Liste elektrischer Bauelemente

Dieser Artikel listet elektrische beziehungsweise elektronische Bauelemente (auch Bauteile genannt) auf, die man für Schaltungen in der Elektrotechnik beziehungsweise Elektronik benötigt.

Verschiedene elektronische Bauelemente

Grundbausteine

Elektrische Leitungen

Leiterplatten
Kabel, Koaxialkabel
Streifenleitung
Lecher-Leitung
Supraleiter
Wellenleiter
- Hohlleiter
- Bestandteile von Antennen (Antennenelemente)
- Goubau-Leitung
- Zirkulator

Elektromechanische Bauelemente

Bauelemente zum Trennen und Verbinden von Leitungen

Einphasen-Haushaltsstecksysteme
Ein- und Mehrphasen-Niederspannungssysteme
Kleinspannungsstecker
Labor-Steckverbinder
Audio-Steckverbinder
Videosignal-Steckverbinder
Hochfrequenz-Steckverbinder
Daten-Steckverbinder
Telefon-Steckverbinder
LWL-Steckverbinder

Bauelemente für die Stromversorgung

Bauelemente für die Frequenzerzeugung

Schwingquarze
Keramikresonatoren
Quarzoszillatoren, (PXO, Quarzofen, TCXO, VXO, VCXO, DTCXO)
AOW-Oszillatoren
AOW-Filter
Keramikfilter

MEMS-Bauelemente

Inertialsensoren (IMU)
- MEMS-Drehratensensor
- MEMS-Gyroskope
- MEMS-Beschleunigungssensoren für Airbags
- MEMS-Drucksensoren für Reifendruckmessung und Blutdruckmessung
Mikrofluidik
- Microdispensers (Dosierpumpen)
- MEMS-Lab-on-a-Chip für In vitro diagnostics (IVD)
- MEMS-Bubble-Jet-Druckköpfe
Optische MEMS-Aktoren
- MEMS-Optischer Schalter (Optical switch)
- MEMS-Projektions-Systeme (Mikrospiegelaktor)
- MEMS-Interferometric modulator display (digitale Displays)
MEMS-Oszillatoren
Rundfunk-MEMS (RF MEMS)
MEMS-Mikrofone für Smartphones, Headsets, Hörgeräte oder Digitalkameras
MEMS-Ultraschallwandler
Pyroelektrische MEMS-Sensoren (PIR)
Mikrobolometer

Passive Bauelemente

Widerstand
- Festwiderstände
  - Dünnschichtwiderstand
  - Dickschichtwiderstand
  - Heizwiderstand
- Nichtlineare Widerstände
  - Temperaturabhängige Widerstände
    - Kaltleiter (PTC)
    - Platin-Messwiderstand
    - Heißleiter (NTC)
  - Fotowiderstand – lichtabhängiger Widerstand
  - Spannungsabhängige Widerstände
    - Varistor – spannungsabhängiger Widerstand
- Variable Widerstände
  - Potentiometer – mechanisch einstellbarer Widerstand
Kondensatoren
- Festkondensatoren
- Leistungskondensatoren
- Variable Kondensatoren, (Trimmkondensator, Drehkondensator)
Induktive Bauelemente
- Induktivität (Bauelement),
  - Chipinduktivität, Mikroinduktivität
  - Spule (Elektrotechnik),
  - Luftspule, Toroidspule, Zündspule, Schwingspule, Tauchspule, Helmholtz-Spule
  - Drossel (Elektrotechnik)
- Transformatoren
- Magnete
Sonstige passive Bauelemente
- Gasableiter, Funkenstrecke (Schutzelemente vor Überspannung)
- elektrische Lampen und Strahlungsquellen
  - Gasentladungslampen
    - Leuchtstofflampe
    - Metalldampflampe
  - Glühlampen
- Memristor

Energiequellen im engeren Sinn

Galvanische Zelle, galvanisches Element
Brennstoffzelle
Elektrischer Generator
Solarzelle
Peltier-Element als thermoelektrischer Generator
Daniell-Element, eine spezielle galvanische Zelle

Aktive Bauelemente

Röhren

Nullode, elektrodenlose Gasentladungsröhre
Röhrendiode, Zweipolröhre
Triodenröhre, die einfachste Verstärkerröhre (Anode, Gitter, Kathode)
Tetrode – Röhre mit zwei Gittern
Pentode – Röhre mit drei Gittern (Schirm-, Steuer- und Bremsgitter)
Hexode – Röhre mit vier Gittern (Steuer- und Bremsgitter, zwei Schirmgitter)
Braun’sche Röhre: Kathodenstrahlröhre
Röntgenröhre
Klystron
Krytron
Magnetron
Sekundärelektronenvervielfacher
Photomultiplier
Thyratron
Excitron
Ignitron
Senditron
Quecksilberdampfgleichrichter
Verbundröhre
Abstimmanzeigeröhre
Nixie-Röhre – Röhre zur Darstellung verschiedener Zeichen (Ziffern)

Diskrete Halbleiter und Leistungshalbleiter

Dioden (außer Optoelektronik)
- Avalanche-Diode
- Backward-Diode
- Gleichrichter
- Kapazitätsdiode
- Schottky-Diode
- Suppressordiode
- Tunneldiode
- Zener-Diode (auch Z-Diode oder Begrenzerdiode)
- Gunndioden
Transistoren
- Transistoren, die auf einem Potentialeffekt basieren:
  - Bipolare Transistoren
    - Bipolartransistor (engl.
      bipolar junction transistor
      , BJT)
      - Spitzentransistor (engl.
        point-contact transistor
        )
      - Darlington-Transistor (engl.
        Darlington transistor
        bzw.
        Darlington amplifier
        )
      - gezogener Transistor (auch „Wachstumstransistor“, engl.
        grown-junction transistor
        )^[1]
      - Legierungstransistor (engl.
        alloy junction transistor
        )
        Mikrolegierungstransistor (engl.
        micro-alloy transistor
        , MAT)
        
        Drifttransistor (engl.
        drift transistor
        ), auch: (
        drift-field transistor
        , DFT) oder (
        graded-base transistor
        )
      - Oberflächensperrschichttransistor (engl.
        surface barrier transistor
        )
        MAD-Transistor (engl.
        micro-alloy diffused transistor
        , MADT)
      - Diffusionstransistor (engl.
        diffusion transistor
        ), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET****** PAD-Transistor (engl.
        post-alloy diffused transistor
        , PADT)
        Mesatransistor (engl.
        mesa transistor
        )
      - Schottky-Transistor (engl.
        schottky transistor
        )
      - „Transistor mit diffundierter Basis“ (engl.
        diffused base transistor
        )
      - Bipolarer Leistungstransistor (engl.
        bipolar power transistor
        )
        Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (engl.
        insulated-gate bipolar transistor
        , IGBT)
    - heterojunction bipolar transistor
      (HBT bzw. HBJT)
    - double-heterojunction bipolar transistor
      (DHBT)
    - tunneling-emitter bipolar transistor
    - Lawinentransistor (engl.
      avalanche transistor
      ), eigentlich (engl.
      avalanche bipolar transistor
      ) (ABT)
      - V-groove insulated-gate avalanche transistor
        (VIGAT)
  - tunneling hot-electron-transfer amplifier
    (THETA)
    - metal-base transistor
      - metal-insulator-metal-insulator-metal
        (MIMIM) transistor
        metal-oxide metal-oxide-metal
        (MOMOM) transistor
      - metal-insulator-metal-semiconductor
        (MIMS) transistor
        metal-oxide-metal-semiconductor
        (MOMS) transistor
      - semiconductor-metal-semiconductor transistor
        (SMST) transistor
      - metal-insulator-p-n
        (MIp-n) transistor
        metal-oxide-p-n
        (Mop-n) transistor
    - hot-electron-transistor
      (THETA)
  - planar-doped-barrier transistor
    - camel transistor
    - field-effect hot-electron transistor
  - real-space-transfer transistor
    (RSTT),
    - negative-resistance field-effect transistor
      (NERFET),
    - charge-injection transistor
      (CHINT)
  - bipolar inversion-channel field-effect transistor
    (BICFET).
    - bulk-barrier transistor, bulk unipolar transistor
  - heterojunction hot-electron transistor
  - induced-base transistor
  - resonant-tunneling hot-electron transistor
    (RHET)
  - quantum-well-base resonant-tunneling transistor
    (QWBRTT)
  - Multiemitter-Transistor
  - Spacistor
  - tunnel-emitter transistor
    (TETRAN)
  - inversion-base bipolar transistor
    - surface-oxide transistor
  - resonant-tunneling bipolar transistor
    (RTBTIRBT)
- Feldeffekttransistor (engl.
  field-effect transistor
  , FET): Transistoren, die auf einem Feldeffekt basieren
  - Feldeffekttransistor ohne isoliertes Gate (engl.
    non insulated gate field-effect transistor
    , NIGFET)
    - Sperrschicht-Feldeffekttransistor (engl.
      junction field-effect transistor
      , JFET)
      - V-groove field-effect transistor
        (VFET)
    - Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl.
      metal semiconductor field-effect transistor
      , MESFET)
      - planar-doped field-effect transistor
        
        delta-doped field-effect transistor
        (δFET)^[2]
        
        pulse-doped field-effect transistor
        ^[3]
  - Isolierschicht-Feldeffekttransistor (engl.
    insulated gate field-effect transistor
    , IGFET)
    - Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl.
      metal insulator semiconductur field-effect transistor
      , MISFET)
      - Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl.
        metal oxide semiconductur field-effect transistor
        , MOSFET)
      - Floating-Gate-Transistor (engl.
        floating-gate transistor
        )
      - Organischer Feldeffekttransistor (engl.
        organic field-effect transistor
        , OFET)
      - Dünnschichttransistor (engl.
        thin film transistor
        , TFT)
      - metal-oxide-semiconductor transistor
        (MOST)
      - Double-diffused metal-oxide-semiconductor
        (DMOS) transistor
      - Hexagonal field-effect transistor
        (HEXFET)
      - V-groove (or vertical) metal-oxide-semiconductor
        (VMOS) transistor
      - U-groove metal-oxide-semiconductor
        (UMOS) transistor
      - Gate-controlled diode
      - Multigate-Feldeffekttransistoren (engl.
        Multiple gate device field-effect transistor
        )
        FinFET
        
        (engl.
        dual gate field-effect transistor
        )
        
        (engl.
        Trigate transistors
        )
        
        (engl.
        Tetrode transistor
        )
        
        (engl.
        Pentode transistor
        )
      - Leistungs-MOSFET
      - Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor
    - fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor
      (FREDFET) auch
      fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor
    - Umgebungsgesteuerte Feldeffekttransistoren
      - Ionensensitiver Feldeffekttransistor (engl.
        ion-sensitive field effect transistor
        , ISFET)
      - electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor
        (EOSFET)
      - deoxyribonucleic acid field-effect transistor
        (DNAFET)
      - Fototransistor (engl.
        photo transistor
        )
      - Enzym-Feldeffekttransistor (engl.
        enzyme field-effect transistor
        , ENFET)
      - pressure-sensitive field-effect transistor
        (PRESSFET)
      - Radiation sensing field-effect transistor
        (RADFET)
  - modulation-doped field-effect transistor
    (MODFET),
    auch bekannt als:
    high-electron-mobility transistor
    (HEMT),
    two-dimensional electron-gas field-effect transistor
    (TEGFET),
    selectively-doped heterojunction transistor
    (SDHT) oder
    heterojunction field-effect transistor
    (HFET)
    - inverted heterojunction field-effect transistor
      (inverted MODFET)
    - planar-doped (delta-doped, pulse-doped) heterojunction field-effect transistor
    - single-quantum-well heterojunction field-effect transistor
      ,
      double-heterojunction field-effect transistor
      (DHFET)
    - superlattice heterojunction field-effect transistor
    - pseudomorphic heterojunction field-effect transistor
      (PMHFET)
    - heterojunction insulated-gate field-effect transistor
      (HIGFET)
    - semiconductor-insulator-semiconductor field-effect transistor
      (SISFET)
    - doped-channel heterojunction field-effect transistor
  - permeable-base transistor
    (PBT)
  - static-induction transistor
    (SIT)
    - analog transistor
      (konzentrisch aufgebauter Transistor mit Eigenschaften ähnlich einer Elektronenröhre, siehe auch Spacitor)
    - multi-channel field-effect transistor
      (McFET)
    - gridistor
      ^[4]
    - bipolar-mode static-induction transistor
      (BSIT)
    - depleted-base transistor
      (DBT)
  - lateral resonant-tunneling field-effect transistor
    (LRTFET)^[5]
  - Stark-effect transistor
  - velocity-modulation transistor
    (VMT).
- Weitere Transistortypen:
  - Diffusionstransistor (engl.
    diffusion transistor
    ), durch Diffusion eingebrachte Dotierungen, sowohl bei BJT als auch FET
  - Einzelelektronentransistor (engl.
    single-electron transistor
    , SET)
  - Leistungstransistor
    - bipolarer Leistungstransistor (Power BJT)
    - Leistungsfeldeffekttransistor (Power MOSFET)
  - Unijunction-Transistor (engl.
    unijunction transistor
    , UJT)
  - Spin-Transistor (engl.
    spin field-effekt transistor
    , Spin-FET)
  - nanofluidic transistor
  - Atomarer Transistor
  - ballistic transistor
  - Y-Transistor
Vierschicht-Bauelemente
- Thyristor
  - Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO)
Diac
Triac
Halbleiter mit speziellen Eigenschaften

Sensoren

(außer Photohalbleiter)

Hall-Sensor
Feldplatte
SQUID
Mikrofon
Thermoelement
NAMUR-Sensoren
diverse Bauelemente, die den Piezoeffekt verwenden
diverse Bauelemente, die das Kondensatorprinzip verwenden

Module, Systeme

Regler
- Analogregler, PID-Regler
- Digitalregler, Fuzzy-Regler
Speicherprogrammierbare Steuerung (SPS)
Verstärker
Sender
Empfänger
Filter
Gyrator
Wechselrichter

Siehe auch

Weblinks

Das Elektronik-Kompendium: Bauelemente

Einzelnachweise

↑ Peter A. Schmitt (Hrsg.): Langenscheidts Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Englisch – Deutsch. 2., bearbeitete Auflage. Langenscheidt Fachverlag, Berlin [u. a.] 2004, ISBN 3-86117-227-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
↑ Erdmann F. Schubert, Albrecht Fischer, Klaus Ploog: The delta-doped field-effect transistor (δFET). In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632, doi:10.1109/T-ED.1986.22543.
↑ Kwok K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766, doi:10.1109/16.536822.
↑ Stanislas Teszner, R. Gicquel: Gridistor – A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. Bd. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502–1513, doi:10.1109/PROC.1964.3439.
↑ Stephen Y. Chou, James S. Harris Jr., R. Fabian W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. Bd. 52, Nr. 23, 1988, S. 1982–1984, doi:10.1063/1.99656.

[1] Peter A. Schmitt (Hrsg.): Langenscheidts Fachwörterbuch Technik und angewandte Wissenschaften. Englisch – Deutsch. 2., bearbeitete Auflage. Langenscheidt Fachverlag, Berlin [u. a.] 2004, ISBN 3-86117-227-5 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).

[2] Erdmann F. Schubert, Albrecht Fischer, Klaus Ploog: The delta-doped field-effect transistor (δFET). In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 33, Nr. 5, 1986, S. 625–632, doi:10.1109/T-ED.1986.22543.

[3] Kwok K. Ng: A survey of semiconductor devices. In: IEEE Transactions on Electron Devices. Bd. 43, Nr. 10, 1996, S. 1760–1766, doi:10.1109/16.536822.

[4] Stanislas Teszner, R. Gicquel: Gridistor – A new field-effect device. In: Proceedings of the IEEE. Bd. 52, Nr. 12, 1964, S. 1502–1513, doi:10.1109/PROC.1964.3439.

[5] Stephen Y. Chou, James S. Harris Jr., R. Fabian W. Pease: Lateral resonant tunneling field-effect transistor. In: Applied Physics Letters. Bd. 52, Nr. 23, 1988, S. 1982–1984, doi:10.1063/1.99656.

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