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Temperaturkoeffizent
Die Bedingung
gilt für alle Temperaturwerte und führt direkt zur Bedingung
- .
Damit gilt für die Spannung UBasis:
Ableiten der Spannung UBE nach der Temperatur T mittels der Produktregel.
- (Logarithmische Ableitung)
- (Quotientenregel)
Eingesetzt in die Ableitung der Spannung UBE
Damit gilt für die Spannung UBE2:
Im Grundgerüst wurde die Spannung UBE2 abgeleitet. Nun müssen noch die fehlenden Ableitungen von IC1/C2 und IS2 ermittelt und eingesetzt werden.
Wenn die Bedingung
gilt, dann muss auch die Bedingung
zutreffen.
Durch Einsetzen und Ableiten ergibt sich:
Aufwändiger ist die Herleitung und Ableitung des Sättigungssperrstroms IS2.
- (Quelle###)
Ableitung des Sättigungssperrstromes mit der Produktregel.
Normierung mit
Einsetzen des Temperaturkoeffizienten vom Sättigungssperrstrom IS2 in den Koeffizienten der Basis-Emitter-Spannung UBE2.
Nochmals die Ausgangsformel:
Einsetzen der ermittelten Formeln:
Nach Kürzen und Zusammenfassen folgt:
- (Quelle?)
Minoritätsladungsträger * Fläche A
- n-Dotierung: ??
- p-Dotierung: ??
- ?? verhältnis zur dritten Gleichung ??
- q = ?? Elementarladung
- np0 = np(T = 0 K) ??
http://bwrc.eecs.berkeley.edu/Classes/IcBook/SPICE/UserGuide/overview.html
- T_ref -> Bezugstemperatur
- XTI -> Herstellungsparameter ca. 3
- N -> Elektronenemmisionskoeffizient 1..2 (Quelle: Shockley-Gleichung)
- -1 * XTI/N ≈ -1,5 (?)
I_S \propto \mu \cdot k_b \cdot T \cdot n_i^2 \Rightarrow I_S = A \cdot \mu \cdot k_b \cdot T \cdot n_i^2
\mu = \mu_0 \cdot T^M
n_i \propto T^3 \cdot e^{-\frac{U_G}{U_T}} \Rightarrow n_i = B \cdot T^3 \cdot e^{-\frac{U_G}{U_T}}
I_S = A \cdot B \cdot \mu_0 \cdot T^{4+M} \cdot e^{-\frac{U_G}{U_T}} (Quelle###)
Anwendung
- Shockley-Gleichung (Dioden-Strom)
- Großsignal-Gleichung des Bipolartransistors
I_C ist der Strom der durch die BE-Strecke fließen würde, wenn keine Quelle am Kollektor angeschlossen wäre, analog zur Shockley-Gleichung. Liegt die CE-Spannung über der BE-Spannung entspricht der Kollektorstrom dem Strom der eigentlich von der Basis geliefert werden müsste.
Bandabstandsspannung
(Quelle: [1], [2])
Empirisch ermitteltet Formel nach Y. P. Varnshni:
(Quelle: [3] [4], Varshni, Y.P., Temperature dependence of the energy gap in semiconductors, Physica, 1967)
Quelle: ?