode (auch Z-Diode oder Begrenzerdiode)
- Gunndioden
- Transistoren
- Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
- Bipolare Transistoren
- Bipolartransistor (engl. bipolar junction transistor, BJT)
- Spitzentransistor (engl. point-contact transistor)
- Darlington-Transistor (engl. Darlington transistorbzw.Darlington amplifier)
- gezogener Transistor (auch „Wachstumstransistor“, engl. grown-junction transistor)[1]
- Legierungstransistor (engl. alloy junction transistor)
- Mikrolegierungstransistor (engl. micro-alloy transistor, MAT)
- Drifttransistor (engl. drift transistor), auch: (drift-field transistor, DFT) oder (graded-base transistor)
- Mikrolegierungstransistor (engl.
- Oberflächensperrschichttransistor (engl. surface barrier transistor)
- MAD-Transistor (engl. micro-alloy diffused transistor, MADT)
- MAD-Transistor (engl.
- Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET****** PAD-Transistor (engl.post-alloy diffused transistor, PADT)
- Mesatransistor (engl. mesa transistor)
- Mesatransistor (engl.
- Schottky-Transistor (engl. schottky transistor)
- „Transistor mit diffundierter Basis“ (engl. diffused base transistor)
- Bipolarer Leistungstransistor (engl. bipolar power transistor)
- Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (engl. insulated-gate bipolar transistor, IGBT)
- Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (engl.
- Spitzentransistor (engl.
- heterojunction bipolar transistor(HBT bzw. HBJT)
- double-heterojunction bipolar transistor(DHBT)
- tunneling-emitter bipolar transistor
- Lawinentransistor (engl. avalanche transistor), eigentlich (engl.avalanche bipolar transistor) (ABT)
- V-groove insulated-gate avalanche transistor(VIGAT)
- Bipolartransistor (engl.
- tunneling hot-electron-transfer amplifier(THETA)
- metal-base transistor
- metal-insulator-metal-insulator-metal(MIMIM) transistor
- metal-oxide metal-oxide-metal(MOMOM) transistor
- metal-insulator-metal-semiconductor(MIMS) transistor
- metal-oxide-metal-semiconductor(MOMS) transistor
- semiconductor-metal-semiconductor transistor(SMST) transistor
- metal-insulator-p-n(MIp-n) transistor
- metal-oxide-p-n(Mop-n) transistor
- hot-electron-transistor(THETA)
- planar-doped-barrier transistor
- camel transistor
- field-effect hot-electron transistor
- real-space-transfer transistor(RSTT),
- negative-resistance field-effect transistor(NERFET),
- charge-injection transistor(CHINT)
- bipolar inversion-channel field-effect transistor(BICFET).
- bulk-barrier transistor, bulk unipolar transistor
- heterojunction hot-electron transistor
- induced-base transistor
- resonant-tunneling hot-electron transistor(RHET)
- quantum-well-base resonant-tunneling transistor(QWBRTT)
- Multiemitter-Transistor
- tunnel-emitter transistor(TETRAN)
- inversion-base bipolar transistor
- surface-oxide transistor
- resonant-tunneling bipolar transistor(RTBTIRBT)
- Bipolare Transistoren
- Feldeffekttransistor (engl. field-effect transistor, FET): Transistoren, die auf einem Feldeffekt basieren
- Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl. non insulated gate field-effect transistor, NIGFET)
- Sperrschicht-Feldeffekttransistor (engl. junction field-effect transistor, JFET)
- V-groove field-effect transistor(VFET)
- Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal semiconductor field-effect transistor, MESFET)
- Sperrschicht-Feldeffekttransistor (engl.
- Isolierschicht-Feldeffekttransistor (engl. insulated gate field-effect transistor, IGFET)
- Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal insulator semiconductur field-effect transistor, MISFET)
- Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl. metal oxide semiconductur field-effect transistor, MOSFET)
- Floating-Gate-Transistor (engl. floating-gate transistor)
- Organischer Feldeffekttransistor (engl. organic field-effect transistor, OFET)
- Dünnschichttransistor (engl. thin film transistor, TFT)
- metal-oxide-semiconductor transistor(MOST)
- Double-diffused metal-oxide-semiconductor(DMOS) transistor
- Hexagonal field-effect transistor(HEXFET)
- V-groove (or vertical) metal-oxide-semiconductor(VMOS) transistor
- U-groove metal-oxide-semiconductor(UMOS) transistor
- Gate-controlled diode
- Multigate-Feldeffekttransistoren (engl. Multiple gate device field-effect transistor)
- FinFET
- (engl. dual gate field-effect transistor)
- (engl. )
- (engl. )
- (engl. )
- Leistungs-MOSFET
- Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor
- Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl.
- (FREDFET) auch fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor
- Umgebungsgesteuerte Feldeffekttransistoren
- Ionensensitiver Feldeffekttransistor (engl. ion-sensitive field effect transistor, ISFET)
- electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor(EOSFET)
- deoxyribonucleic acid field-effect transistor(DNAFET)
- Fototransistor (engl. photo transistor)
- Enzym-Feldeffekttransistor (engl. enzyme field-effect transistor, ENFET)
- pressure-sensitive field-effect transistor(PRESSFET)
- (RADFET)
- Ionensensitiver Feldeffekttransistor (engl.
- Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl.
- modulation-doped field-effect transistor(MODFET),
auch bekannt als: (HEMT),two-dimensional electron-gas field-effect transistor(TEGFET),selectively-doped heterojunction transistor(SDHT) oderheterojunction field-effect transistor(HFET)- inverted heterojunction field-effect transistor(inverted MODFET)
- planar-doped (delta-doped, pulse-doped) heterojunction field-effect transistor
- single-quantum-well heterojunction field-effect transistor,double-heterojunction field-effect transistor(DHFET)
- superlattice heterojunction field-effect transistor
- pseudomorphic heterojunction field-effect transistor(PMHFET)
- heterojunction insulated-gate field-effect transistor(HIGFET)
- semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor(SISFET)
- doped-channel heterojunction field-effect transistor
- permeable-base transistor(PBT)
- static-induction transistor(SIT)
- lateral resonant-tunneling field-effect transistor(LRTFET)[5]
- Stark-effect transistor
- velocity-modulation transistor(VMT).
- Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl.
- Weitere Transistortypen:
- Diffusionstransistor (engl. diffusion transistor), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET
- Einzelelektronentransistor (engl. single-electron transistor, SET)
- Leistungstransistor
- bipolarer Leistungstransistor (Power BJT)
- Leistungsfeldeffekttransistor (Power MOSFET)
- Unijunction-Transistor (engl. unijunction transistor, UJT)
- Spin-Transistor (engl. spin field-effekt transistor, Spin-FET)
- Atomarer Transistor
- Y-Transistor
- Diffusionstransistor (engl.
- Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
- Vierschicht-Bauelemente
- Diac
- Triac
- Halbleiter mit speziellen Eigenschaften
Integrierte Schaltkreise (ICs)
- Nach Geschäftsmodell:
- ASIC
- ASSP
- Standardbausteine, siehe beispielsweise Commercial off-the-shelf
- Nach der Komplexität:
- SSI, MSI, LSI, VLSI etc. (siehe Integrationsgrad)
- System-on-a-Chip
- Nach Funktion:
- ROM, PROM (nur lesbare Speicher)
- RAM (DRAM, SRAM), EPROM, EEPROM, Flash-EPROM (les- und beschreibbare Speicher)
- Mikrocontroller, Mikroprozessor (CPU), Digitaler Signalprozessor (DSP)
- Gleitkommaeinheit, Memory Management Unit (MMU)
- Grafikprozessor
- Chipsatz
- Generic Array Logic (GAL), Programmable Array Logic (PAL), Field Programmable Gate Array (FPGA)
- Logikgatter, Gate Array
- Operationsverstärker
- Spannungsregler, Schaltregler
- Digital-Analog-Umsetzer, Analog-Digital-Umsetzer
- Multiplexer
Optoelektronische Bauelemente
- Laserdiode
- Leuchtdiode
- Lichtschranke
- Photohalbleiter
- Fotowiderstand
- Halbleiter-Strahlungsdetektoren
- Photoelemente
- Fototransistor
- Fotothyristor (Optothyristor)
- Optokoppler, Solid-state-Relais
- CCD-Sensoren, CMOS-Sensoren, Bildsensor
- Lichtwellenleiter (LWL)
- Dünnschichttransistor (TFT)
- OLED
Aktoren
- Digital Micromirror Device, siehe Mikrospiegelaktor
- Grating Light Valve
- Elektromagnet
- Elektromotor
- Lautsprecher
- Flüssigkristallbildschirm (LCD)
- diverse Bauteile, die den Piezoeffekt verwenden
Sensoren
(außer Photohalbleiter)
- Hall-Sensor
- Feldplatte
- SQUID
- Mikrofon
- Thermoelement
- NAMUR-Sensoren
- diverse Bauelemente, die den Piezoeffekt verwenden
- diverse Bauelemente, die das Kondensatorprinzip verwenden
Module, Systeme
- Regler
- Speicherprogrammierbare Steuerung (SPS)
- Verstärker
- Sender
- Empfänger
- Filter
- Gyrator
- Wechselrichter
Siehe auch
Weblinks
Einzelnachweise
- ↑ Peter A. Schmitt (Hrsg.): Langenscheidts Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Englisch – Deutsch. 2., bearbeitete Auflage. Langenscheidt Fachverlag, Berlin [u. a.] 2004, ISBN 3-86117-227-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- ↑ Erdmann F. Schubert, Albrecht Fischer, Klaus Ploog: The delta-doped field-effect transistor (δFET). In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632, doi:10.1109/T-ED.1986.22543.
- ↑ Kwok K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766, doi:10.1109/16.536822.
- ↑ Stanislas Teszner, R. Gicquel: Gridistor – A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. Bd. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502–1513, doi:10.1109/PROC.1964.3439.
- ↑ Stephen Y. Chou, James S. Harris Jr., R. Fabian W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. Bd. 52, Nr. 23, 1988, S. 1982–1984, doi:10.1063/1.99656.
